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authorhackbard <hackbard>
Mon, 7 Nov 2005 23:50:42 +0000 (23:50 +0000)
committerhackbard <hackbard>
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index 28359daaeb97976e2d08fae6fb61847e1441f5de..167850d86c9bb0353fc0b4687046125404989836 100644 (file)
@@ -203,16 +203,19 @@ Universit"at Augsburg
     \begin{itemize}
       \pause
       \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\
-            $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+            $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
       \pause
-      \item hohe Grenzfl"achenenergie f"ur $3C-SiC$ in $c-Si$\\
-            $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
+      \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $3C-SiC$ und $c-Si$\\
+            $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
       \pause
-      \item Geringere Dichte des amorphen $SiC_x$ im Gegensatz zum $c-Si$\\
-            $\rightarrow$ laterale Druckspannungen
+      \item $20 - 30\,\%$geringere Dichte des amorphen $SiC_x$ im Gegensatz zum $c-Si$\\
+            $\rightarrow$ laterale {\bf Druckspannungen} auf Umgebung
       \pause
-      \item amorphe Gebiete als Senke f"ur den Kohlenstoff\\
-            $\rightarrow$ Abbau der $C$-"Ubers"attigung in $c-Si$
+      \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten\\
+            $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
+      \pause
+      \item Druckspannungen\\
+            $\rightarrow$ {\bf spannungsunterst"utzte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
     \end{itemize}}
 \end{frame}