posic/talks/ueberblick_0609.tex

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   3
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  15
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  37
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  46
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  48
  49 \begin{document}
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  77
  78 % topic
  79
  80 \begin{slide}
  81 \begin{center}
  82
  83  \vspace{16pt}
  84
  85  {\LARGE\bf
  86   Molekulardynamische Untersuchung\\
  87   zum SiC-Ausscheidungsvorgang
  88  }
  89
  90  \vspace{48pt}
  91
  92  \textsc{F. Zirkelbach}
  93
  94  \vspace{48pt}
  95
  96  "Uberblick
  97
  98  \vspace{08pt}
  99
 100  Juni 2009
 101
 102 \end{center}
 103 \end{slide}
 104
 105 % start of contents
 106
 107 \begin{slide}
 108
 109  {\large\bf
 110   Vergrabene epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen durch
 111   Ionenstrahlsynthese
 112  }
 113
 114  {\small
 115
 116  \begin{itemize}
 117   \item Implantation 1:
 118         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
 119         $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 120         $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
 121         epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
 122         in kastenf"ormigen Bereich,\\
 123         eingeschlossen in a-Si:C
 124   \item Implantation 2:
 125         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
 126         $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 127         $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
 128         Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
 129         in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
 130   \item Tempern:
 131         $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
 132         Homogene st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
 133         scharfen Grenzfl"achen
 134  \end{itemize}
 135
 136  \begin{minipage}{6.3cm}
 137  \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
 138  \end{minipage}
 139  \hspace*{0.2cm}
 140  \begin{minipage}{6.5cm}
 141  \vspace*{2.3cm}
 142  {\scriptsize
 143  Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
 144  3C-SiC-Schicht.\\
 145  (a) Hellfeldaufnahme\\
 146  (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
 147  }
 148  \end{minipage}
 149
 150  \vspace{0.2cm}
 151
 152  Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
 153
 154 }
 155
 156 \end{slide}
 157
 158 \begin{slide}
 159
 160  {\large\bf
 161   SiC-Ausscheidungsvorgang
 162  }
 163
 164  \vspace{8pt}
 165
 166  {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
 167  \begin{itemize}
 168    \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
 169          ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
 170          $\leftarrow$ Si-Atome
 171    \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
 172          ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
 173          ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
 174  \end{itemize}
 175  \vspace{8pt}
 176  \begin{minipage}{8cm}
 177  {\bf Gitterkonstanten:}
 178  \[
 179  4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
 180  \]
 181  {\bf Siliziumdichten:}
 182  \[
 183  \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
 184  \]
 185  \end{minipage}
 186  \begin{minipage}{5cm}
 187    \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps}
 188  \end{minipage}
 189
 190 \end{slide}
 191
 192 \begin{slide}
 193
 194  {\large\bf
 195   SiC-Ausscheidungsvorgang
 196  }
 197
 198  Hochaufl"osungs-TEM:\\[-0.5cm]
 199
 200  \begin{minipage}{3.3cm}
 201  \includegraphics[width=3.3cm]{tem_c-si-db.eps}
 202  \end{minipage}
 203  \begin{minipage}{9cm}
 204   Bereich oberhalb des Implantationsmaximums\\
 205   Wolkenstruktur "uberlagert auf ungest"orten Si-Muster\\
 206   $\rightarrow$ C-Si Dumbbells
 207  \end{minipage}
 208  \begin{minipage}{3.3cm}
 209  \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
 210  \end{minipage}
 211  \begin{minipage}{9cm}
 212   Bereich um das Implantationsmaximum\\
 213   Moir\'e-Kontrast-Muster\\
 214   $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
 215  \end{minipage}
 216
 217 \end{slide}
 218
 219 \begin{slide}
 220
 221  {\large\bf
 222   SiC-Ausscheidungsvorgang
 223  }
 224
 225  \small
 226
 227  \vspace{6pt}
 228
 229  Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
 230
 231  \vspace{8pt}
 232
 233  \begin{minipage}{3.8cm}
 234  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
 235  \end{minipage}
 236  \hspace{0.6cm}
 237  \begin{minipage}{3.8cm}
 238  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
 239  \end{minipage}
 240  \hspace{0.6cm}
 241  \begin{minipage}{3.8cm}
 242  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
 243  \end{minipage}
 244
 245  \vspace{8pt}
 246
 247  \begin{minipage}{3.8cm}
 248  Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
 249  \end{minipage}
 250  \hspace{0.6cm}
 251  \begin{minipage}{3.8cm}
 252  Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
 253  \end{minipage}
 254  \hspace{0.6cm}
 255  \begin{minipage}{3.8cm}
 256  Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
 257  \end{minipage}
 258
 259  \vspace{12pt}
 260
 261  Aus experimentellen Untersuchungen:
 262  \begin{itemize}
 263   \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
 264   \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
 265  \end{itemize}
 266
 267 \end{slide}
 268
 269 \begin{slide}
 270
 271  {\large\bf
 272   Details der MD-Simulation
 273  }
 274
 275  \vspace{12pt}
 276  \small
 277
 278  {\bf MD-Grundlagen:}
 279  \begin{itemize}
 280   \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
 281   \item Analytisches Wechselwirkungspotential
 282   \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
 283         als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
 284   \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
 285  \end{itemize}
 286  {\bf Details der Simulation:}
 287  \begin{itemize}
 288   \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
 289   \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
 290         \begin{itemize}
 291          \item Berendsen Thermostat:
 292                $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
 293          \item Berendsen Barostat:\\
 294                $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
 295                $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
 296         \end{itemize}
 297   \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
 298   \vspace*{12pt}
 299         \[
 300         E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
 301         \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
 302         \]
 303  \end{itemize}
 304
 305  \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
 306   \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps}
 307  \end{picture}
 308
 309 \end{slide}
 310
 311 \begin{slide}
 312
 313  {\large\bf
 314   Zwischengitter-Konfigurationen
 315  }
 316
 317  \vspace{8pt}
 318
 319  Simulationssequenz:\\
 320
 321  \vspace{8pt}
 322
 323  \begin{pspicture}(0,0)(7,8)
 324   \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 325    \parbox{7cm}{
 326    \begin{itemize}
 327     \item initiale Konfiguration:\\
 328           $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
 329     \item periodische Randbedingungen
 330     \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
 331    \end{itemize}
 332   }}}}
 333 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
 334  \parbox{7cm}{
 335   Einf"ugen der C/Si Atome:
 336   \begin{itemize}
 337    \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
 338          (${\color{red}\triangleleft}$)
 339    \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
 340          (${\color{green}\triangleright}$)
 341    \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
 342          $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
 343          (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
 344    \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
 345   \end{itemize}
 346   }}}}
 347   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 348    \parbox{3.5cm}{
 349    Relaxation ($>2$ ps)
 350   }}}}
 351   \ncline[]{->}{init}{insert}
 352   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 353  \end{pspicture}
 354
 355  \begin{picture}(0,0)(-210,-45)
 356   \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps}
 357  \end{picture}
 358
 359 \end{slide}
 360
 361 \begin{slide}
 362
 363  {\large\bf
 364   Zwischengitter-Konfigurationen
 365  }
 366
 367  \small
 368
 369  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 370  \underline{Tetraedrisch}\\
 371  $E_f=3.41$ eV\\
 372  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
 373  \end{minipage}
 374  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 375  \underline{110 Dumbbell}\\
 376  $E_f=4.39$ eV\\
 377  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
 378  \end{minipage}
 379  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 380  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 381  \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 382  $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
 383  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
 384  \end{minipage}
 385
 386  \underline{zuf"allige Positionen}
 387
 388  \begin{minipage}{4.3cm}
 389  $E_f=3.97$ eV\\
 390  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps}
 391  \end{minipage}
 392  \begin{minipage}{4.3cm}
 393  $E_f=3.75$ eV\\
 394  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps}
 395  \end{minipage}
 396  \begin{minipage}{4.3cm}
 397  $E_f=3.56$ eV\\
 398  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps}
 399  \end{minipage}
 400
 401 \end{slide}
 402
 403 \begin{slide}
 404
 405  {\large\bf
 406   Zwischengitter-Konfigurationen
 407  }
 408
 409  \small
 410
 411  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 412  \underline{Tetraedrisch}\\
 413  $E_f=2.67$ eV\\
 414  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
 415  \end{minipage}
 416  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 417  \underline{110 Dumbbell}\\
 418  $E_f=1.76$ eV\\
 419  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
 420  \end{minipage}
 421  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 422  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 423  \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 424  $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
 425  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
 426  \end{minipage}
 427
 428  \underline{zuf"allige Positionen}
 429
 430  \footnotesize
 431
 432 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 433    $E_f=0.47$ eV\\
 434    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
 435    \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
 436     100 Dumbbell
 437    \end{picture}
 438 \end{minipage}
 439 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 440    $E_f=1.62$ eV\\
 441    \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps}
 442 \end{minipage}
 443 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 444    $E_f=2.39$ eV\\
 445    \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps}
 446 \end{minipage}
 447 \begin{minipage}[t]{3.0cm}
 448    $E_f=3.41$ eV\\
 449    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps}
 450 \end{minipage}
 451
 452 \end{slide}
 453
 454 \begin{slide}
 455
 456  {\large\bf
 457   Zwischengitter-Konfigurationen
 458  }
 459
 460  Das 100 Dumbbell
 461
 462  \vspace{8pt}
 463
 464  \small
 465
 466  \begin{minipage}{5.5cm}
 467  \begin{itemize}
 468   \item $E_f=0.47$ eV
 469   \item sehr h"aufig beobachtet
 470   \item energetisch g"unstigste\\ Konfiguration
 471   \item experimentelle und theoretische Hinweise
 472         f"ur die Existenz dieser Konfiguration
 473  \end{itemize}
 474  \includegraphics[width=5.6cm]{c_in_si_100.ps}
 475  \end{minipage}
 476  \begin{minipage}{7cm}
 477  \includegraphics[width=8cm]{100-c-si-db_s.eps}
 478  \end{minipage}
 479
 480 \end{slide}
 481
 482 \begin{slide}
 483
 484  {\large\bf
 485   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 486  }
 487
 488  \small
 489
 490  \vspace{8pt}
 491
 492  Simulationssequenz:\\
 493
 494  \vspace{8pt}
 495
 496  \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
 497   % nodes
 498   \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 499    \parbox{7cm}{
 500    \begin{itemize}
 501     \item initiale Konfiguration:\\
 502           $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
 503     \item periodsche Randbedingungen
 504     \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
 505     \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
 506    \end{itemize}
 507   }}}}
 508   \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
 509    \parbox{7cm}{
 510    Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
 511    bei konstanter Temperatur
 512    \begin{itemize}
 513     \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
 514     \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
 515     \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
 516    \end{itemize}
 517   }}}}
 518   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 519    \parbox{5.0cm}{
 520    Nach 100 ps abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
 521   }}}}
 522   \ncline[]{->}{init}{insert}
 523   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 524   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
 525   \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$}
 526   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
 527   \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$}
 528   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
 529   \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$}
 530   \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
 531   \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
 532   \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
 533   \ncline[]{->}{in1}{ins1}
 534   \ncline[]{->}{in2}{ins2}
 535   \ncline[]{->}{in3}{ins3}
 536  \end{pspicture}
 537
 538 \end{slide}
 539
 540 \begin{slide}
 541
 542  {\large\bf
 543   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 544  }
 545
 546  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
 547  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
 548
 549  \vspace{-0.1cm}
 550
 551  \footnotesize
 552  \underline{C-C, 0.15 nm}:\\
 553  NN-Abstand in Graphit/Diamant\\
 554  $\Rightarrow$ starke C-C Bindungen bei hohen Konz.\\
 555  \underline{Si-C, 0.19 nm}:\\
 556  NN-Abstand in 3C-SiC\\
 557  \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
 558  C-C Abstand in 3C-SiC\\
 559  verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
 560  \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
 561  g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
 562  Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
 563  Abfall bei regul"aren Abst"anden
 564
 565  \begin{picture}(0,0)(-175,-40)
 566  \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_02.eps}
 567  \end{picture}
 568  \begin{picture}(0,0)(-278,-10)
 569  \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_01.eps}
 570  \end{picture}
 571
 572  \end{slide}
 573
 574  \begin{slide}
 575
 576  {\large\bf
 577   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 578  }
 579
 580  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
 581  \includegraphics[width=6.3cm]{c_in_si_100.ps}
 582
 583  \footnotesize
 584
 585  \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}:
 586  100 Dumbbell-Konfiguration\\
 587  dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\
 588  Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\
 589  erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\
 590  $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\
 591  \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\
 592  Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\
 593  Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\
 594  $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\
 595  $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC
 596
 597  \begin{picture}(0,0)(-230,-15)
 598  \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps}
 599  \end{picture}
 600  \begin{picture}(0,0)(-240,-5)
 601  \begin{minipage}{5cm}
 602   {\scriptsize
 603   PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt]
 604   F. Gao und W. J. Weber
 605   }
 606  \end{minipage}
 607  \end{picture}
 608
 609 \end{slide}
 610
 611  \begin{slide}
 612
 613  {\large\bf
 614   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 615  }
 616
 617  \footnotesize
 618
 619  Zusammenfassung und Problemstellung:
 620  \begin{itemize}
 621   \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen
 622   \item C-Konzentration niedrig:
 623         \begin{itemize}
 624          \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\
 625                (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen)
 626          \item keine Anh"aufung zu Embryos
 627         \end{itemize}
 628   \item C-Konzentration hoch:
 629         \begin{itemize}
 630          \item Ausbildung von C-C Bindungen
 631                (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung)
 632          \item amorphes SiC
 633                (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen
 634                 Wert der Dosis)
 635         \end{itemize}
 636  \end{itemize}
 637  \vspace{0.2cm}
 638  {\color{blue} Ziel:}
 639  \underline{
 640  Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm]
 641  Ans"atze:\\[0.2cm]
 642  \begin{minipage}{7.5cm}
 643  \begin{itemize}
 644   \item H"ohere Temperaturen
 645         \begin{itemize}
 646          \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher
 647          \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\
 648                Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten
 649         \end{itemize}
 650   \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
 651         \begin{itemize}
 652          \item minimaler Abstand
 653          \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate)
 654         \end{itemize}
 655  \end{itemize}
 656  \end{minipage}
 657  \begin{minipage}{5.1cm}
 658  \begin{itemize}
 659   \item Modifikation der\\
 660         Kraft/Potentialberechnung
 661         \begin{itemize}
 662          \item C-C cut-off erh"ohen
 663          \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft
 664                weglassen
 665          \\\\
 666         \end{itemize}
 667  \end{itemize}
 668  \end{minipage}
 669
 670 \end{slide}
 671
 672 \begin{slide}
 673
 674  {\large\bf
 675   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 676  }
 677
 678  H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\
 679  \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps}
 680  \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps}
 681  \small
 682  \begin{minipage}{6.5cm}
 683  \[
 684  \text{\scriptsize Quality}
 685   = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}}
 686          {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}}
 687  \]
 688  \\
 689  \underline{Si-C PCF}:\\
 690  cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\
 691  $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks
 692  $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm]
 693  {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht}
 694  \end{minipage}
 695
 696  \begin{picture}(0,0)(-175,-2)
 697  \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps}
 698  \end{picture}
 699  \begin{picture}(0,0)(-278,16)
 700  \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps}
 701  \end{picture}
 702
 703 \end{slide}
 704
 705 \begin{slide}
 706
 707  {\large\bf
 708   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 709  }
 710
 711  H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\
 712  \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps}
 713  \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps}
 714  \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps}
 715  \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps}
 716
 717 \end{slide}
 718
 719 \begin{slide}
 720
 721  {\large\bf
 722   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 723  }
 724
 725  H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm]
 726  \begin{itemize}
 727   \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$
 728   \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$
 729   \item Temperatur f"ur 100 ps halten
 730   \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$
 731  \end{itemize}
 732  \vspace{0.2cm}
 733  \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps}
 734  \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps}
 735
 736 \end{slide}
 737
 738 \begin{slide}
 739
 740  {\large\bf
 741   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 742  }
 743
 744  Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
 745
 746  \scriptsize
 747
 748  \begin{minipage}{6.3cm}
 749  \begin{center}
 750  Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
 751  \end{center}
 752  \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
 753  \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
 754  \end{minipage}
 755  \begin{minipage}{6.3cm}
 756  \begin{center}
 757  Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
 758  \end{center}
 759  \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
 760  \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
 761  \end{minipage}
 762
 763 \end{slide}
 764
 765 \begin{slide}
 766
 767  {\large\bf
 768   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 769  }
 770
 771  Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
 772
 773  \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
 774  \begin{center}
 775  \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
 776  \end{center}
 777
 778  \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
 779  \begin{itemize}
 780   \item System nicht mehr konservativ
 781   \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
 782  \end{itemize}
 783  $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
 784
 785 \end{slide}
 786
 787 \begin{slide}
 788
 789  {\large\bf
 790   SiC-Ausscheidungen in Si
 791  }
 792
 793  \begin{itemize}
 794   \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC
 795   \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb
 796   \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps
 797   \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle
 798         ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$)
 799  \end{itemize}
 800
 801  \vspace*{0.1cm}
 802
 803  Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\
 804  Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$}
 805
 806  \vspace*{0.2cm}
 807
 808  \begin{minipage}{5cm}
 809  Initial Konfiguration\\
 810  \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps}
 811  \end{minipage}
 812  \begin{minipage}{1cm}
 813  $\rightarrow$\\
 814  \end{minipage}
 815  \begin{minipage}{6cm}
 816  Relaxierte Konfiguration\\
 817  \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps}
 818  \end{minipage}
 819
 820
 821 \end{slide}
 822
 823 \end{document}
 824