fix
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
index 35fe321..3acbacf 100644 (file)
                  processes involved in the silicon carbide transition.",
 }
 
+@Article{zirkelbach12,
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and W.
+                 G. Schmidt and E. Rauls and J. K. N. Lindner",
+  title =        "First-principles and empirical potential simulation
+                 study of intrinsic and carbon-related defects in
+                 silicon",
+  journal =      "physica status solidi (c)",
+  volume =       "9",
+  number =       "10-11",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1610-1642",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200198",
+  doi =          "10.1002/pssc.201200198",
+  pages =        "1968--1973",
+  keywords =     "silicon, carbon, silicon carbide, defect formation,
+                 defect migration, density functional theory, empirical
+                 potential, molecular dynamics",
+  year =         "2012",
+  abstract =     "Results of atomistic simulations aimed at
+                 understanding precipitation of the highly attractive
+                 wide band gap semiconductor material silicon carbide in
+                 silicon are presented. The study involves a systematic
+                 investigation of intrinsic and carbon-related defects
+                 as well as defect combinations and defect migration by
+                 both, quantummechanical first-principles as well as
+                 empirical potential methods. Comparing formation and
+                 activation energies, ground-state structures of defects
+                 and defect combinations as well as energetically
+                 favorable agglomeration of defects are predicted.
+                 Moreover, accurate ab initio calculations unveil
+                 limitations of the analytical method based on a
+                 Tersoff-like bond order potential. A work-around is
+                 proposed in order to subsequently apply the highly
+                 efficient technique on large structures not accessible
+                 by first-principles methods. The outcome of both types
+                 of simulation provides a basic microscopic
+                 understanding of defect formation and structural
+                 evolution particularly at non-equilibrium conditions
+                 strongly deviated from the ground state as commonly
+                 found in SiC growth processes. A possible precipitation
+                 mechanism, which conforms well to experimental findings
+                 and clarifies contradictory views present in the
+                 literature is outlined (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH \&
+                 Co. KGaA, Weinheim)",
+}
+
 @Article{lindner95,
   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
                  Rauschenbach and B. Stritzker",
   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
 }
 
-%@Article{hamann79,
+@Book{delerue04,
+  title =        "Nanostructures: Theory and Modelling",
+  author =       "Christophe Delerue and Michel Lannoo",
+  year =         "2004",
+  publisher =    "Springer",
+}
+
+@Article{klimeck02,
+  title =        "Development of a nanoelectronic 3-{D} ({NEMO} 3-{D})
+                 simulator for multimillion atom simulations and its
+                 application to alloyed quantum dots",
+  author =       "Gerhard Klimeck and Fabiano Oyafuso and Timothy B
+                 Boykin and R Chris Bowen and Paul von Allmen",
+  year =         "2002",
+  journal =      "Comput. Modeling Eng. Sci.",
+  volume =       "3",
+  pages =        "601",
+}
+
+@Article{klimeck07,
+  title =        "Atomistic simulation of realistically sized
+                 nanodevices using {NEMO} 3-{D}¿Part {I}: Models and
+                 benchmarks",
+  author =       "Gerhard Klimeck and Shaikh Shahid Ahmed and Hansang
+                 Bae and Neerav Kharche and Steve Clark and Benjamin
+                 Haley and Sunhee Lee and Maxim Naumov and Hoon Ryu and
+                 Faisal Saied and others",
+  journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
+  volume =       "54",
+  number =       "9",
+  pages =        "2079--2089",
+  year =         "2007",
+  publisher =    "IEEE",
+}
+
+@Article{hamann79,
   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
+@Article{bester09,
+  author =       "Gabriel Bester",
+  title =        "Electronic excitations in nanostructures: an empirical
+                 pseudopotential based approach",
+  journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
+  volume =       "21",
+  number =       "2",
+  pages =        "023202",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/21/i=2/a=023202",
+  year =         "2009",
+}
+
 @Article{cohen66,
   title =        "Band Structures and Pseudopotential Form Factors for
                  Fourteen Semiconductors of the Diamond and Zinc-blende
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
+@Article{maeder94,
+  title =        "Empirical atomic pseudopotentials for AlAs/GaAs
+                 superlattices, alloys, and nanostructures",
+  author =       "Kurt A. M{\"a}der and Alex Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "50",
+  issue =        "23",
+  pages =        "17393--17405",
+  year =         "1994",
+  month =        dec,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17393",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.50.17393",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{wang94_2,
+  author =       "Lin Wang Wang and Alex Zunger",
+  title =        "Electronic Structure Pseudopotential Calculations of
+                 Large (.apprx.1000 Atoms) Si Quantum Dots",
+  journal =      "The Journal of Physical Chemistry",
+  volume =       "98",
+  number =       "8",
+  pages =        "2158--2165",
+  year =         "1994",
+  doi =          "10.1021/j100059a032",
+  URL =          "http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/j100059a032",
+  eprint =       "http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/j100059a032",
+}
+
 @Article{wang95,
   title =        "Local-density-derived semiempirical pseudopotentials",
   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
+@Article{franceschetti99,
+  title =        "Many-body pseudopotential theory of excitons in In{P}
+                 and CdSe quantum dots",
+  author =       "A. Franceschetti and H. Fu and L. W. Wang and A.
+                 Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "60",
+  issue =        "3",
+  pages =        "1819--1829",
+  year =         "1999",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.60.1819",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.60.1819",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{wang94,
   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
   collaboration = "",