From 47102b7367b8f1fb052748e3721d28addaecaed7 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: hackbard Date: Sun, 29 Feb 2004 18:19:17 +0000 Subject: [PATCH] bsi ergebnisse... --- nlsop/nlsop_dpg_2004.tex | 160 +++++++++++++++++++++++++++++++++++++-- 1 file changed, 152 insertions(+), 8 deletions(-) diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex index 9677df6..cabbebd 100644 --- a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex +++ b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex @@ -25,27 +25,171 @@ \input{seminar.bug} % Official bugs corrections \input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections -\author{F. Zirkelbach, M. Haeberlen, J. K. N. Lindner \\ und B. Stritzker} -\title{Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation amorpher nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in Silizium waehrend $C^+$-Ionen-Implantation} +\def\uni-header{% +\ptsize{8}% + \begin{figure}[t]% + \begin{center} + \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}% + \hspace{1in}% + \includegraphics[height=1cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}% + %\hspace{3in}% + %\includegraphics[height=1cm]{uni-logo.eps}% + \end{center} + \end{figure}} \begin{document} -\extraslideheight{5in} +\extraslideheight{10in} \begin{slide} -\maketitle +\begin{figure}[t] + \begin{center} + \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps} + \\ + \includegraphics[height=2cm]{Lehrstuhl-Logo.eps} + \end{center} +\end{figure} +\begin{center} + \large\bf + Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation amorpher nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in Silizium w"ahrend $C^+$-Ionen-Implantation +\end{center} +\begin{center} + F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker +\end{center} \end{slide} \begin{slide} -\includegraphics[width=10cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps} +\uni-header +\begin{figure} + \begin{center} + \includegraphics[width=08cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps} + \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ implantierten Probe} + \end{center} +\end{figure} \end{slide} \begin{slide} -\part{Modell} +\uni-header +\section*{Modell} \begin{itemize} - \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph - \item $20-30%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ $\rightarrow$ + \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung + \item d"unnes Target $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung + \item Kohlenstoff"ubers"attigung $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete \end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Modell} +\begin{figure}[t] + \begin{center} + \includegraphics[width=6cm]{model1_.eps} + \caption{Modell zur Entstehung und Selbstordnung lamellarer Strukturen} + \end{center} +\end{figure} +\begin{itemize} + \item kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \item spannungsinduzierte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen + \item Bildung kohelnstoffreicher amorpher lamellarer Ausscheidungen +\end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Annahmen} +\begin{figure} + \begin{center} + \includegraphics[width=5cm]{implsim_.eps} + \caption{Tiefenabh"angiges Implantationsprofil und Energieversluste (\emph{TRIM})} + \end{center} +\end{figure} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Annahmen} +\begin{itemize} + \item Strahlensch"adigung $\simeq$ nukleare Bremskraft (linear gen"ahert) + \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\simeq$ Druckspannungen + \item lineare N"aherung des Implantationsprofils +\end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Simulation} +\begin{itemize} + \item Unterteilung des Silizium-Targets in Zellen ($x=50$, $y=50$, $z=100$) + \item Zelle enth"alt folgende Eigenschaften/Informationen: + \begin{itemize} + \item Kantenl"ange $3nm$ (Simulationsfenster ist $300nm$ tief bei $100$ Zellen) + \item Zustand: amorph/kristallin + \item Kohlenstoffkonzentration + \end{itemize} + \end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Simulation} +Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: +\begin{enumerate} + \item Amorphisierung/Rekristallisation + \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target + \item Diffusionsprozess +\end{enumerate} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation} +\begin{itemize} + \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess + \item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit: + \[ + \begin{array}{ll} + p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohelstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\ + p_{a \rightarrow c} & =1-p_{c \rightarrow a} + \end{array} + \] + $a_{cp}$ beschreibt kohlenstoffinduzierte Amorphisierung\\ + $b_{ap}$ beschreibt ballistische Amorphisierung\\ + $a_{ap}$ beschreibt spannungsinduzierte Amorphisierung + \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl +\end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Simulation(2/3) - \\ Einbau des implantierten Kohlenstoffions} +\begin{itemize} + \item $\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} \times c_{ratio}$ + \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung +\end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Simulation(3/3) - Diffusion} +Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt. +\begin{itemize} + \item rein kristalline Diffusion: + \[ + \Delta c = \frac{\textrm{Differenz}}{2} \times dr_{ac} + \] + \item Diffusion von kristalline in amorphe Gebiete: + \[ + \Delta c = c_C(Nachbar) \times dr_{cc} + \] +\end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Ergebnisse} + +\end{slide} \end{document} -- 2.20.1