+Mit der zweiten Version wird der gesamte Implantationsbereich abgedeckt.
+Man findet ein Satz von Simulationsparametern, der die experimentell beobachtete Dosisentwicklung ziemlich gut reproduziert.
+Man erkennt die Bildung einer amorphen durchgehenden Schicht aus einzelnen amorphen Ausscheidungen.
+Mit Erh"ohung der Dosis w"achst die Dicke dieser Schicht an.
+Gleichzeitig entstehen selbstorganisierte lamellare Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache der Schicht.
+Die Grenzfl"achen und die Lamellen werden bei fortgesetzter Implantation sch"arfer und strukturierter.
+Auch hier ist die kohlenstoff-induzierte Amorphisierung der wichtigste Mechanismus der zur Amorphisierung beitr"agt.
+Auf Ver"anderung, der die Diffusion und die spannungs-induzierte Amorphisierung beschreibenden Parameter, reagiert das System sensibel.
+Diffusion ist einerseits notwendig f"ur die lamellare Ordnung der amorphen Ausscheidungen, zu hohe Werte f"uhren andererseits jedoch zu einer kompletten lamellaren Amorphisierung des Targets, so dass sich keine durchgehende Schicht bildet.
+Zu hohe Werte f"ur den Parameter der Druckspannungen verursachen eine nahezu komplette Amorphisierung des kohlenstoffhaltigen Bereichs.
+Wie in der ersen Version des Programms f"allt auf, dass die amorphen und kristallinen Volumen in aufeinanderfolgenden Ebenen im Tiefenbereich der lamellaren Ausscheidungen komplement"ar angeordnet sind.
+Dies "aussert sich in Schwankungen der Kohlenstoffkonzentration im lamellaren Tiefenbereich.
+Weiterhin ist es durch die Simulation m"oglich eine Vorhersage zu machen, wie sich durch einen zweiten Implantationsschritt breite selbstorganisierte Bereiche herstellen lassen.
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+Das Modell kann demnach die Bildung der selbstorganisierten lamellaren Ausscheidungen erkl"aren.
+Die Einf"uhrung lateraller Spannungen als Amorphisierungsmechanismus steht nicht im Widerspruch zur Bildung der durchgehenden Schicht, da deren Entstehung gemeinsam mit den lamellaren Ausscheidungen von der Simulation reproduziert wird.
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+Mit Hilfe weiterer Implantationen anderer Ion-Target-Kombinationen k"onnte man die Abh"angigkeit der Simulationsparameter vom verwendeten Materialsystem untersuchen.
+Dadurch k"onnte die Simulation zu einem universellen Programm zur Amorphisierung jedes Materialsystems erweitert werden.
+Ein Zusammenhang zwischen den, die Amorphisierung beschreibenden Parameter, und den Materialkonstanten k"onnte ausserdem Aufschluss "uber die Amorphisierungsmechanismen liefern.