talks/seminar_2008.tex

   1 \pdfoutput=0
   2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
   3
   4 \usepackage{verbatim}
   5 \usepackage[greek,german]{babel}
   6 \usepackage[latin1]{inputenc}
   7 \usepackage[T1]{fontenc}
   8 \usepackage{amsmath}
   9 \usepackage{latexsym}
  10 \usepackage{ae}
  11
  12 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
  13 \usepackage{caption}            % Improved captions
  14 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
  15
  16 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
  17 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
  18 \usepackage{pstricks}           % PSTricks with the standard color package
  19
  20 \usepackage{pstricks}
  21 \usepackage{pst-node}
  22
  23 %\usepackage{epic}
  24 %\usepackage{eepic}
  25
  26 \usepackage{graphicx}
  27 \graphicspath{{../img/}}
  28
  29 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
  30
  31 \usepackage{semcolor}
  32 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
  33 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
  34
  35 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
  36 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
  37
  38 \articlemag{1}
  39
  40 \special{landscape}
  41
  42 % font
  43 %\usepackage{cmbright}
  44 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
  45 %\usepackage{mathptmx}
  46
  47 \usepackage{upgreek}
  48
  49 \begin{document}
  50
  51 \extraslideheight{10in}
  52 \slideframe{none}
  53
  54 \pagestyle{empty}
  55
  56 % specify width and height
  57 \slidewidth 27.7cm
  58 \slideheight 19.1cm
  59
  60 % shift it into visual area properly
  61 \def\slideleftmargin{3.3cm}
  62 \def\slidetopmargin{0.6cm}
  63
  64 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
  65 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
  66 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
  67 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
  68
  69 % itemize level ii
  70 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
  71
  72 % colors
  73 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
  74 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
  75 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
  76 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
  77
  78 % topic
  79
  80 \begin{slide}
  81 \begin{center}
  82
  83  \vspace{16pt}
  84
  85  {\LARGE\bf
  86   Molekulardynamische Untersuchung\\
  87   zum SiC-Ausscheidungsvorgang
  88  }
  89
  90  \vspace{48pt}
  91
  92  \textsc{F. Zirkelbach}
  93
  94  \vspace{48pt}
  95
  96  Lehrstuhlseminar
  97
  98  \vspace{08pt}
  99
 100  20. November 2008
 101
 102 \end{center}
 103 \end{slide}
 104
 105 % contents
 106
 107 \begin{slide}
 108
 109 {\large\bf
 110  Gliederung
 111 }
 112
 113  \begin{itemize}
 114   \item Motivation
 115   \item SiC-Ausscheidungsvorgang
 116   \item Simulation
 117         \begin{itemize}
 118          \item Details der MD-Simulation
 119          \item Zwischengitter-Konfigurationen
 120          \item Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 121          \item SiC-Ausscheidungen in Si
 122         \end{itemize}
 123   \item Zusammenfassung und Ausblick
 124  \end{itemize}
 125
 126 \end{slide}
 127
 128 % start of contents
 129
 130 \begin{slide}
 131
 132  {\large\bf
 133   Motivation
 134  }
 135
 136  {\small
 137
 138  Eigenschaften von SiC:
 139
 140  \begin{itemize}
 141   \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
 142   \item hohe mechanische Stabilit"at
 143   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
 144   \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
 145   \item hohe Durchbruchfeldst"arke
 146   \item chemisch inerte Substanz
 147   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
 148   \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt
 149   \item strahlungsresistent
 150  \end{itemize}
 151
 152  Anwendungen:
 153
 154  \begin{itemize}
 155   \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsbauelemente
 156   \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
 157   \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
 158   \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
 159   \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
 160  \end{itemize}
 161
 162  }
 163
 164  \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
 165   %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
 166  \end{picture}
 167
 168  \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
 169   %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps}
 170  \end{picture}
 171
 172 \end{slide}
 173
 174 \begin{slide}
 175
 176  {\large\bf
 177   Motivation
 178  }
 179
 180  \vspace{4pt}
 181
 182  SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
 183
 184  \vspace{4pt}
 185
 186  Herstellung d"unner SiC-Filme:
 187  \begin{itemize}
 188   \item modifizierter Lely-Prozess
 189         \begin{itemize}
 190          \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
 191          \item umgeben von polykristallinen SiC mit
 192                $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
 193         \end{itemize}
 194   \item CVD Homoepitaxie
 195         \begin{itemize}
 196          \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
 197          \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
 198          \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
 199          \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
 200                Substratgr"o"se
 201         \end{itemize}
 202   \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
 203         \begin{itemize}
 204          \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
 205          \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
 206          \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
 207         \end{itemize}
 208  \end{itemize}
 209
 210  \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
 211   \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
 212  \end{picture}
 213  \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
 214   \begin{minipage}{5cm}
 215   {\scriptsize
 216    NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
 217    nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
 218   }
 219   \end{minipage}
 220  \end{picture}
 221
 222 \end{slide}
 223
 224 \begin{slide}
 225
 226  {\large\bf
 227   Motivation
 228  }
 229
 230  \vspace{8pt}
 231
 232  3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
 233  6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
 234  \begin{itemize}
 235   \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
 236   \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
 237   \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
 238         Oberfl"ache) entlang c-Richtung
 239         bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
 240   \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
 241         sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
 242  \end{itemize}
 243
 244  \vspace{16pt}
 245
 246  {\color{blue}
 247  \begin{center}
 248   Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
 249   $\Downarrow$\\
 250   Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
 251  \end{center}
 252  }
 253
 254  \vspace{16pt}
 255
 256  Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
 257  $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
 258
 259  \begin{itemize}
 260   \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
 261   \item gestreckte Heterostrukturen
 262  \end{itemize}
 263
 264 \end{slide}
 265
 266 \begin{slide}
 267
 268  {\large\bf
 269   Motivation
 270  }
 271
 272  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 273
 274  {\small
 275
 276  \begin{itemize}
 277   \item Implantation 1:
 278         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
 279         $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 280         $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$
 281         \begin{center}
 282         $\Downarrow$\\
 283         epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
 284         in kastenf"ormigen Bereich,
 285         eingeschlossen in a-Si:C
 286         \end{center}
 287   \item Implantation 2:
 288         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
 289         $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 290         $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$
 291         \begin{center}
 292         $\Downarrow$\\
 293         Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
 294         in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
 295         \end{center}
 296   \item Tempen:
 297         $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
 298         \begin{center}
 299         $\Downarrow$\\
 300         Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
 301         scharfen Grenzfl"achen
 302         \end{center}
 303  \end{itemize}
 304
 305
 306  \begin{minipage}{5.9cm}
 307  \includegraphics[width=6cm]{ibs_3c-sic.eps}
 308  \end{minipage}
 309  \hspace*{0.3cm}
 310  \begin{minipage}{6.5cm}
 311  \vspace*{0.5cm}
 312  {\scriptsize
 313  Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
 314  3C-SiC-Schicht.\\
 315  (a) Hellfeldaufnahme\\
 316  (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
 317  }
 318  \end{minipage}
 319
 320 }
 321
 322 \end{slide}
 323
 324 \begin{slide}
 325
 326  {\large\bf
 327   SiC-Ausscheidungsvorgang
 328  }
 329
 330  \vspace{8pt}
 331
 332  {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
 333  \begin{itemize}
 334    \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
 335          ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
 336          $\leftarrow$ Si-Atome
 337    \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
 338          ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
 339          ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
 340  \end{itemize}
 341  \vspace{8pt}
 342  \begin{minipage}{8cm}
 343  {\bf Gitterkonstanten:}
 344  \[
 345  4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
 346  \]
 347  {\bf Siliziumdichten:}
 348  \[
 349  \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
 350  \]
 351  \end{minipage}
 352  \begin{minipage}{5cm}
 353    \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps}
 354  \end{minipage}
 355
 356 \end{slide}
 357
 358 \begin{slide}
 359
 360  {\large\bf
 361   SiC-Ausscheidungsvorgang
 362  }
 363
 364  \vspace{64pt}
 365
 366  Hier die aus experimentellen Untersuchungen heraus vermuteten
 367  Ausscheidungsvorgaenge rein.
 368
 369 \end{slide}
 370
 371 \begin{slide}
 372
 373  {\large\bf
 374   SiC-Ausscheidungsvorgang
 375  }
 376
 377  \small
 378
 379  \vspace{6pt}
 380
 381  Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
 382
 383  \vspace{8pt}
 384
 385  \begin{minipage}{3.8cm}
 386  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
 387  \end{minipage}
 388  \hspace{0.6cm}
 389  \begin{minipage}{3.8cm}
 390  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
 391  \end{minipage}
 392  \hspace{0.6cm}
 393  \begin{minipage}{3.8cm}
 394  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
 395  \end{minipage}
 396
 397  \vspace{8pt}
 398
 399  \begin{minipage}{3.8cm}
 400  Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
 401  \end{minipage}
 402  \hspace{0.6cm}
 403  \begin{minipage}{3.8cm}
 404  Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
 405  \end{minipage}
 406  \hspace{0.6cm}
 407  \begin{minipage}{3.8cm}
 408  Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
 409  \end{minipage}
 410
 411  \vspace{12pt}
 412
 413  Aus experimentellen Untersuchungen:
 414  \begin{itemize}
 415   \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
 416   \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
 417  \end{itemize}
 418
 419 \end{slide}
 420
 421 \begin{slide}
 422
 423  {\large\bf
 424   Details der MD-Simulation
 425  }
 426
 427  \vspace{12pt}
 428  \small
 429
 430  {\bf MD-Grundlagen:}
 431  \begin{itemize}
 432   \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
 433   \item Analytisches Wechselwirkungspotential
 434   \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
 435         als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
 436   \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
 437  \end{itemize}
 438  {\bf Details der Simulation:}
 439  \begin{itemize}
 440   \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
 441   \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
 442         \begin{itemize}
 443          \item Berendsen Thermostat:
 444                $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
 445          \item Berendsen Barostat:\\
 446                $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
 447                $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
 448         \end{itemize}
 449   \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
 450   \vspace*{12pt}
 451         \[
 452         E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
 453         \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
 454         \]
 455  \end{itemize}
 456
 457  \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
 458   \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps}
 459  \end{picture}
 460
 461 \end{slide}
 462
 463 \begin{slide}
 464
 465  {\large\bf
 466   Zwischengitter-Konfigurationen
 467  }
 468
 469  \vspace{8pt}
 470
 471  Simulationssequenz:\\
 472
 473  \vspace{8pt}
 474
 475  \begin{pspicture}(0,0)(7,8)
 476   \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 477    \parbox{7cm}{
 478    \begin{itemize}
 479     \item initiale Konfiguration:\\
 480           $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
 481     \item periodische Randbedingungen
 482     \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
 483    \end{itemize}
 484   }}}}
 485 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
 486  \parbox{7cm}{
 487   Einf"ugen der C/Si Atome:
 488   \begin{itemize}
 489    \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
 490          (${\color{red}\triangleleft}$)
 491    \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
 492          (${\color{green}\triangleright}$)
 493    \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
 494          $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
 495          (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
 496    \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
 497   \end{itemize}
 498   }}}}
 499   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 500    \parbox{3.5cm}{
 501    Relaxation ($>2$ ps)
 502   }}}}
 503   \ncline[]{->}{init}{insert}
 504   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 505  \end{pspicture}
 506
 507  \begin{picture}(0,0)(-210,-45)
 508   \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps}
 509  \end{picture}
 510
 511 \end{slide}
 512
 513 \begin{slide}
 514
 515  {\large\bf
 516   Zwischengitter-Konfigurationen
 517  }
 518
 519  \small
 520
 521  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 522  \underline{Tetraedrisch}\\
 523  $E_f=3.41$ eV\\
 524  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
 525  \end{minipage}
 526  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 527  \underline{110 Dumbbell}\\
 528  $E_f=4.39$ eV\\
 529  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
 530  \end{minipage}
 531  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 532  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 533  \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 534  $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
 535  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
 536  \end{minipage}
 537
 538  \underline{zuf"allige Positionen}
 539
 540  \begin{minipage}{4.3cm}
 541  $E_f=3.97$ eV\\
 542  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps}
 543  \end{minipage}
 544  \begin{minipage}{4.3cm}
 545  $E_f=3.75$ eV\\
 546  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps}
 547  \end{minipage}
 548  \begin{minipage}{4.3cm}
 549  $E_f=3.56$ eV\\
 550  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps}
 551  \end{minipage}
 552
 553 \end{slide}
 554
 555 \begin{slide}
 556
 557  {\large\bf
 558   Zwischengitter-Konfigurationen
 559  }
 560
 561  \small
 562
 563  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 564  \underline{Tetraedrisch}\\
 565  $E_f=2.67$ eV\\
 566  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
 567  \end{minipage}
 568  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 569  \underline{110 Dumbbell}\\
 570  $E_f=1.76$ eV\\
 571  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
 572  \end{minipage}
 573  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 574  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 575  \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 576  $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
 577  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
 578  \end{minipage}
 579
 580  \underline{zuf"allige Positionen}
 581
 582  \footnotesize
 583
 584 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 585    $E_f=0.47$ eV\\
 586    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
 587    \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
 588     100 Dumbbell
 589    \end{picture}
 590 \end{minipage}
 591 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 592    $E_f=1.62$ eV\\
 593    \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps}
 594 \end{minipage}
 595 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 596    $E_f=2.39$ eV\\
 597    \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps}
 598 \end{minipage}
 599 \begin{minipage}[t]{3.0cm}
 600    $E_f=3.41$ eV\\
 601    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps}
 602 \end{minipage}
 603
 604 \end{slide}
 605
 606 \begin{slide}
 607
 608  {\large\bf
 609   Zwischengitter-Konfigurationen
 610  }
 611
 612  Das 100 Dumbbell
 613
 614  \vspace{8pt}
 615
 616  \small
 617
 618  \begin{minipage}{4cm}
 619  \begin{itemize}
 620   \item $E_f=0.47$ eV
 621   \item Very often observed
 622   \item Most energetically\\
 623         favorable configuration
 624   \item Experimental\\
 625         evidence [6]
 626  \end{itemize}
 627  \vspace{24pt}
 628  {\tiny
 629   [6] G. D. Watkins and K. L. Brower,\\
 630       Phys. Rev. Lett. 36 (1976) 1329.
 631  }
 632  \end{minipage}
 633  \begin{minipage}{8cm}
 634  \includegraphics[width=9cm]{100-c-si-db_s.eps}
 635  \end{minipage}
 636
 637 \end{slide}
 638
 639 \begin{slide}
 640
 641  {\large\bf
 642   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 643  }
 644
 645  \small
 646
 647  \vspace{8pt}
 648
 649  Simulationssequenz:\\
 650
 651  \vspace{8pt}
 652
 653  \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
 654   % nodes
 655   \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 656    \parbox{7cm}{
 657    \begin{itemize}
 658     \item initiale Konfiguration:\\
 659           $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
 660     \item periodsche Randbedingungen
 661     \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
 662     \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
 663    \end{itemize}
 664   }}}}
 665   \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
 666    \parbox{7cm}{
 667    Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
 668    bei konstanter Temperatur
 669    \begin{itemize}
 670     \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
 671     \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
 672     \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
 673    \end{itemize}
 674   }}}}
 675   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 676    \parbox{3.5cm}{
 677    Abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
 678   }}}}
 679   \ncline[]{->}{init}{insert}
 680   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 681   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
 682   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
 683   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
 684   \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
 685   \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
 686   \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
 687   \ncline[]{->}{in1}{ins1}
 688   \ncline[]{->}{in2}{ins2}
 689   \ncline[]{->}{in3}{ins3}
 690  \end{pspicture}
 691
 692 \end{slide}
 693
 694 \end{document}
 695
 696 \begin{slide}
 697
 698  {\large\bf
 699   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 700  }
 701
 702  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
 703  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
 704
 705  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
 706  \tiny
 707     \begin{itemize}
 708       \item C-C peak at 0.15 nm similar to next neighbour distance of graphite
 709             or diamond\\
 710             $\Rightarrow$ Formation of strong C-C bonds
 711                           (almost only for high C concentrations)
 712       \item Si-C peak at 0.19 nm similar to next neighbour distance in 3C-SiC
 713       \item C-C peak at 0.31 nm equals C-C distance in 3C-SiC\\
 714             (due to concatenated, differently oriented
 715              <100> dumbbell interstitials)
 716       \item Si-Si shows non-zero g(r) values around 0.31 nm like in 3C-SiC\\
 717             and a decrease at regular distances\\
 718             (no clear peak,
 719              interval of enhanced g(r) corresponds to C-C peak width)
 720     \end{itemize}
 721  \end{minipage}
 722  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
 723  \tiny
 724    \begin{itemize}
 725       \item Low C concentration (i.e. $V_1$):
 726             The <100> dumbbell configuration
 727             \begin{itemize}
 728               \item is identified to stretch the Si-Si next neighbour distance
 729                     to 0.3 nm
 730               \item is identified to contribute to the Si-C peak at 0.19 nm
 731               \item explains further C-Si peaks (dashed vertical lines)
 732             \end{itemize}
 733             $\Rightarrow$ C atoms are first elements arranged at distances
 734                           expected for 3C-SiC\\
 735             $\Rightarrow$ C atoms pull the Si atoms into the right
 736                           configuration at a later stage
 737       \item High C concentration (i.e. $V_2$ and $V_3$):
 738             \begin{itemize}
 739               \item High amount of damage introduced into the system
 740               \item Short range order observed but almost no long range order
 741             \end{itemize}
 742             $\Rightarrow$ Start of amorphous SiC-like phase formation\\
 743             $\Rightarrow$ Higher temperatures required for proper SiC formation
 744     \end{itemize}
 745  \end{minipage}
 746
 747 \end{slide}
 748
 749 \begin{slide}
 750
 751  {\large\bf
 752   Very first results of the SiC precipitation runs
 753  }
 754
 755  \begin{minipage}[t]{6.9cm}
 756   \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/sic_pc.ps}
 757   \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/foo_end.ps}
 758   \hspace{12pt}
 759  \end{minipage}
 760  \begin{minipage}[c]{5.5cm}
 761   \includegraphics[width=6.0cm]{sic_si-c-n.eps}
 762  \end{minipage}
 763
 764 \end{slide}
 765
 766 \begin{slide}
 767
 768  {\large\bf
 769   Summary / Outlook
 770  }
 771
 772 \vspace{24pt}
 773
 774 \begin{itemize}
 775  \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
 776  \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
 777  \item Indication of SiC precipitation
 778 \end{itemize}
 779
 780 \vspace{24pt}
 781
 782 \begin{itemize}
 783  \item Displacement and stress calculations
 784  \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
 785  \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
 786 \end{itemize}
 787
 788 \end{slide}
 789
 790 \end{document}
 791