From b03a2b39f910bd0c15c85935cb6288906d8ccfe1 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: hackbard Date: Mon, 18 Jul 2005 02:07:50 +0000 Subject: [PATCH] more ergebnisse + danksagung --- nlsop/diplom/danksagung.tex | 16 ++++++++++++++++ nlsop/diplom/ergebnisse.tex | 13 ++++++++++--- 2 files changed, 26 insertions(+), 3 deletions(-) diff --git a/nlsop/diplom/danksagung.tex b/nlsop/diplom/danksagung.tex index aa9014f..3826442 100644 --- a/nlsop/diplom/danksagung.tex +++ b/nlsop/diplom/danksagung.tex @@ -1,2 +1,18 @@ \chapter*{Danksagung} \addcontentsline{toc}{chapter}{Danksagung} + +Hiermit m"oche ich mich bei allen bedanken, die in irgend einer Form zum Gelingen dieser Diplomarbeit beigetragen haben. +Insbesondere gilt meinem Dank + +\begin{itemize} + \item \emph{Herrn Prof. Dr. Bernd Stritzker} f"ur die M"oglichkeit diese Arbeit an seinem Lehrstuhl durchf"uhren zu k"onnen, + \item \emph{Herrn Priv.-Doz. Dr. habil. Volker Eyert} f"ur die Bereitschaft sich dieser Arbeit als Zweitkorrektor anzunehmen, + \item \emph{Herrn Priv.-Doz. Dr. habil. J"org K. N. Lindner} f"ur die Vergabe des interessanten Themas, die engagierte Betreuung und Unterst"utzung, sowie die Durchsicht dieses Skripts, + \item \emph{Herrn Dipl.-Phys. Maik H"aberlen} f"u die Betreuung und vorallem den Ansto"s zu diesem Thema, und + \item \emph{Herrn Dipl.-Phys. Ralf Utermann f"ur einen tempor"aren Zugang zum Rechencluster des Physik Instituts.} + +Allen weiteren Mitarbeitern des Lehrstuhls, insbesondere dem Diplomandenzimmer danke ich recht herzlich f"ur die freundschaftliche Arbeitsatmosph"are. + +Ein ganz besonderer Dank gilt meinen Eltern Wilfriede und Karl ohne deren Unterst"utzung das Studium nicht m"oglich gewesen w"are. + +\end{itemize} diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex index a831d01..989c976 100644 --- a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex +++ b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex @@ -373,12 +373,19 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis EDIT: einfluss diffusion -> lamellarisierung - \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch zweiten Implantationsschritt} + \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch einen zweiten Implantationsschritt} Im Folgenden soll ein Mechanismus zur Erzeugung grosser lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt vorhergesagt werden. + Als Grundlage dient ein Silizium Target, dass wie bisher mit $180 keV$ $C^{+}$ beschossen wird. Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein. Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein. Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen. - - + + Das kristalline Target wird dann mit $10 MeV$ $C^{+}$ bei der gewohnten Implantationstemperatur von $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ implantiert. + Abbildung \ref{img:nel_impl_1mev} zeigt das durch {/em TRIM} ermittelte nukleare Bremskraft- und Implantationsprofil. + Auf Grund der hohen Energie wird kaum noch Kohlenstoff in den bisher relevanten Tiefenbereich zur Ruhe kommen. + Des weiteren ist in diesen Bereich die nukleare Bremskraft, und damit die Wahrscheinlichkeit eines Sto"ses, ann"ahernd konstant. + Man erwartet schnelle Amoprhisierung auf Grund des bereits existierenden Kohlenstoffs durch die erste Implantation. + + -- 2.20.1