From 09a105840041c09f1d9bf37431a5acd21367624d Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: hackbard <hackbard>
Date: Wed, 15 Jun 2005 14:12:24 +0000
Subject: [PATCH] first part of model

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@@ -13,7 +13,7 @@
 
 \usepackage{./graphs}
 
-\hyphenation{kris-tallin-en Kohlen-stoff-über-sättigung Selbstorganisationsprozesses}
+\hyphenation{kris-tallin-en Kohlen-stoff-über-sättigung Selbstorganisationsprozesses kohlen-stoff-in-du-zierte}
 
 % wer macht was? immer wichtig, auch wenn \maketitle versagt ... ;)
 \author{Frank Zirkelbach}
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index 434cdaa..a859c93 100644
--- a/nlsop/diplom/literatur.tex
+++ b/nlsop/diplom/literatur.tex
@@ -15,4 +15,7 @@
   \bibitem{snead} L. L. Snead, S. J. Zinkle, J. C. Hay, M. C. Osborne. Nucl. Instr. and Meth. B 141 (1998) 123.
   \bibitem{van_ommen} A. H. van Ommen. Nucl. Instr. and Meth. B 39 (1989) 194.
   \bibitem{ishimaru} M. Ishimaru,  R. M. Dickerson, K. E. Sickafus, Nucl. Instr. and Meth. B 166-167 (2000) 390.
+  \bibitem{lindner_appl_phys} J. K. N. Lindner. Appl. Phys. A 77 (2003) 27-38.
+  \bibitem{linnross} J. Linnross, R. G. Elliman, W. L. Brown. J. Matter. Res. 3 (1988) 1208.
+  \bibitem{taylor} W. J. Taylor, T. Y. Tan, U. G"osele. Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 3336.
 \end{thebibliography}
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index 48e7e70..a57fdfc 100644
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@@ -23,6 +23,7 @@
   
 
   Neben Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch in Hochdosis-Sauerstoffimplantation in Silizium, $Ar^+$ in $Al_2O_3$ und $Si^+$ in $SiC$ \cite{snead,van_ommen,ishimaru} gefunden.
+  Entscheidend ist eine Dichtereduktion des Materialsystems bei Amorphisierung, worauf im n"achsten Abschnitt eingegangen wird.
 
   \section{Formulierung des Modells}
 
@@ -35,6 +36,14 @@
   \label{img:modell}
   \end{figure}
 
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+  Die Implantation unter den oben genannten Bedingungen f"uhrt bei sehr hohen Dosen zur Bildung einer amorphen Phase.
+  Auf Grund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoff Ionen im Silizium ist bei den gegebenen Temperaturen keine Amorphisierung zu erwarten \cite{lindner_appl_phys}.
+  Tats"achlich wurde in \cite{linnross} gezeigt, dass reines amorphes Silizium bei Temperaturen "uber $130 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ ionenstrahl-induziert epitaktisch rekristallisiert.
+  Die Amorphisierung bei den gegebenen Temperaturen muss also dem Vorhandensein von Kohlenstoff zuzgeschrieben werden, der die amorphe Phase stabilisiert.
+  Die Tatsache, dass die $SiC_x$ -Ausscheidungen in amorpher Form vorliegen, l"asst sich durch den Unterschied in der Gitterkonstante von kristallinen Silizium ($a=5,43 \textrm{\AA}$) und kubischen $3C-SiC$ ($a=4,36 \textrm{\AA}$) erkl"aren.
+  Auf Grund des Unterschiedes von fast $20\%$ in der Gitterkonstante, hat die Nukleation von kubischen Siliziumkarbid in kristallinen Silizium eine hohe Grenzfl"achenenrgie zur Folge, die in \cite{taylor} zu $2-8 \times 10^{-4} J cm^{-2}$ abgesch"atzt wird.
+  Es ist also energetisch g"unstiger, wenn eine der beiden Substanzen in amorpher Form vorliegt.
+  Mit zunehmender Dosis wird also eine S"attigungsgrenze von Kohlenstoff in kristallinen Silizium "uberschritten, was zur Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen f"uhrt.
+  Dieser, zur Amorphisierung beitragende Mechanismus, wird im Folgenden als kohlenstoffinduzierte Amorphisierung bezeichnet.
 
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2.20.1