posic/publications/dpg2008_abstract.tex

   1 \pdfoutput=0
   2 \documentclass[a4paper,11pt]{article}
   3 \usepackage[activate]{pdfcprot}
   4 \usepackage{verbatim}
   5 \usepackage{a4}
   6 \usepackage{a4wide}
   7 \usepackage[german]{babel}
   8 \usepackage[latin1]{inputenc}
   9 \usepackage[T1]{fontenc}
  10 \usepackage{amsmath}
  11 \usepackage{ae}
  12 \usepackage{aecompl}
  13 \usepackage[dvips]{graphicx}
  14 \graphicspath{{./img/}}
  15 \usepackage{color}
  16 \usepackage{pstricks}
  17 \usepackage{pst-node}
  18 \usepackage{rotating}
  19
  20 \setlength{\headheight}{0mm} \setlength{\headsep}{0mm}
  21 \setlength{\topskip}{-10mm} \setlength{\textwidth}{17cm}
  22 \setlength{\oddsidemargin}{-10mm}
  23 \setlength{\evensidemargin}{-10mm} \setlength{\topmargin}{-1cm}
  24 \setlength{\textheight}{26cm} \setlength{\headsep}{0cm}
  25
  26 \begin{document}
  27
  28 % header
  29 \begin{center}
  30  {\LARGE {\bf Molecular dynamics simulation study
  31               of the silicon carbide precipitation process}\\}
  32  \vspace{16pt}
  33  \textsc{\Large \underline{F. Zirkelbach}$^1$, J. K. N. Lindner$^1$,
  34          K. Nordlund$^2$, B. Stritzker$^1$}\\
  35  \vspace{16pt}
  36  $^1$ Experimentalphysik IV, Institut f"ur Physik, Universit"at Augsburg,\\
  37  Universit"atsstr. 1, D-86135 Augsburg, Germany\\
  38  \vspace{16pt}
  39  $^2$ Accelerator Laboratory, Department of Physical Sciences,
  40  University of Helsinki,\\
  41  Pietari Kalmink. 2, 00014 Helsinki, Finland\\
  42 \end{center}
  43
  44 \vspace{24pt}
  45
  46 \section*{Abstract}
  47 The precipitation process of silicon carbide in heavily carbon doped silicon is not yet understood for the most part.
  48 High resolution transmission electron microscopy indicates that in a first step carbon atoms form $C-Si$ dumbbells on regular $Si$ lattice sites which agglomerate into large clusters.
  49 In a second step, when the cluster size reaches a radius of a few $nm$, the high interfacial energy due to the $SiC$/$Si$ lattice misfit of almost $20 \, \%$ is overcome and the precipitation occurs.
  50 A molecular dynamics simulation approach is used to gain information of the precipitation process on the atomic level.
  51 A newly parametrized Tersoff like bond-order potential is used to model the system appropriately.
  52 The present work discusses the first results gained by the molecular dynamics simulation.
  53
  54 \end{document}