From fa306d8111afa35d99d7a0719eb627b976a19037 Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: hackbard <hackbard>
Date: Tue, 1 Mar 2005 14:31:10 +0000
Subject: [PATCH] hopefully dpg2005 release!

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 nlsop/nlsop_dpg_2005.tex | 23 ++++++++++-------------
 1 file changed, 10 insertions(+), 13 deletions(-)

diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex
index d460192..5366998 100644
--- a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex
+++ b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex
@@ -63,16 +63,13 @@
 {\large\bf
  "Uberblick
 }
+\begin{picture}(300,30)
+\end{picture}
 \begin{itemize}
- \item TEM-Aufnahme selbstorganisierter $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item selbstorganisierte $SiC_x$-Ausscheidungen
  \item Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsprozesses
  \item Umsetzung des Modells in eine Monte-Carlo-Simulation
- \item Ergebnisse
-  \begin{itemize}
-   \item Einfluss der Diffusion
-   \item Vergleich von Simulationsergebnissen mit TEM-Aufnahmen
-   \item Reproduzierbarkeit der Dosisentwicklung
-  \end{itemize}
+ \item Vergleich von Simulationsergebnissen mit experimentellen Befunden
  \item Zusammenfassung
 \end{itemize}
 \end{slide}
@@ -100,12 +97,12 @@
 \end{figure}
  \scriptsize
 \begin{itemize}
- \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
- \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
- \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
- \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
- \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
+ \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
+ \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ {\bf Druckspannungen} auf Umgebung
+ \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ {\bf Relaxation} der Druckspannung in $ {\bf z}$-{\bf Richtung}
+ \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
+ \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ {\bf bevorzugte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
 \end{itemize}
 \end{slide}
 
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2.20.1