bremsquerschnitt intro

diff --git a/nlsop/Makefile b/nlsop/Makefile
index d1fbd53f94e36ce7ee506a151e4c3ac842a46559..4de476f25d47e15c2528c3f6b0ccd54803626742 100644 (file)
--- a/nlsop/Makefile
+++ b/nlsop/Makefile
@@ -1,5 +1,5 @@
 #!/usr/bin/make
 
 clean:
-       rm -f *.aux *.dvi *.log *.pdf *.toc *.log
+       rm -f *.aux *.dvi *.log *.toc *.log
 

diff --git a/nlsop/nlsop_fp_b.tex b/nlsop/nlsop_fp_b.tex
index 5d6aef8315ea33f26b86b5ff82f408c8a2bdfcdf..2822ab5fd57bfa4d128f0a87567b7fd155cfcd16 100644 (file)
--- a/nlsop/nlsop_fp_b.tex
+++ b/nlsop/nlsop_fp_b.tex
@@ -24,18 +24,31 @@
 \mainmatter
 
 \chapter{Einleitung}
-In der folgenden Arbeit soll die Entstehung und Selbstorganisation amorpher lamellarer Einschluesse bei Hochdosis Kohlenstoffimplantation in $(100)$ orientiertes Silizium untersucht werden. Solche Einschluesse findet man bei Targettemperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ und einer Dosis von $8,5 \times 10^17 \frac{C}{cm^2}$ oberhalb des Implantationspeaks. "Ahnliche Strukturen beobachtet man auch bei Hochdosis-Sauerstoff-Implantation in Silizium.
+In der folgenden Arbeit soll die Entstehung und Selbstorganisation amorpher lamellarer Einschl"usse bei Hochdosis Kohlenstoffimplantation in $(100)$ orientiertes Silizium untersucht werden. Solche Einschl"usse findet man bei Targettemperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ und einer Dosis von $8,5 \times 10^17 \frac{C}{cm^2}$ oberhalb des Implantationspeaks. "Ahnliche Strukturen beobachtet man auch bei Hochdosis-Sauerstoff-Implantation in Silizium.
 
-Der Hauptteil der Arbeit befasst sich mit der Beschreibung des, f"ur diese Selbstorganisationsproze"se zugrundeliegenden Modells und einer daraus erarbeiteten Simulation. Die Arbeit ist wie folgt geliedert.
+Der Hauptteil der Arbeit befasst sich mit der Beschreibung des, f"ur diese Selbstorganisationsprozesse zugrundeliegenden Modells und einer daraus erarbeiteten Simulation. Die Arbeit ist wie folgt geliedert.
 
 Im ertsen Teil dieser Arbeit werden die n"otigen Grundlagen der Ionenimplantation wiederholt, um sp"ater angestellte Annahmen besser zu verstehen. Danach wird das Modell konkret formuliert und die Implementierung diskutiert. Im dritten Teil werden die Ergebnisse der Simulation besprochen. Dabei werden die erzeugten Bilder mit TEM Aufnahmen verglichen. Der letzte Teil gibt eeine Zusammenfassung und m"ogliche Anwendungsgebiete die vom genaueren Verst"andniss dieser Selbstorganisationprozesse profitieren.
 
-Die Simulation ist in der Programmiersprache C geschrieben. Dabei wurden Funktionen die unter den POSIX Standard fallen verwendet. Eine Portierung auf Windows ist nicht geplant, da auf solchen propriet"aren Betriebssystemn wissenschaftliches Arbeiten sowieso nicht m"oglich ist.
+Die Simulation ist in der Programmiersprache C geschrieben. Dabei wurden Funktionen die unter den POSIX Standard fallen verwendet. Eine Portierung auf Microsoft Windows ist nicht geplant, da auf solchen propriet"aren Betriebssystemn wissenschaftliches Arbeiten sowieso nicht m"oglich ist.
 
-\chapter{Grundlagen}
-foobar ...
+\chapter{Grundlagen der Ionenimplantation}
+Zur theoretischen Beschreibung der Ionenimplantation muss die Wechselwirkung der Ionen mit dem Target betrachtet werden. Durch St"osse mit den Kernen und Elektronen des Targets werden die Ionen im Festk"orper abgebremst, ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein. Eine weitere Folge sind durch die Bestrahlung im Kristallgitter entstehenden Sch"aden. Im Folgenden wird darauf genauer eingegangen.
 \section{Abbremsung von Ionen}
+Die Abbremsung der Ionen im Festk"orper kommt haupts"achlich durch inelastische Wechselwirkung mit den Targetelektronen und elastische Wechselwirkung mit den Atomkernen des Targets zustande. Man geht davon aus, da"s diese unabh"angig voneinander sind. Andere Wechselwirkungen k"onnen vernachl"assigt werden.
 \subsection{Bremsquerschnitt}
+Um die Abbremsung der Ionen durch elektronische und nukleare Streuung zu beschreiben, definiert man den sogenannten Bremsquerschnitt:
+\[
+ S_{e,n} = - \frac{1}{N} \Big( \frac{\partial E}{\partial x} \Big)_{e,n}
+\]
+mit:
+\[
+\begin{array}{ll}
+ N & \equiv \textrm{atomare Dichte} \\
+ E & \equiv \textrm{Energie des Ions} \\
+ x & \equiv \textrm{zur"uckgelegter Weg}
+\end{array}
+\]
 \subsection{nukleare Bremskraft}
 \subsection{elektronische Bremskraft}
 \section{Implantationsprofil}