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authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Tue, 7 Dec 2010 16:42:46 +0000 (17:42 +0100)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Tue, 7 Dec 2010 16:42:46 +0000 (17:42 +0100)
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index c729f2458a852030cec117b7c9e096f90cda6ba7..c2fd285d6073d10f2598e74f81a5382fdce1fb6c 100644 (file)
@@ -119,12 +119,17 @@ The presented methods, thus, focus on vapor transport growth processes such as c
 
 \subsection{SiC bulk crystal growth}
 
-The industrial Acheson process \cite{acheson} is utilized to produce SiC on a large scale by thermal reaction of silicon dioxide (silica sand) and carbon.
+The industrial Acheson process \cite{acheson} is utilized to produce SiC on a large scale by thermal reaction of silicon dioxide (silica sand) and carbon (coal).
 Due to the insufficient and uncontrollable purity, material produced by this method, originally termed carborundum by Acheson, can hardly be used for device applications.
 However, it is often used as an abrasive material and as seed crystals for subsequent vapor phase growth and sublimation processes.
+Missing: temperature, some of the material good for electronic device production.
 
-van Arkel (CVD)
+In the van Arkel apparatus \cite{arkel25}, Si and C containing gases like methylchlorosilanes \cite{moers31} and silicon tetrachloride \cite{kendall53} are pyrolitically decomposed and SiC is deposited on heated carbon rods in a vapor growth process.
+Typical deposition temperatures are in the range between \unit[1400]{$^{\circ}$C} and \unit[1600]{$^{\circ}$C} while studies up to \unit[2500]{$^{\circ}$C} have been performed.
+The obtained polycrystalline material consists of small crystal grains with a size of several hunderd microns stated to be mainly of the cubic polytype.
 
+A significant breakthrough was made in 1955 by Lely, who proposed a sublimation process for growing higher purity bulk SiC single crystals \cite{lely55}.
+In the so called Lely process, 
 Lely (sublimation)
 
 modified Lely or modified sublimation