]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/blob - nlsop/nlsop_helsinki.tex
mbe started
[lectures/latex.git] / nlsop / nlsop_helsinki.tex
1 \documentclass[semhelv]{seminar}
2
3 \usepackage{verbatim}
4 \usepackage[german]{babel}
5 \usepackage[latin1]{inputenc}
6 \usepackage[T1]{fontenc}
7 \usepackage{amsmath}
8 \usepackage{ae}
9
10 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
11 \usepackage[hang]{caption2}     % Improved captions
12 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
13
14 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
15 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
16 \usepackage{pstcol}             % PSTricks with the standard color package
17
18 \usepackage{graphicx}
19 \graphicspath{{./img/}}
20
21 \usepackage{semcolor}
22 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
23 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
24
25 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
26 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
27
28 \articlemag{1}
29
30 \begin{document}
31
32 \extraslideheight{10in}
33 \slideframe{none}
34
35 \def\slideleftmargin{.0in}
36 \def\sliderightmargin{0in}
37 \def\slidetopmargin{0in}
38 \def\slidebottommargin{.2in} % fucking slide number gone now :)
39
40 % topic
41
42 \begin{slide}
43 \begin{figure}[t]
44  \begin{center}
45   \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}
46   \\
47   \includegraphics[height=2cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}
48  \end{center}
49 \end{figure}
50 \begin{center}
51  \large\bf
52  Monte Carlo simulation study of a selforganization process leading
53  to ordered precipitate structures
54 \end{center}
55 \begin{center}
56  F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker
57 \end{center}
58 \end{slide}
59
60 % start of content
61 \ptsize{8}
62
63 \begin{slide}
64 {\large\bf
65  Outline
66 }
67 \begin{picture}(300,30)
68 \end{picture}
69 \begin{itemize}
70  \item Cross-section TEM: selforganized $SiC_x$-precipitates
71  \item Model describing the selforganization process
72  \item Monte Carlo simulation
73  \item Comparison of experiment and simulation
74  \item Recipe for thick films of ordered laemllae
75  \item Summary
76 \end{itemize}
77 \end{slide}
78
79 \begin{slide}
80 {\large\bf
81  Cross-Section TEM image showing selforganized amorphous lamellar inclusions
82 }
83 \begin{figure}
84  \begin{center}
85   \includegraphics[width=10cm]{k393abild1_e.eps}
86   $180 keV \textrm{ } C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$
87  \end{center}
88 \end{figure}
89 \end{slide}
90
91 \begin{slide}
92 {\large\bf
93  Model
94 }
95 \begin{figure}
96  \begin{center}
97   \includegraphics[width=8cm]{modell_ng_e.eps}
98  \end{center}
99 \end{figure}
100  \scriptsize
101 \begin{itemize}
102  \item Supersaturation of $C$ in $c-Si$ \\
103        $\rightarrow$ {\bf Carbon induced} nucleation of spherical $SiC_x$-precipitates
104  \item High interfacial energy between $3C-SiC$ and $c-Si$\\
105        $\rightarrow$ {\bf Amorphous} precipitates
106  \item $20 - 30\,\%$ lower silicon density of $a-SiC_x$ compared to $c-Si$\\
107        $\rightarrow$ {\bf Lateral strain} (black arrows)
108  \item Implantation range near surface\\
109        $\rightarrow$ {\bf Relaxation} of {\bf vertical strain component}
110  \item Reduction of the carbon supersaturation in $c-Si$\\
111        $\rightarrow$ {\bf Carbon diffusion} into amorphous volumina (white arrows)
112  \item Remaining lateral strain\\
113        $\rightarrow$ {\bf Strain enhanced} lateral amorphization
114  \item Absence of crystalline neighbours (structural information)\\
115        $\rightarrow$ {\bf Stabilization} of amorphous inclusions {\bf against recrystallization}
116 \end{itemize}
117 \end{slide}
118
119 \begin{slide}
120 {\large\bf
121  Simulation\\
122 }
123 \\
124 {\bf Discretization of the target}
125 \begin{center}
126   \includegraphics[width=8cm]{gitter_e.eps}
127 \end{center}
128 \begin{itemize}
129   \item divided into cells with a cube length of $3 \, nm$
130   \item periodic boundary conditions in $x$,$y$-direction
131 \end{itemize}
132 \end{slide}
133
134 \begin{slide}
135 {\large\bf
136  Simulation\\
137 }
138 {\bf TRIM collision statistics}
139 \begin{center}
140   \includegraphics[width=8cm]{trim_coll_e.eps}
141 \end{center}
142 \begin{itemize}
143   \item identical depth profiles for
144         number of
145         collisions per depth and nuclear stopping power
146   \item mean constant energy loss per
147         collision
148 \end{itemize}
149 \end{slide}
150
151 \begin{slide}
152 {\large\bf
153  Simulation algorithm\\
154 }
155 \\
156 The simulation algorithm consists of the following three parts looped 
157 $s$ times corresponding to a dose $D=s/(64\times64\times(3 \, nm)^2)$:\\
158 \begin{itemize}
159   \item Amorphization / Recrystallization
160   \item Carbon incorporation
161   \item Diffusion / Sputtering
162 \end{itemize}
163 \end{slide}
164
165 \begin{slide}
166 {\large\bf
167  Amorphization / Recrystallization \\
168 }
169 \begin{itemize}
170   \item random numbers distributed according to the nuclear energy loss\\
171         $\rightarrow$ determine the volume in which a collision occurs
172   \item compute local probability for amorphization / recyrstallization
173   \item let another random number decide ...
174 \end{itemize}
175 \vspace{12pt}
176 \[
177   \displaystyle p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} \qquad + \qquad \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Carbon}(\vec r)} \qquad + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphous \, neighbours} \frac{p_{s} \, c_{Carbon}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}} \\
178 \]
179 \begin{picture}(70,15)(-10,0)
180  \bf \textcolor[rgb]{0,1,1}{normal (ballistic)}
181 \end{picture}
182 \begin{picture}(100,15)(-15,0)
183  \bf \textcolor{red}{carbon inuced}
184 \end{picture}
185 \begin{picture}(120,15)(-40,0)
186  \bf \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{stress enhanced}
187 \end{picture}
188 \begin{picture}(300,40)
189 $
190   p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \displaystyle \Big( 1 - \frac{\sum_{direct\, neighbours} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{, }
191 $
192 \end{picture}
193 \vspace{6pt}
194 \begin{displaymath}
195  \delta (\vec r) = \left\{ \begin{array}{ll}
196   1 & \textrm{if volume $\vec r$ is amorphous} \\
197   0 & \textrm{else} \\
198  \end{array} \right.
199 \end{displaymath}
200 \end{slide}
201
202 \begin{slide}
203 {\large\bf
204  Carbon incorporation
205 }
206 \begin{itemize}
207    \item random numbers distributed according to
208          the implantation profile to determine the
209          incorporation volume
210    \item increase the amount of carbon atoms in
211          that volume
212 \end{itemize}
213 \begin{picture}(50,20)(0,0)\end{picture}\\
214 {\large\bf
215 Diffusion/Sputtering
216 }
217 \begin{itemize}
218   \item every $d_v$ steps transfer of a fraction $d_r$
219         of carbon atoms from crystalline volumina to
220         an amorphous neighbour volume
221   \item remove $3 \, nm$ surface layer after $n$ loops,
222         shift remaining cells $3 \, nm$ up and insert
223         an empty, crystalline $3 \, nm$ bottom layer
224 \end{itemize}
225 \end{slide}
226
227 \begin{slide}
228 {\large\bf
229  Comparison of experiment and simulation \\
230 }
231 \begin{center}
232   \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng_e_1-2.eps}
233 \end{center}
234 Simulation parameters:\\
235 $p_b=0.01$, $p_c=0.001 \times (3 \, nm)^3$,
236 $p_s=0.0001 \times (3 \, nm)^5$, $d_r=0.05$, $d_v=1 \times 10^6$.
237 \end{slide}
238
239 \begin{slide}
240 {\large\bf
241  Comparison of experiment and simulation \\
242 }
243 \begin{center}
244   \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng_e_2-2.eps}
245 \end{center}
246 Simulation parameters:\\
247 $p_b=0.01$, $p_c=0.001 \times (3 \, nm)^3$,
248 $p_s=0.0001 \times (3 \, nm)^5$, $d_r=0.05$, $d_v=1 \times 10^6$.
249 \end{slide}
250
251 \begin{slide}
252 {\large\bf
253  Conclusion:\\
254 }
255 \begin{itemize}
256   \item Simulation in good agreement with experimentally observed
257         formation and growth of the continuous amorphous layer
258   \item Lamellar precipitates and their evolution at the upper
259         a/c interface with increasing dose is reproduced
260 \end{itemize}
261 \begin{picture}(50,20)(0,0)\end{picture}\\
262 {\bf\color{red} Simulation is able to model the whole
263                 depth region affected by the 
264                 irradiation process}
265 \end{slide}
266
267 \begin{slide}
268 {\large\bf
269  Structural/compositional\\information \\
270 }
271 \begin{itemize}
272   \item Fluctuation of the carbon\\
273         concentration in the region\\
274         of the lamellae
275   \item Saturation limit of carbon\\
276         in c-$Si$ under given\\
277         implantation conditions\\
278         between $8$ and $10 \, at. \%$
279 \end{itemize}
280 \begin{picture}(0,0)(-145,60)
281 \includegraphics[height=8cm=]{ac_cconc_ver2_e.eps}
282 \end{picture}
283 \end{slide}
284
285 \begin{slide}
286 {\large\bf
287  Structural/compositional\\information \\
288 }
289 \begin{itemize}
290   \item Complementarily arranged and\\
291         alternating sequence of layers\\
292         with high and low amount of\\
293         amorphous regions
294   \item Carbon accumulation in the\\
295         amorphous phase
296 \end{itemize}
297 \begin{picture}(0,0)(-155,60)
298 \includegraphics[height=8cm]{97_98_ng_e.eps}
299 \end{picture}
300 \end{slide}
301
302 \begin{slide}
303 {\large\bf
304  Recipe for thick films of ordered lamellae \\
305 }
306 \\
307 Prerequisites:\\
308 Crystalline silicon target with a nearly constant carbon
309 concentration at $10 \, at. \%$ in a $500 \, nm$ thick
310 surface layer   
311 \includegraphics[width=8cm]{multiple_impl_cp_e.eps}
312 \begin{itemize}
313   \item Multiple energy ($180$-$10 \, keV$) $C^+$ $\rightarrow$ $Si$ implantation
314   \item $T_i=500 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, to prevent amorphization
315 \end{itemize}
316 \end{slide}
317
318 \begin{slide}
319 {\large\bf
320  Recipe for thick films of ordered lamellae \\
321 }
322 \\
323 {\bf Stirring up:}
324 $2 \, MeV$ $C^+$ $\rightarrow$ $Si$ irradiation step at
325 $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$
326 \begin{itemize}
327   \item This does not significantly change the carbon
328         concentration in the top $500 \, nm$
329   \item Nearly constant nuclear energy loss in the top $700 \, nm$
330         region
331 \end{itemize}
332 \includegraphics[width=8cm]{multiple_impl_e_ver2.eps}\\
333 {\bf\color{blue} Starting point for materials showing strong photoluminescence}\\
334 {\scriptsize Dihu Chen et al. Opt. Mater. 23 (2003) 65.}
335 \end{slide}
336
337 \begin{slide}
338 {\large\bf
339  Summary
340 }
341 \begin{itemize}
342  \item Observation of selforganized nanometric precipitates by ion irradiation\\
343   $C \rightarrow Si \qquad T_{i}: 150 - 350 \, ^{\circ} \mathrm{C} \qquad D \le 8 \times 10^{17} cm^{-2}$
344  \item Model proposed describing the selforganization process
345  \item Model implemented in a Monte Carlo simulation code
346  \item Modelling of the complete depth region affected by the irradiation process
347  \item Simulation is able to reproduce entire amorphous phase formation
348  \item Precipitation process gets traceable by simulation
349  \item Detailed structural/compositional information available by simulation
350  \item Recipe proposed for the formation of thick films of lamellar structure
351 \end{itemize}
352 \end{slide}
353
354 \begin{slide}
355 {\large\bf
356  Thank you for your attention!\\
357  Thanks for accepting me as a guest!\\
358 }
359 \\
360 \ldots another recipe I propose:\\
361 \begin{itemize}
362   \item {\color{blue} 06 cl vodka}
363   \item {\color{blue} 03 cl peach liqueur}
364   \item {\color{blue} 03 cl amaretto}
365   \item {\color{red} 16 cl black currant juice}
366   \item {\color{red} dash of citron}
367   \item {\color{red} 3-4 ice cubes}
368 \end{itemize}
369 $\Rightarrow$ Killer Cool Aid
370 \end{slide}
371
372 \end{document}