8 Atomistic simulation study on silicon carbide precipitation in silicon\\
16 \selectlanguage{german}
19 Zur Erlangung des akademischen Grades eines\\
20 Doktors der Naturwissenschaften\\
21 der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakult"at\\
22 der Universit"at Augsburg vorgelegte
47 Augsburg, September 2011
58 Erstgutachter: & Prof. Dr. Bernd Stritzker \\
59 Zweitgutachter: & Priv.-Doz. Dr. habil. Volker Eyert \\
60 Drittgutachter: & Prof. Dr. Kai Nordlund \\
61 Tag der m"undlichen Pr"ufung: & \underline{\hspace*{0.7cm}}. \underline{\hspace*{0.7cm}}. 2011\\
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65 \selectlanguage{english}