-Ihre technologischen Vorz"uge sind:
-\begin{itemize}
- \item Schnelligkeit
- \item Homogenit"at
- \item Reproduzierbarkeit
- \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge \\
- (durch einfache Stromintegration)
-\end{itemize}
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-Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende Nano- und Mikrostruktur weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
-Eine der un"ublichsten Antworten des Systems auf die "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Nano- und Mikrostruktur zu periodisch angeordneten zwei- oder drei-dimensionalen Gebilden.
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-Bei Untersuchungen von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{herstellung_sic_schicht},\\
-fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht begleitet von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache.
-Diese Ausscheidungen sind regelm"a"sig angeordnet.
+Zu ihren wichtigsten Vorz"ugen z"ahlen die exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge durch einfach Stromintegration, Reproduzierbarkeit, Homogenit"at und Schnelligkeit.
+
+Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende kristalline Struktur eines Festk"orpers weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
+Entlang der Teilchenbahn k"onnen Defekte oder sogar amorphe Gebiete entstehen.
+Da sehr viele solcher Teilchen in den Festk"orper geschossen werden, erwartet man eine statistische Verteilung dieser Strahlensch"aden.
+Eine eher unerwartete Antwort des Systems auf die "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Struktur der bestrahlten Oberfl"ache beziehungsweise des bestrahlten Oberfl"achenvolumens.
+Erstaunlicherweise wurden schon eine ganze Reihe solcher Selbstorganisationsph"anomene beobachtet.
+Bei der Bestrahlung d"unner $NiO$-Schichten mit schnellen und schweren Ionen erkennt man eine periodische Rissbildung senkrecht zur projezierten Einfallsrichtung des Ionenstrahls \cite{bolse}.
+Bei fortgef"uhrter Implantation bilden sich $100 nm$ dicke und $1 \mu m$ hohe $NiO$-Lamellen aus, die einen Abstand von $1-3 \mu m$ und die selbe Orientierung wie die Risse besitzen.
+Ein weiteres Beispiel f"ur einen Selbstorganisationsvorgang ist die Entstehung von Ripples, die sich abh"angig vom Einfallswinkel der Ionen, senkrecht beziehungsweise parallel zur Projektion des Ionenstrahls auf die Oberfl"ache orientieren.
+Diese Beobachtung kann durch die Bradley-Harper-Theorie beschrieben werden \cite{bradley_harper}.
+Desweiteren k"onnen Selbstorganisationsph"anomene bei der Bestrahlung von bin"aren Legierungen beobachtet werden.
+Die thermisch aktivierte, kurzreichweitige Diffusion und der, durch die Bestrahlung aktivierter Austausch von Atomen f"uhrt ab einem bestimmten Wert f"ur die Autauschreichweite zur Bildung verworrener separierter stabiler Phasen \cite{enrique1,enrique2}.
+
+Bei Untersuchungen \cite{herstellung_sic_schicht} von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \nolinebreak[4] \cite{sic_buch}, fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht, begleitet von lamellaren und sph"arischen Einschl"ussen an der vorderen Grenzfl"ache.
+Diese wenige $nm$ gro"se Einschl"usse sind regelm"a"sig angeordnet.
+Die Annahme, dass es sich bei diesen amorphen Einschl"ussen um kohlenstoffreiches amorphes Silizium handelt, wird durch analytische Transmissionselektronenmikroskopie gest"utzt \cite{da_martin_s,vorstellung_modell}.
+Die Einschl"usse werden daher als amorphe $SiC_x$-Ausscheidungen bezeichnet.
+Mit zunehmender Dosis wird die geordnete Struktur der Ausscheidungen sch"arfer.