From 93e5044e60609e3606f41faf40c0ddddba3635b6 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: hackbard Date: Wed, 3 Mar 2004 09:43:17 +0000 Subject: [PATCH] bullshit changes --- nlsop/nlsop_dpg_2004.tex | 75 ++++++++++------------------------------ 1 file changed, 18 insertions(+), 57 deletions(-) diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex index c3ab622..922341d 100644 --- a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex +++ b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex @@ -25,21 +25,12 @@ \input{seminar.bug} % Official bugs corrections \input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections -\def\uni-header{% -\ptsize{8}% - \begin{figure}[t]% - \begin{center} - \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}% - \hspace{1in}% - \includegraphics[height=1cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}% - %\hspace{3in}% - %\includegraphics[height=1cm]{uni-logo.eps}% - \end{center} - \end{figure}} - \begin{document} \extraslideheight{10in} +\slideframe{none} + +% topic \begin{slide} \begin{figure}[t] @@ -58,67 +49,47 @@ \end{center} \end{slide} +% start of content +\ptsize{8} + \begin{slide} -\uni-header +\section*{Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen} \begin{figure} \begin{center} \includegraphics[width=08cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps} - \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ implantierten Probe} + Hellfeld-TEM-Abbildung, $180 keV \quad C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$ \end{center} \end{figure} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header -\section*{Modell} -\begin{itemize} - \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium \\ $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen - \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph - \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung - \item d"unnes Target \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung - \item Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete -\end{itemize} -\end{slide} - -\begin{slide} -\uni-header \section*{Modell} \begin{figure}[t] \begin{center} - \includegraphics[width=6cm]{model1_.eps} - \caption{Modell zur Entstehung und Selbstordnung lamellarer Strukturen} + \includegraphics[width=6cm]{model1_german.eps} \end{center} \end{figure} \begin{itemize} - \item kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen - \item spannungsinduzierte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen - \item Bildung kohlenstoffreicher amorpher lamellarer Ausscheidungen + \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph + \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung + \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung + \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete + \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen \end{itemize} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header -\section*{Annahmen} +\section*{Annahmen/N"aherungen} \begin{figure} \begin{center} - \includegraphics[width=5cm]{implsim_.eps} - \caption{Tiefenabh"angiges Implantationsprofil und Energieversluste (\emph{TRIM})} + \includegraphics[width=5cm]{implsim_new.eps} + \emph{TRIM}-Implantationsprofil und Energieversluste \end{center} \end{figure} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header -\section*{Annahmen} -\begin{itemize} - \item Strahlensch"adigung $\simeq$ nukleare Bremskraft (linear gen"ahert) - \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\simeq$ Druckspannungen - \item lineare N"aherung des Implantationsprofils -\end{itemize} -\end{slide} - -\begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation} \begin{itemize} \item Unterteilung des Silizium-Targets in Zellen ($x=50$, $y=50$, $z=100$) @@ -132,7 +103,6 @@ \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation} Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \begin{enumerate} @@ -143,7 +113,6 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation} \begin{itemize} \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess @@ -162,7 +131,6 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation(2/3) - \\ Einbau des implantierten Kohlenstoffions} \begin{itemize} \item $\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} \times c_{ratio}$ @@ -171,7 +139,6 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation(3/3) - Diffusion} Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt. \begin{itemize} @@ -187,7 +154,6 @@ Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt. \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} variierte Parameter: \begin{itemize} @@ -200,7 +166,6 @@ variierte Parameter: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen: \begin{itemize} @@ -217,7 +182,6 @@ Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen \begin{figure}[h] @@ -230,7 +194,6 @@ Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen i \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lamellare Ordnung auftritt \begin{figure}[h] @@ -243,7 +206,6 @@ Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lame \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} Beste "Ubereinstimmung mit TEM-Aufnahme: \begin{figure}[t] @@ -256,7 +218,6 @@ Beste "Ubereinstimmung mit TEM-Aufnahme: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ausblick} \begin{itemize} \item mehrere Sto"sprozesse pro Durchlauf $\rightarrow$ Durchlauf entspricht einem implantierten Ion -- 2.20.1