From a401f74cdb53d68fff1f85a0a756322c88680aa6 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: hackbard Date: Thu, 20 Nov 2008 13:30:54 +0100 Subject: [PATCH] final beta --- posic/talks/seminar_2008.tex | 44 ++++++++++++++++++++++++++++++------ 1 file changed, 37 insertions(+), 7 deletions(-) diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex index 19dad6b..3f564d1 100644 --- a/posic/talks/seminar_2008.tex +++ b/posic/talks/seminar_2008.tex @@ -156,17 +156,18 @@ \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar - \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik + \item Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) \end{itemize} } - \begin{picture}(0,0)(-280,-150) - %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps} + \begin{picture}(0,0)(-255,-125) + \includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps} \end{picture} - - \begin{picture}(0,0)(-280,-20) - %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps} + \begin{picture}(0,0)(-251,-115) + \begin{minipage}{4cm} + {\tiny DLR ISE: Inverter, $E=98.5\%$} + \end{minipage} \end{picture} \end{slide} @@ -950,6 +951,33 @@ SiC-Ausscheidungen in Si } + \begin{itemize} + \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC + \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb + \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps + \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle + ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$) + \end{itemize} + + \vspace*{0.1cm} + + Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\ + Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$} + + \vspace*{0.2cm} + + \begin{minipage}{5cm} + Initial Konfiguration\\ + \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{1cm} + $\rightarrow$\\ + \end{minipage} + \begin{minipage}{6cm} + Relaxierte Konfiguration\\ + \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps} + \end{minipage} + \end{slide} @@ -972,7 +1000,7 @@ \begin{itemize} \item Zwischengitterkonfigurationen \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen - \item Untersuchungen zu selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si + \item Untersuchungen an selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si \end{itemize} \vspace{24pt} @@ -980,7 +1008,9 @@ \begin{itemize} \item Neue Versuche, neue Kombinationen \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle + \item TAD \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff) + \item Weitere Untersuchungen an selbst konstruierten Ausscheidungen \end{itemize} \end{slide} -- 2.20.1