]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
foo
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Fri, 30 Apr 2010 14:12:11 +0000 (16:12 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Fri, 30 Apr 2010 14:12:11 +0000 (16:12 +0200)
posic/thesis/md.tex

index 06b8588ef14378d37d6e8e88857a3b5ecf66c819..58e8ecccbb6e448df2e5d3a6eefab63a267821a9 100644 (file)
@@ -412,6 +412,7 @@ Furthermore these investigations might establish the prediction of conditions ne
 To construct a spherical and topotactically aligned 3C-SiC precipitate in c-Si, the approach illustrated in the following is applied.
 A total simulation volume $V$ consisting of 21 unit cells of c-Si in each direction is used.
 To obtain a minimal and stable precipitate 5500 carbon atoms are considered necessary.
+This corresponds to a spherical 3C-SiC precipitate with a radius of approximately 3 nm.
 The initial precipitate configuration is constructed in two steps.
 In the first step the surrounding silicon matrix is created.
 This is realized by just skipping the generation of silicon atoms inside a sphere of radius $x$, which is the first unknown variable.