+Im Folgenden sollen die Ergebnisse der Simulation diskutiert werden.
+Dabei werden Simulationsergebnisse mit experimentell erfassten Ergebnissen aus \cite{maik_da} verglichen.
+
+Weiterhin soll der in Kapitel \ref{chapter:modell} vorgestellte Bildungsmechanismus der amorphen $SiC_x$-Phasen in $Si$ verifiziert werden.
+Hierbei wird vorallem der Einfluss einzelner Simulationsparameter, wie Diffusion und St"arke der Druckspannungen, auf den Selbstorganisationsprozess untersucht.
+
+Unter der Annahme der Richtigkeit des Modells und seiner Umsetzung k"onnen sehr leicht Aussagen "uber die Struktur und Zusammensetzung an jedem beliebigen Ort des Targets w"ahrend des Ordnungsprozesses gemacht werden.
+Diese Information ist experimentell sehr schwer zug"anglich.
+
+Zun"achst werden die Ergebnisse der Simulationen bis $300 nm$ Tiefe vorgestellt.
+Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich diskutiert.
+