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diff --git a/nlsop/talk/talk_german.tex b/nlsop/talk/talk_german.tex
index e479151d8bdc7763c8b47db4f08abd3b105cb7cb..c3ff683c356cb6fc3dc37289e1413aa55d0d773d 100644 (file)
--- a/nlsop/talk/talk_german.tex
+++ b/nlsop/talk/talk_german.tex
@@ -2,6 +2,7 @@
 
 \mode<presentation>
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@@ -12,11 +13,14 @@
 \usepackage{amsmath}
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+\begin{document}
+
 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
@@ -25,101 +29,132 @@ Institut f"ur Physik\\
 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
 Universit"at Augsburg
 }
-\pgfdeclareimage[height=1cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo.eps}
-\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
+\date{10. November 2005}
+%\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo}
+%\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
 
-\begin{document}
+%\beamerdefaultoverlayspecification{<+->}
+
+\AtBeginSubsection[]
+{
+  \begin{frame}<beamer>
+    \frametitle{"Uberblick}
+    \tableofcontents[currentsubsection]
+  \end{frame}
+}
 
 \begin{frame}
   \titlepage
-}
+\end{frame}
 
 \begin{frame}
   \frametitle{"Uberblick}
+  \tableofcontents%[pausesections]
+\end{frame}
+
+\section{Einf"uhrung}
+
+  \subsection{Ionenimplantation}
+
+\begin{frame}
+  \frametitle{Einf"uhrung}
+  \framesubtitle{Ionenimplantation}
+  \begin{block}{Funktionsweise}
+    \begin{itemize}
+      \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
+      \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
+      \item Bestrahlung eines Festk"orpers
+    \end{itemize}
+  \end{block}
+  \onslide<2->
+  $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
+  \begin{block}{Anwendung}
+  Dotierung von Halbleiterkristallen
+  \end{block}
+\end{frame}
 
+\begin{frame}
+  \frametitle{Einf"uhrung}
+  \framesubtitle{Ionenimplantation}
+  \begin{block}{Vorteile}
+    \begin{itemize}
+      \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
+      \item Reproduzierbarkeit
+      \item Homogenit"at
+      \item Schnelligkeit
+      \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
+      \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
+    \end{itemize}
+  \end{block}
 \end{frame}
 
-\begin{slide}{"Uberblick}
-\begin{itemize}
-  \item Motivation
-  \item Grundlagen
-  \item Experimentelle Befunde
-  \item Das Modell
-  \item Die Simulation
-  \item Ergebnisse
-  \item Anwendung
-  \item Zusammenfassung
-\end{itemize}
-\end{slide}
-
-\overlays{5}{
-\begin{slide}{Ionenimplantation}
-Funktionsweise:
-\begin{itemstep}
- \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
- \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
- \item Bestrahlung eines Festk"orpers
-\end{itemstep}
-\FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\
-\vspace{15pt}
-\FromSlide{5}{
-Industrielle Anwendung:\\
-Dotierung von Halbleiterkristallen}
-\end{slide}}
-
-\begin{slide}{Ionenimplantation}
-Vorteile:
-\begin{itemize}
- \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
- \item Reproduzierbarkeit
- \item Homogenit"at
- \item Schnelligkeit
- \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
- \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
-\end{itemize}
-\end{slide}
-
-\overlays{3}{
-\begin{slide}{Selbstorganisation}
-\begin{tabular}{c}
-  \begin{tabular}{ll}
-    \begin{minipage}{3.5cm}
-      \onlySlide*{1}{\includegraphics[width=3cm]{ripple_bh.eps}}
-      \onlySlide*{2}{\includegraphics[width=3cm]{bin_leg.eps}}
-      \onlySlide*{3}{\includegraphics[width=3cm]{bolse2.eps}}
-    \end{minipage} &
-    \begin{minipage}{7.5cm}
-      \begin{itemstep}
-       \item Entstehung von Riffeln auf der Targetoberfl"ache
-       \item separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
-       \item periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
-      \end{itemstep}
-    \end{minipage}
-  \end{tabular} \\
-%\FromSlide{1}{{\footnotesize 1) R. M. Bradley, J. M. E. Harper. J. Vac. Sci. Technol. A6 (1988) 2390\\}}
-%\FromSlide{2}{{\footnotesize 2) R. A. Enrique, P. Bellon. Phys. Rev. Lett. 60 (1999) 14649\\}}
-%\FromSlide{3}{{\footnotesize 3) W. Bolse, B. Schattat, A. Feyh. Appl. Phys. A 77 (2003) 11\\}}
-\end{tabular}
-\end{slide}}
-
-\overlays{2}{
-\begin{slide}{Grundlagen}
-Abbremsung der Ionen
-  \begin{tabular}{ll}
-    \begin{minipage}[l]{5cm}
-      \onlySlide{1}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} +$ \ldots}
-      \onlySlide{2}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} + {\blue S_e(E)} \Big)$}
-    \end{minipage} &
-    \begin{minipage}[l]{6cm}
-      \begin{itemstep}
-        \item {\red nukleare Bremskraft}\\
-              elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets
-        \item {\blue elektronische Bremskraft}\\
-              inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets
-      \end{itemstep}
-    \end{minipage}
-  \end{tabular}
-\end{slide}}
+  \subsection{Selbstorganisation}
+
+\begin{frame}
+  \frametitle{Einf"uhrung}
+  \framesubtitle{Selbstorganisation}
+  \begin{columns}
+    \column{4.5cm}
+      \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh}}
+      \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg}}
+      \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2}}
+    \column{6.5cm}
+      \begin{enumerate}
+        \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
+        \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
+        \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
+      \end{enumerate}
+  \end{columns}
+\end{frame}
+
+\section{Grundlagen}
+
+  \subsection{Abbremsung der Ionen}
 
+\begin{frame}
+  \frametitle{Grundlagen}
+  \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
+     \onslide<2->
+     \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
+       elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
+       $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
+     \end{block}
+     \onslide<3->
+     \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
+       inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
+       $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
+     \end{block}
+     \onslide<4->
+     \begin{block}{Bremskraft}
+       $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
+     \end{block}
+\end{frame}
+
+  \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
+
+\begin{frame}
+  \frametitle{Grundlagen}
+  \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
+  \begin{block}{Prinzip}
+    \begin{itemize}
+      \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
+      \pause
+      \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
+      \pause
+      \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
+      \pause
+      \item Energieverlust durch St"o"se
+      \pause
+      \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$
+      \pause
+      \item Abbildung von Zufallszahlen auf:
+        \begin{itemize}
+           \item freie Wegl"ange $l$
+           \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$
+           \item Azimutwinkel $\Phi$
+        \end{itemize}
+    \end{itemize}
+  \end{block}
+\end{frame}
 
 \end{document}