From 814254a78e152b6f02234baef4e2333c61ecbb69 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: hackbard Date: Wed, 19 Nov 2008 21:50:28 +0100 Subject: [PATCH] finished high temp tries --- posic/talks/seminar_2008.tex | 193 +++++++++++++++++++++++++++++++---- 1 file changed, 172 insertions(+), 21 deletions(-) diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex index 6956030..737a7ce 100644 --- a/posic/talks/seminar_2008.tex +++ b/posic/talks/seminar_2008.tex @@ -245,7 +245,7 @@ {\color{blue} \begin{center} - Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\ + Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorgangs\\ $\Downarrow$\\ Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung \end{center} @@ -671,7 +671,7 @@ bei konstanter Temperatur \begin{itemize} \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}} - \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}} + \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}} \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}} \end{itemize} }}}} @@ -682,8 +682,11 @@ \ncline[]{->}{init}{insert} \ncline[]{->}{insert}{cool} \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8) + \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$} \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3) + \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$} \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05) + \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$} \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}} \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}} \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}} @@ -740,44 +743,192 @@ \footnotesize \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}: - 100 Dumbbell-Konfiguration + 100 Dumbbell-Konfiguration\\ + dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\ + Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\ + erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\ + $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\ + \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\ + Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\ + Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\ + $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\ + $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC + + \begin{picture}(0,0)(-230,-15) + \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps} + \end{picture} + \begin{picture}(0,0)(-240,-5) + \begin{minipage}{5cm} + {\scriptsize + PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt] + F. Gao und W. J. Weber + } + \end{minipage} + \end{picture} + +\end{slide} + + \begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + \footnotesize + + Zusammenfassung und Problemstellung: \begin{itemize} - \item dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm - \item Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm - \item erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien) + \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen + \item C-Konzentration niedrig: + \begin{itemize} + \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\ + (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen) + \item keine Anh"aufung zu Embryos + \end{itemize} + \item C-Konzentration hoch: + \begin{itemize} + \item Ausbildung von C-C Bindungen + (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung) + \item amorphes SiC + (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen + Wert der Dosis) + \end{itemize} \end{itemize} - $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand - \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}: + \vspace{0.2cm} + {\color{blue} Ziel:} + \underline{ + Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm] + Ans"atze:\\[0.2cm] + \begin{minipage}{7.5cm} \begin{itemize} - \item High amount of damage introduced into the system - \item Short range order observed but almost no long range order + \item H"ohere Temperaturen + \begin{itemize} + \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher + \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\ + Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten + \end{itemize} + \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs + \begin{itemize} + \item minimaler Abstand + \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate) + \end{itemize} \end{itemize} - $\Rightarrow$ Start of amorphous SiC-like phase formation\\ - $\Rightarrow$ Higher temperatures required for proper SiC formation + \end{minipage} + \begin{minipage}{5.1cm} + \begin{itemize} + \item Modifikation der\\ + Kraft/Potentialberechnung + \begin{itemize} + \item C-C cut-off erh"ohen + \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft + weglassen + \\\\ + \end{itemize} + \end{itemize} + \end{minipage} \end{slide} \begin{slide} {\large\bf - Very first results of the SiC precipitation runs + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang } - \begin{minipage}[t]{6.9cm} - \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/sic_pc.ps} - \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/foo_end.ps} - \hspace{12pt} - \end{minipage} - \begin{minipage}[c]{5.5cm} - \includegraphics[width=6.0cm]{sic_si-c-n.eps} + H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\ + \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps} + \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps} + \small + \begin{minipage}{6.5cm} + \[ + \text{\scriptsize Quality} + = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}} + {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}} + \] + \\ + \underline{Si-C PCF}:\\ + cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\ + $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks + $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm] + {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht} \end{minipage} + \begin{picture}(0,0)(-175,-2) + \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps} + \end{picture} + \begin{picture}(0,0)(-278,16) + \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps} + \end{picture} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\ + \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps} + \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps} + \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps} + \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm] + \begin{itemize} + \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$ + \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$ + \item Temperatur f"ur 100 ps halten + \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$ + \end{itemize} + \vspace{0.2cm} + \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps} + \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + Modifikation der Kraft/Potentialberechnung + \end{slide} \begin{slide} {\large\bf - Summary / Outlook + Zusammenfassung / Ausblick } \vspace{24pt} -- 2.20.1