From c8a3c64bf0fd14249677ee9b266ff6a19dbd6c7c Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: hackbard Date: Mon, 17 Nov 2008 00:24:55 +0100 Subject: [PATCH] finished ibs --- posic/talks/seminar_2008.tex | 34 ++++++++++++++-------------------- 1 file changed, 14 insertions(+), 20 deletions(-) diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex index d370071..d5ea0ee 100644 --- a/posic/talks/seminar_2008.tex +++ b/posic/talks/seminar_2008.tex @@ -277,38 +277,28 @@ \item Implantation 1: 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, - $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$ - \begin{center} - $\Downarrow$\\ + $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\ epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen - in kastenf"ormigen Bereich, + in kastenf"ormigen Bereich,\\ eingeschlossen in a-Si:C - \end{center} \item Implantation 2: 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, - $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$ - \begin{center} - $\Downarrow$\\ + $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\ Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten - \end{center} - \item Tempen: - $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$ - \begin{center} - $\Downarrow$\\ + \item Tempern: + $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\ Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit scharfen Grenzfl"achen - \end{center} \end{itemize} - - - \begin{minipage}{5.9cm} - \includegraphics[width=6cm]{ibs_3c-sic.eps} + + \begin{minipage}{6.3cm} + \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps} \end{minipage} - \hspace*{0.3cm} + \hspace*{0.2cm} \begin{minipage}{6.5cm} - \vspace*{0.5cm} + \vspace*{2.3cm} {\scriptsize Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen 3C-SiC-Schicht.\\ @@ -317,6 +307,10 @@ } \end{minipage} + \vspace{0.2cm} + + Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur + } \end{slide} -- 2.20.1