\begin{itemize}
\pause
\item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\
- $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
\pause
- \item hohe Grenzfl"achenenergie f"ur $3C-SiC$ in $c-Si$\\
- $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
+ \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $3C-SiC$ und $c-Si$\\
+ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
\pause
- \item Geringere Dichte des amorphen $SiC_x$ im Gegensatz zum $c-Si$\\
- $\rightarrow$ laterale Druckspannungen
+ \item $20 - 30\,\%$geringere Dichte des amorphen $SiC_x$ im Gegensatz zum $c-Si$\\
+ $\rightarrow$ laterale {\bf Druckspannungen} auf Umgebung
\pause
- \item amorphe Gebiete als Senke f"ur den Kohlenstoff\\
- $\rightarrow$ Abbau der $C$-"Ubers"attigung in $c-Si$
+ \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten\\
+ $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
+ \pause
+ \item Druckspannungen\\
+ $\rightarrow$ {\bf spannungsunterst"utzte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
\end{itemize}}
\end{frame}