confidently added three "to be published" entries
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
index aa0d739..57e4e53 100644 (file)
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
+@Article{bloechl93,
+  title =        "First-principles calculations of self-diffusion
+                 constants in silicon",
+  author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
+                 and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "70",
+  number =       "16",
+  pages =        "2435--2438",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1993",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
+                 entropy calculations",
+}
+
 @Article{colombo02,
   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
                  silicon",
                  silicon, si self interstitials, free energy",
 }
 
+@Article{goedecker02,
+  title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
+  author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "88",
+  number =       "23",
+  pages =        "235501",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2002",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
+                 silicon",
+}
+
 @Article{ma10,
   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
                  wide temperature range: Point defect states and
                  NETHERLANDS",
 }
 
+@Article{zirkelbach09,
+  title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
+                 precipitation in heavily carbon doped silicon",
+  journal =      "Materials Science and Engineering: B",
+  volume =       "159-160",
+  number =       "",
+  pages =        "149--152",
+  year =         "2009",
+  note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
+                 Silicon Materials Research for Electronic and
+                 Photovoltaic Applications",
+  ISSN =         "0921-5107",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
+  author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
+                 B. Stritzker",
+  keywords =     "Silicon",
+  keywords =     "Carbon",
+  keywords =     "Silicon carbide",
+  keywords =     "Nucleation",
+  keywords =     "Defect formation",
+  keywords =     "Molecular dynamics simulations",
+}
+
+@Article{zirkelbach10a,
+  title =        "Defects in Carbon implanted Silicon calculated by
+                 classical potentials and first principles methods",
+  journal =      "to be published",
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "",
+  year =         "2010",
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
+                 K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
+}
+
+@Article{zirkelbach10b,
+  title =        "Extensive first principles study of carbon defects in
+                 silicon",
+  journal =      "to be published",
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "",
+  year =         "2010",
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
+                 K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
+}
+
+@Article{zirkelbach10c,
+  title =        "...",
+  journal =      "to be published",
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "",
+  year =         "2010",
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
+                 K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
+}
+
 @Article{lindner99,
   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}