]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/blob - bibdb/bibdb.bib
5f4379da69346bbd9fcecf48793574b65c44bdf3
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
1 %
2 % bibliography database
3 %
4
5 % molecular dynamics: basics / potential
6
7 @article{albe_sic_pot,
8   author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
9   title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
10            and silicon carbide},
11   publisher = {APS},
12   year = {2005},
13   journal = {Phys. Rev. B},
14   volume = {71},
15   number = {3},
16   eid = {035211},
17   numpages = {14},
18   pages = {035211},
19   notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)},
20   keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
21               wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
22               point defects; crystallographic shear; atomic forces},
23   url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
24   doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
25 }
26
27 @Article{albe2002,
28   title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
29            Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
30   author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
31   journal = {Phys. Rev. B},
32   volume = {65},
33   number = {19},
34   pages = {195124},
35   numpages = {11},
36   year = {2002},
37   month = {May},
38   doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
39   publisher = {American Physical Society},
40   notes = {derivation of albe bond order formalism},
41 }
42
43 @Article{koster2002,
44   title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
45   author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
46   journal = {Phys. Rev. B},
47   volume = {62},
48   number = {16},
49   pages = {11219--11224},
50   numpages = {5},
51   year = {2000},
52   month = {Oct},
53   doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
54   publisher = {American Physical Society},
55   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
56 }
57
58 @Article{breadmore99,
59   title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
60            and amorphization of silicon},
61   author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
62   journal = {Phys. Rev. B},
63   volume = {60},
64   number = {18},
65   pages = {12610--12616},
66   numpages = {6},
67   year = {1999},
68   month = {Nov},
69   doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
70   publisher = {American Physical Society},
71   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
72 }
73
74 % molecular dynamics: applications
75
76 @Article{batra87,
77   title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
78   author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
79   journal = {Phys. Rev. B},
80   volume = {35},
81   number = {18},
82   pages = {9552--9558},
83   numpages = {6},
84   year = {1987},
85   month = {Jun},
86   doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
87   publisher = {American Physical Society},
88   notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
89            calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
90 }
91
92 @Article{schober89,
93   title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
94   author = {H. R. Schober},
95   journal = {Phys. Rev. B},
96   volume = {39},
97   number = {17},
98   pages = {13013--13015},
99   numpages = {2},
100   year = {1989},
101   month = {Jun},
102   doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
103   publisher = {American Physical Society},
104   notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
105            configuration}
106 }
107
108 % tight binding
109
110 @Article{tang97,
111   title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
112            Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion,
113            interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
114   author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
115   journal = {Phys. Rev. B},
116   volume = {55},
117   number = {21},
118   pages = {14279--14289},
119   numpages = {10},
120   year = {1997},
121   month = {Jun},
122   doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
123   publisher = {American Physical Society},
124   notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
125 }
126
127 @Article{tang97,
128   title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon},
129   author = {L. Colombo},
130   journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
131   volume = {32},
132   pages = {271--295},
133   numpages = {25},
134   year = {2002},
135   doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
136   publisher = {Annual Reviews},
137   notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
138 }
139
140 % mixed
141
142 @Article{gao2001,
143   title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
144            in $3C-SiC$ },
145   author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
146   journal = {Phys. Rev. B},
147   volume = {64},
148   number = {24},
149   pages = {245208},
150   numpages = {7},
151   year = {2001},
152   month = {Dec},
153   doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
154   publisher = {American Physical Society},
155   notes = {defects in 3c-sic}
156 }
157
158 % ab initio
159
160 @Article{leung99,
161   title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
162   author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
163             Itoh, S.  and Ihara, S. },
164   journal = {Phys. Rev. Lett.},
165   volume = {83},
166   number = {12},
167   pages = {2351--2354},
168   numpages = {3},
169   year = {1999},
170   month = {Sep},
171   doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
172   publisher = {American Physical Society},
173   notes = {nice images of the defects}
174 }
175
176 @Article{PhysRevB.50.7439,
177   title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
178            in silicon},
179   author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
180   journal = {Phys. Rev. B},
181   volume = {50},
182   number = {11},
183   pages = {7439--7442},
184   numpages = {3},
185   year = {1994},
186   month = {Sep},
187   doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
188   publisher = {American Physical Society},
189   notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
190 }
191
192 % experimental stuff
193
194 @Article{watkins76,
195   title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
196   author = {Watkins, G. D. and Brower, K. L.},
197   journal = {Phys. Rev. Lett.},
198   volume = {36},
199   number = {22},
200   pages = {1329--1332},
201   numpages = {3},
202   year = {1976},
203   month = {May},
204   doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
205   publisher = {American Physical Society},
206   notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
207 }
208
209 @Article{PhysRevB.42.5759,
210   title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
211   author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
212   journal = {Phys. Rev. B},
213   volume = {42},
214   number = {9},
215   pages = {5759--5764},
216   numpages = {5},
217   year = {1990},
218   month = {Sep},
219   doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
220   publisher = {American Physical Society}
221 }
222
223 % my own publications
224
225 @article{zirkelbach2007,
226   title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
227            leading to ordered precipitate structures},
228   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
229   journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
230   volume = {257},
231   number = {1--2},
232   pages = {75--79},
233   numpages = {5},
234   year = {2007},
235   month = {Apr},
236   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
237   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
238 }
239
240 @article{zirkelbach2006,
241   title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
242            amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
243   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
244   journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
245   volume = {242},
246   number = {1--2},
247   pages = {679--682},
248   numpages = {4},
249   year = {2006},
250   month = {Jan},
251   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
252   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
253 }
254
255 @article{zirkelbach2005,
256   title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
257            of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
258   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
259   journal = {Comp. Mater. Sci.},
260   volume = {33},
261   number = {1--3},
262   pages = {310--316},
263   numpages = {7},
264   year = {2005},
265   month = {Apr},
266   doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
267   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
268 }
269