corrected abbrevs
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
index 714c40f..8796de2 100644 (file)
@@ -5,7 +5,7 @@
 @Article{schroedinger26,
   author =       "E. Schrödinger",
   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
-  journal =      "Annalen der Physik",
+  journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   volume =       "384",
   number =       "4",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
@@ -21,7 +21,7 @@
   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
                  Kristallgittern",
-  journal =      "Zeitschrift für Physik A Hadrons and Nuclei",
+  journal =      "Z. Phys.",
   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
   ISSN =         "0939-7922",
   keyword =      "Physics and Astronomy",
@@ -58,7 +58,7 @@
 @Article{erhart04,
   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
                  condensation of silicon nanoparticles",
-  journal =      "Applied Surface Science",
+  journal =      "Appl. Surf. Sci.",
   volume =       "226",
   number =       "1-3",
   pages =        "12--18",
@@ -88,7 +88,7 @@
 
 @Article{newman65,
   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
-  journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
+  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
   volume =       "26",
   number =       "2",
   pages =        "373--379",
 
 @Article{bean71,
   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
-  journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
+  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
   volume =       "32",
   number =       "6",
   pages =        "1211--1219",
   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
                  ions",
-  journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
+  journal =      "Appl. Phys. A",
   volume =       "76",
   pages =        "827--835",
   month =        mar,
 @Article{skorupa96,
   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
                  silicon-related materials",
-  journal =      "Materials Chemistry and Physics",
+  journal =      "Mater. Chem. Phys.",
   volume =       "44",
   number =       "2",
   pages =        "101--143",
   author =       "Henri Moissan",
   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
                  Diablo",
-  journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
+  journal =      "C. R. Acad. Sci.",
   volume =       "139",
   pages =        "773--786",
   year =         "1904",
   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
-  journal =      "Materials Science Forum",
+  journal =      "Mater. Sci. Forum",
   volume =       "264-268",
   pages =        "3--8",
   year =         "1998",
 @Article{bean70,
   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
                  containing carbon",
-  journal =      "Solid State Communications",
+  journal =      "Solid State Commun.",
   volume =       "8",
   number =       "3",
   pages =        "175--177",
 @Article{foell77,
   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
                  agglomeration of self-interstitials",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "40",
   number =       "1",
   pages =        "90--108",
 @Article{foell81,
   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
                  defects",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "52",
   number =       "Part 2",
   pages =        "907--916",
 @InProceedings{werner96,
   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
                  Eichler",
-  booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
-                 International Conference on",
+  booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
+                 Ion Implantation Technology.",
   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
                  implanted silicon",
   year =         "1996",
                  Rauschenbach and B. Stritzker",
   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
                  Layers in Silicon",
-  journal =      "MRS Online Proceedings Library",
+  journal =      "MRS Proc.",
   volume =       "354",
   number =       "",
   pages =        "171",
 @Article{lindner96,
   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
                  in silicon by ion beam synthesis",
-  journal =      "Materials Chemistry and Physics",
+  journal =      "Mater. Chem. Phys.",
   volume =       "46",
   number =       "2-3",
   pages =        "147--155",
 @Article{calcagno96,
   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
                  ion implantation",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "120",
   number =       "1-4",
   pages =        "121--124",
 @Article{lindner98,
   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
-  journal =      "Materials Science Forum",
+  journal =      "Mater. Sci. Forum",
   volume =       "264-268",
   pages =        "215--218",
   year =         "1998",
   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
                  growth",
-  journal =      "Applied Surface Science",
+  journal =      "Appl. Surf. Sci.",
   volume =       "238",
   number =       "1-4",
   pages =        "159--164",
   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "261",
   number =       "2-3",
   pages =        "266--270",
 
 @Article{liu_l02,
   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
-  journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
   volume =       "37",
   number =       "3",
   pages =        "61--127",
 @Article{takeuchi91,
   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "115",
   number =       "1-4",
   pages =        "634--638",
 @Article{davis91,
   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
                  Palmour and J. A. Edmond",
-  journal =      "Proceedings of the IEEE",
+  journal =      "Proc. IEEE",
   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
                  optoelectronic device fabrication and characterization
                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
 
 @Article{sarro00,
   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
-  journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
+  journal =      "Seonsor. Actuator. A",
   volume =       "82",
   number =       "1-3",
   pages =        "210--218",
   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
                  review",
-  journal =      "Solid-State Electronics",
+  journal =      "Solid-State Electron.",
   volume =       "39",
   number =       "10",
   pages =        "1409--1422",
 @Article{giancarli98,
   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
                  structural material in fusion power reactor blankets",
-  journal =      "Fusion Engineering and Design",
+  journal =      "Fusion Eng. Des.",
   volume =       "41",
   number =       "1-4",
   pages =        "165--171",
 
 @Article{pensl93,
   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
-  journal =      "Physica B: Condensed Matter",
+  journal =      "Physica B",
   volume =       "185",
   number =       "1-4",
   pages =        "264--283",
 @Article{tairov81,
   title =        "General principles of growing large-size single
                  crystals of various silicon carbide polytypes",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "52",
   number =       "Part 1",
   pages =        "146--150",
 
 @Article{barrett91,
   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "109",
   number =       "1-4",
   pages =        "17--23",
 
 @Article{barrett93,
   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "128",
   number =       "1-4",
   pages =        "358--362",
   title =        "Control of polytype formation by surface energy
                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
                  sublimation method",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "131",
   number =       "1-2",
   pages =        "71--74",
                  Single-Crystal Films on Si",
   publisher =    "ECS",
   year =         "1987",
-  journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
+  journal =      "J. Electrochem. Soc.",
   volume =       "134",
   number =       "6",
   pages =        "1558--1565",
 
 @Article{ueda90,
   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "104",
   number =       "3",
   pages =        "695--700",
 @Article{kaneda87,
   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
                  properties of its p-n junction",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "81",
   number =       "1-4",
   pages =        "536--542",
                  by ion implantation",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1976",
-  journal =      "Radiation Effects",
+  journal =      "Radiat. Eff.",
   volume =       "29",
   number =       "1",
   pages =        "13--15",
                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1980",
-  journal =      "Radiation Effects",
+  journal =      "Radiat. Eff.",
   volume =       "48",
   number =       "1",
   pages =        "7",
                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1986",
-  journal =      "Radiation Effects",
+  journal =      "Radiat. Eff.",
   volume =       "99",
   number =       "1",
   pages =        "71--81",
                  Netherlands",
   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
                  charge carrier and boron concentration profiles",
-  journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
+  journal =      "Appl. Phys. A",
   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
   ISSN =         "0947-8396",
   keyword =      "Physics and Astronomy",
   author =       "E Kasper",
   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
                  possibility to produce direct band gap material",
-  journal =      "Physica Scripta",
+  journal =      "Phys. Scr.",
   volume =       "T35",
   pages =        "232--236",
   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
 @Article{powell93_2,
   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
                  of the ternary system",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "127",
   number =       "1-4",
   pages =        "425--429",
   author =       "H. J. Osten",
   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
-  journal =      "physica status solidi (a)",
+  journal =      "phys. status solidi (a)",
   volume =       "145",
   number =       "2",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
 @Article{born27,
   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
-  journal =      "Annalen der Physik",
+  journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   volume =       "389",
   number =       "20",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
 @Article{thomas27,
   title =        "The calculation of atomic fields",
   author =       "L. H. Thomas",
-  journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
-                 Philosophical Society",
+  journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
   volume =       "23",
   pages =        "542--548",
   year =         "1927",
   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
   author =       "D. R. Hartree",
-  journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
-                 Philosophical Society",
+  journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
   volume =       "24",
   pages =        "89--110",
   year =         "1928",
 @Article{chaussende07,
   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
-  journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
+  journal =      "J. Phys. D",
   volume =       "40",
   number =       "20",
   pages =        "6150",
                  Heteroepitaxial Growth",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
   year =         "1997",
-  journal =      "physica status solidi (b)",
+  journal =      "phys. status solidi (b)",
   volume =       "202",
   pages =        "405--420",
   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
 
 @Article{hornstra58,
   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
-  journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
+  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
   volume =       "5",
   number =       "1-2",
   pages =        "129--141",
 @Article{perdew02,
   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
                  correlation: {A} look backward and forward",
-  journal =      "Physica B: Condensed Matter",
+  journal =      "Physica B",
   volume =       "172",
   number =       "1-2",
   pages =        "1--6",
 @Article{losev28,
   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
                  oscillations with crystals",
-  journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
+  journal =      "Philos. Mag. Series 7",
   volume =       "6",
   number =       "39",
   pages =        "1024--1044",
   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1953",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "21",
   number =       "5",
   pages =        "821--827",
 @Article{shibahara86,
   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
                  Si(100) by chemical vapor deposition",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "78",
   number =       "3",
   pages =        "538--544",
 @Article{fuyuki89,
   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
                  {MBE} using surface superstructure",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "95",
   number =       "1-4",
   pages =        "461--463",
 @Article{yoshinobu90,
   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
                  cubic Si{C}",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "99",
   number =       "1-4",
   pages =        "520--524",
                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
   year =         "1997",
-  journal =      "physica status solidi (b)",
+  journal =      "phys. status solidi (b)",
   volume =       "202",
   pages =        "359--378",
   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
 
 @Article{takaoka98,
   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "183",
   number =       "1-2",
   pages =        "175--182",
   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
                  molecular beam epitaxy",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "150",
   number =       "Part 2",
   pages =        "934--938",
   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
                  Metastable Cubic Form",
-  journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
+  journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
   volume =       "74",
   number =       "10",
   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
 @Article{allendorf91,
   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
                  [beta]-silicon carbide",
-  journal =      "Surface Science",
+  journal =      "Surf. Sci.",
   volume =       "258",
   number =       "1-3",
   pages =        "177--189",
 @Article{newman85,
   author =       "Ronald C. Newman",
   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
-  journal =      "MRS Online Proceedings Library",
+  journal =      "MRS Proc.",
   volume =       "59",
   number =       "",
   pages =        "403",
 
 @Article{newman61,
   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
-  journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
+  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
   volume =       "19",
   number =       "3-4",
   pages =        "230--234",
 @Article{goesele85,
   author =       "U. Gösele",
   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
-  journal =      "MRS Online Proceedings Library",
+  journal =      "MRS Proc.",
   volume =       "59",
   number =       "",
   pages =        "419",
   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
                  real-symmetric matrices",
-  journal =      "Journal of Computational Physics",
+  journal =      "J. Comput. Phys.",
   volume =       "17",
   number =       "1",
   pages =        "87--94",