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gitterkonstanten gefixed
authorhackbard <hackbard>
Wed, 19 Nov 2003 11:00:21 +0000 (11:00 +0000)
committerhackbard <hackbard>
Wed, 19 Nov 2003 11:00:21 +0000 (11:00 +0000)
nlsop/nlsop_fp_b.tex

index e72da11ef3f8720db4f1fc597e8eca94fe2f0f70..8d44374a637bf7fc17a8e9f09b7d6c30d95b457a 100644 (file)
@@ -130,8 +130,10 @@ Folgende Abbildung zeigt eine TEM-Aufnahme einer mit $4,3 \times 10^{17} \frac{C
 
 \section{Das Modell}
 Im Folgenden wird ein Modell vorgestellt, welches die Bildung und Selbstorganisation der beobachteten lamellaren Strukturen zu erkl"aren versucht.
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-Die sehr geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium bei Raumtemperatur, f"uhrt bei gen"ugend hoher Kohlenstoffkonzentration zu sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen. Da die Gitterkonstante von kubischen Siliziumkarbid ($5,43 A^{\circ}$) fast um $20%$ gr"o"ser als die von reinem kristallinen Silizium ($4,36 A^{\circ}$) ist, hat die Nukleation von kristallinen $3C-SiC$ in $c-Si$ eine hohe Grenzfl"chenenergie zur Folge. Daher ist es energetisch g"unstiger wenn eins der beiden Substanzen in amorpher Form besteht.
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+Die sehr geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium bei Raumtemperatur, f"uhrt bei gen"ugend hoher Kohlenstoffkonzentration zu sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen. Da die Gitterkonstante von kubischen Siliziumkarbid ($4,36 A^{\circ}$) fast um $20\%$ kleiner als die von reinem kristallinen Silizium ($5,43 A^{\circ}$) ist, hat die Nukleation von kristallinen $3C-SiC$ in $c-Si$ eine hohe Grenzfl"chenenergie zur Folge. Daher ist es energetisch g"unstiger wenn eins der beiden Substanzen in amorpher Form besteht. Da reines amorphes Silizium instabil unter den gegebenen Bedingungen ist und ionenstrahlinduziert epitaktisch rekristallisiert, wird die kohlenstoffreichere Phase in amorpher Form vorliegen.
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 \section{weitere Modellannahmen}
 \subsection{Strahlensch"adigung und nukleare Bremskraft}