From: hackbard Date: Wed, 13 Apr 2005 13:34:55 +0000 (+0000) Subject: fixed einleitung X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=commitdiff_plain;h=db1d2bc85a22195e8909974094a0a712df65b15e fixed einleitung --- diff --git a/nlsop/diplom/einleitung.tex b/nlsop/diplom/einleitung.tex index a920d88..0c0367d 100644 --- a/nlsop/diplom/einleitung.tex +++ b/nlsop/diplom/einleitung.tex @@ -1,11 +1,27 @@ \chapter{Einleitung} -Die Ionenimplantation ...\\ +Bei der Ionenimplantation werden Atome oder Molek"ule ionisiert, in einem elektrostatischen Feld beschleunigt und in einen Festk"orper geschossen. +Dabei sind beliebige Ion-Target-Kombinationen m"oglich. +Die Beschleunigungsenergie kann zwischen einigen Kiloelektronenvolt und einigen Millionen Elektronenvolt liegen. +Neben der Energie bestimmt die Masse der Ionen und die Masse der Atome des Festk"orpers die Eindringtiefe der Ionen. + +Die Ionenimplantation erm"oglicht so die Modifikation oberfl"achennaher Schichten des Festk"orpers. +In der Halbleiterindustrie ist sie schon lang ein bew"ahrtes Mittel zur Dotierung von Halbleiterkristallen. +Die Ionenimplantation ist prinzipiell unabh"angig von chemischen L"oslichkeitsgrenzen und der Implantationstemperatur. +Ihre technologischen Vorz"uge sind: +\begin{itemize} + \item Schnelligkeit + \item Homogenit"at + \item Reproduzierbarkeit + \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge \\ + (durch einfache Stromintegration) +\end{itemize} Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende Nano- und Mikrostruktur weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann. Eine der un"ublichsten Antworten des Systems auf die "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Nano- und Mikrostruktur zu periodisch angeordneten zwei- oder drei-dimensionalen Gebilden. -Bei Untersuchungen von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{herstellung_sic_schicht}, fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht begleitet von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache. +Bei Untersuchungen von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{herstellung_sic_schicht},\\ +fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht begleitet von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache. Diese Ausscheidungen sind regelm"a"sig angeordnet. Es handelt sich um einen Selbstorganisationsprozess. Ein Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorgangs ist in \cite{chef_habil} vorgestellt.