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--- a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex
+++ b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex
@@ -91,33 +91,6 @@
 \end{itemize}
 \end{slide}
 
-\begin{slide}
-{\large\bf
- Amorphisierungs und Rekristallisationswahrscheinlichkeit \\
-}
-Beitr"age zur Amorphisierung
-\begin{itemize}
- \item \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch}
- \item \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert}
- \item \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert}
-\end{itemize}
-\vspace{12pt}
-Berechnung der Wahrscheinlichkeiten
-\[
- \begin{array}{ll}
-  \displaystyle p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} + \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}} \\
-  \vspace{6pt}
-  p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \displaystyle \Big( 1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{, mit} \\
- \end{array}
-\]
-\begin{displaymath}
- \delta (\vec r) = \left\{ \begin{array}{ll}
-  1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
-  0 & \textrm{sonst} \\
- \end{array} \right.
-\end{displaymath}
-\end{slide}
-
 \begin{slide}
 {\large\bf
  Simulation
@@ -142,39 +115,70 @@ Berechnung der Wahrscheinlichkeiten
  \hline{}
  Implantationsprofil & linear gen"ahert & exakt (TRIM) \\
  \hline{}
- Kollision pro implantierten Teilchen & $1$ & exakt (TRIM) \\
+ Treffer pro implantierten Teilchen & $1$ & exakt (TRIM) \\
  \hline{}
- Anzahl der implantierten Teilchen & ~ $30$ Millionen & $\equiv$ Dosis \\
+ Anzahl der implantierten Teilchen & freier Parameter & $\equiv$ Dosis \\
 \end{tabular}
 \end{slide}
 
+\begin{slide}
+{\large\bf
+ Amorphisierungs und Rekristallisationswahrscheinlichkeit \\
+}
+%\begin{itemize}
+% \item \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch}
+% \item \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert}
+% \item \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert}
+%\end{itemize}
+\[
+  \displaystyle p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} + \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}} \\
+\]
+
+\[
+  p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \displaystyle \Big( 1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{, mit} \\
+\]
+\begin{displaymath}
+ \delta (\vec r) = \left\{ \begin{array}{ll}
+  1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
+  0 & \textrm{sonst} \\
+ \end{array} \right.
+\end{displaymath}
+\end{slide}
+
 \begin{slide}
 {\large\bf
  Simulationsalgorithmus
 }
-\begin{enumerate}
- \item Amorphisierung/Rekristallisation
-  \begin{itemize}
-   \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess entsprechend nuklearer Bremskraft
-   \item Berechnung der lokalen Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit $p_{c \rightarrow a}$ und $p_{a \rightarrow c}$
-   \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl
-  \end{itemize}
- \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target
-  \begin{itemize}
-   \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung entsprechend Implantationsprofil
-   \item lokale Erh"ohung des Kohelnstoffgehalts
-  \end{itemize}
- \item Diffusionsprozess und Sputtern
-  \begin{itemize}
-   \item Kohelnstoffdiffusion von kristallinen in amorphe Gebiete alle $d_v$ Schritte:
-    \[
-     \Delta c =  c_C(Nachbar) \times dr_{ac}
-    \]
-   \item Nachr"ucken einer kristallinen kohlenstofffreien Ebene von oben
-  \end{itemize}
-\end{enumerate}
+ \includegraphics[width=10cm]{flowchart.eps}
 \end{slide}
 
+%\begin{slide}
+%{\large\bf
+% Simulationsalgorithmus
+%}
+%\begin{enumerate}
+% \item Amorphisierung/Rekristallisation
+%  \begin{itemize}
+%   \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess entsprechend nuklearer Bremskraft
+%   \item Berechnung der lokalen Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit $p_{c \rightarrow a}$ und $p_{a \rightarrow c}$
+%   \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl
+%  \end{itemize}
+% \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target
+%  \begin{itemize}
+%   \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung entsprechend Implantationsprofil
+%   \item lokale Erh"ohung des Kohelnstoffgehalts
+%  \end{itemize}
+% \item Diffusionsprozess und Sputtern
+%  \begin{itemize}
+%   \item Kohelnstoffdiffusion von kristallinen in amorphe Gebiete alle $d_v$ Schritte:
+%    \[
+%     \Delta c =  c_C(Nachbar) \times dr_{ac}
+%    \]
+%   \item Nachr"ucken einer kristallinen kohlenstofffreien Ebene von oben
+%  \end{itemize}
+%\end{enumerate}
+%\end{slide}
+
 \begin{slide}
 {\large\bf
  Ergebnisse - Version 1
@@ -217,15 +221,14 @@ Berechnung der Wahrscheinlichkeiten
 {\large\bf
  Ergebnisse - Version 2
 }
+\begin{itemize}
+ \item Dosisentwicklung
+\end{itemize}
 \begin{figure}
  \begin{center}
   \includegraphics[width=12cm]{dosis_entwicklung2.eps}
  \end{center}
 \end{figure}
-Dosisentwicklung \\
-{\small a) $1.0 \times 10^{17} cm^{-2}$} \\
-{\small b) $3.3 \times 10^{17} cm^{-2}$} \\
-{\small c) $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$} \\
 \end{slide}
 
 \begin{slide}