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[lectures/latex.git] / nlsop / diplom / simulation.tex
index 56f0e98..837c17f 100644 (file)
   Eine Anzahl von $N$ Durchl"aufen ist damit "aquivalent zur Dosis $D$, die wie folgt gegeben ist:
   \begin{equation}
   D = \frac{N}{XY(3 nm)^2} \, \textrm{.}
   Eine Anzahl von $N$ Durchl"aufen ist damit "aquivalent zur Dosis $D$, die wie folgt gegeben ist:
   \begin{equation}
   D = \frac{N}{XY(3 nm)^2} \, \textrm{.}
+  \label{eq:dose_steps}
   \end{equation}
 
   Es wird mit einem komplett kristallinen und kohlenstofffreien Target gestartet.
   \end{equation}
 
   Es wird mit einem komplett kristallinen und kohlenstofffreien Target gestartet.
     Bei den gegebenen Bedingungen werden ungef"ahr $50 nm$ des Targets bei einer Dosis von $4,3 \times 10^{-17} cm^{-2}$ abgetragen.
 
   \section{Simulierte Tiefenbereiche}
     Bei den gegebenen Bedingungen werden ungef"ahr $50 nm$ des Targets bei einer Dosis von $4,3 \times 10^{-17} cm^{-2}$ abgetragen.
 
   \section{Simulierte Tiefenbereiche}
+  \label{section:sim_tiefenbereich}
 
   Wie bereits erw"ahnt gibt es zwei verschiedene Versionen des Programms, die verschiedene Tiefenbereiche, im Folgenden Simulationsfenster genannt, simulieren.
 
 
   Wie bereits erw"ahnt gibt es zwei verschiedene Versionen des Programms, die verschiedene Tiefenbereiche, im Folgenden Simulationsfenster genannt, simulieren.
 
   Da sowohl die Reichweitenverteilung als auch die nukleare Bremskraft in Ebenen gr"osser $Z$ ungleich Null ist kann Sputtern nicht beachtet werden.
   Der Diffusionsprozess ist uneingeschr"ankt "moglich.
 
   Da sowohl die Reichweitenverteilung als auch die nukleare Bremskraft in Ebenen gr"osser $Z$ ungleich Null ist kann Sputtern nicht beachtet werden.
   Der Diffusionsprozess ist uneingeschr"ankt "moglich.
 
+  Hier sei angemerkt, dass die Simulation prinzipiell auch Diffusion von Kohlenstoff innerhalb kristalliner Volumina behandeln kann.
+  Die erste Idee war, dass Kohlenstoff in kristalline Gebiete diffundieren kann, die bereits einen grossen Anteil ihres Kohlenstoffs an einen amorphen Nachbarn abgegeben haben.
+  Da jedoch das Konzentartionsprofil durch Diffusionsprozesse nicht ver"andert werden darf, wurde die rein kristalline Diffusion in $z$-Richtung ausgeschlossen.
+  Da weiterhin die Implantationsprofile von experimentellen Messungen und {\em TRIM}-Simulationen recht gut "ubereinstimmen, kann Diffusion in $z$-Richtung tats"achlich ausgeschlossen werden.
+  Eine Vorzugsrichtung der Diffusion ist unphysikalisch, weshalb die Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete in weiteren Simulationen ausgeschlossen wurde.
+  Als Relikt bleibt die Option die Diffusion in $z$-Richtung auszuschalten.
+
   In der zweiten Version wird die gesamte Implantationstiefe simuliert.
   Das Simulationsfenster geht von $0-700 nm$.
   Dies entspricht einer Anzahl $Z=233$ von W"urfeln in $z$-Richtung.
   In der zweiten Version wird die gesamte Implantationstiefe simuliert.
   Das Simulationsfenster geht von $0-700 nm$.
   Dies entspricht einer Anzahl $Z=233$ von W"urfeln in $z$-Richtung.