added talks + literature suggested by ref
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
index c55a0e1..a9c22cf 100644 (file)
@@ -2,6 +2,37 @@
 % bibliography database
 %
 
 % bibliography database
 %
 
+@Article{schroedinger26,
+  author =       "E. Schrödinger",
+  title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
+  journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
+  volume =       "384",
+  number =       "4",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1521-3889",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
+  doi =          "10.1002/andp.19263840404",
+  pages =        "361--376",
+  year =         "1926",
+}
+
+@Article{bloch29,
+  author =       "Felix Bloch",
+  affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
+  title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
+                 Kristallgittern",
+  journal =      "Z. Phys.",
+  publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
+  ISSN =         "0939-7922",
+  keyword =      "Physics and Astronomy",
+  pages =        "555--600",
+  volume =       "52",
+  issue =        "7",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
+  note =         "10.1007/BF01339455",
+  year =         "1929",
+}
+
 @Article{albe_sic_pot,
   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
 @Article{albe_sic_pot,
   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
 }
 
   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
 }
 
+@Article{erhart04,
+  title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
+                 condensation of silicon nanoparticles",
+  journal =      "Appl. Surf. Sci.",
+  volume =       "226",
+  number =       "1-3",
+  pages =        "12--18",
+  year =         "2004",
+  note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
+  ISSN =         "0169-4332",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
+  author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
+}
+
 @Article{albe2002,
   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
 @Article{albe2002,
   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
 }
 
   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
 }
 
+@Article{newman65,
+  title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
+  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
+  volume =       "26",
+  number =       "2",
+  pages =        "373--379",
+  year =         "1965",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-3697",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
+  author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
+  notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
+}
+
+@Article{baker68,
+  author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
+                 Buschert",
+  collaboration = "",
+  title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1968",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "39",
+  number =       "9",
+  pages =        "4365--4368",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
+  doi =          "10.1063/1.1656977",
+  notes =        "lattice contraction due to subst c",
+}
+
 @Article{bean71,
   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 @Article{bean71,
   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
-  journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
+  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
   volume =       "32",
   number =       "6",
   pages =        "1211--1219",
   volume =       "32",
   number =       "6",
   pages =        "1211--1219",
 }
 
 @Article{capano97,
 }
 
 @Article{capano97,
+  author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
+  title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
+  journal =      "MRS Bull.",
+  year =         "1997",
+  volume =       "22",
+  number =       "3",
+  pages =        "19--22",
+  publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
+}
+
+@Article{capano97_old,
   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
   journal =      "MRS Bull.",
   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
   journal =      "MRS Bull.",
   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
                  ions",
   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
                  ions",
-  journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
+  journal =      "Appl. Phys. A",
   volume =       "76",
   pages =        "827--835",
   month =        mar,
   year =         "2003",
   volume =       "76",
   pages =        "827--835",
   month =        mar,
   year =         "2003",
+  URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
                  precipitation by interstitial and substitutional
                  carbon, both mechanisms explained + refs",
   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
                  precipitation by interstitial and substitutional
                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 @Article{skorupa96,
   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
                  silicon-related materials",
 @Article{skorupa96,
   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
                  silicon-related materials",
-  journal =      "Materials Chemistry and Physics",
+  journal =      "Mater. Chem. Phys.",
   volume =       "44",
   number =       "2",
   pages =        "101--143",
   volume =       "44",
   number =       "2",
   pages =        "101--143",
   author =       "Henri Moissan",
   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
                  Diablo",
   author =       "Henri Moissan",
   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
                  Diablo",
-  journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
+  journal =      "C. R. Acad. Sci.",
   volume =       "139",
   pages =        "773--786",
   year =         "1904",
   volume =       "139",
   pages =        "773--786",
   year =         "1904",
   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
-  journal =      "Materials Science Forum",
+  journal =      "Mater. Sci. Forum",
   volume =       "264-268",
   pages =        "3--8",
   year =         "1998",
   volume =       "264-268",
   pages =        "3--8",
   year =         "1998",
                  entropy calculations",
 }
 
                  entropy calculations",
 }
 
+@Article{munro99,
+  title =        "Defect migration in crystalline silicon",
+  author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "59",
+  number =       "6",
+  pages =        "3969--3980",
+  numpages =     "11",
+  year =         "1999",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
+                 defect migration mechanisms",
+}
+
 @Article{colombo02,
   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
                  silicon",
 @Article{colombo02,
   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
                  silicon",
                  silicon, si self interstitials, free energy",
 }
 
                  silicon, si self interstitials, free energy",
 }
 
+@Article{mattsson08,
+  title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
+                 formation energy",
+  author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
+                 Armiento",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "77",
+  number =       "15",
+  pages =        "155211",
+  numpages =     "7",
+  year =         "2008",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
+}
+
 @Article{goedecker02,
   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 @Article{goedecker02,
   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 @Article{bean70,
   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
                  containing carbon",
 @Article{bean70,
   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
                  containing carbon",
-  journal =      "Solid State Communications",
+  journal =      "Solid State Commun.",
   volume =       "8",
   number =       "3",
   pages =        "175--177",
   volume =       "8",
   number =       "3",
   pages =        "175--177",
   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 }
 
   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 }
 
+@Article{durand99,
+  author =       "F. Durand and J. Duby",
+  affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
+  title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
+                 review with reference to eutectic equilibrium",
+  journal =      "Journal of Phase Equilibria",
+  publisher =    "Springer New York",
+  ISSN =         "1054-9714",
+  keyword =      "Chemistry and Materials Science",
+  pages =        "61--63",
+  volume =       "20",
+  issue =        "1",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
+  note =         "10.1361/105497199770335956",
+  year =         "1999",
+  notes =        "better c solubility limit in silicon",
+}
+
 @Article{watkins76,
   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
                  Atom in Silicon",
 @Article{watkins76,
   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
                  Atom in Silicon",
                  silicon",
 }
 
                  silicon",
 }
 
+@Article{isomae93,
+  author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
+                 Masao Tamura",
+  collaboration = "",
+  title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
+                 silicon",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1993",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "74",
+  number =       "6",
+  pages =        "3815--3820",
+  keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
+                 RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
+                 PROFILES",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
+  doi =          "10.1063/1.354474",
+  notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
+}
+
 @Article{strane96,
   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 @Article{strane96,
   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
                  ion implantation and solid phase epitaxy",
                  stress, avoid sic precipitation",
 }
 
                  stress, avoid sic precipitation",
 }
 
+@Article{foell77,
+  title =        "The formation of swirl defects in silicon by
+                 agglomeration of self-interstitials",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
+  volume =       "40",
+  number =       "1",
+  pages =        "90--108",
+  year =         "1977",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
+  author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
+  notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
+                 agglomerate",
+}
+
+@Article{foell81,
+  title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
+                 defects",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
+  volume =       "52",
+  number =       "Part 2",
+  pages =        "907--916",
+  year =         "1981",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
+  author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
+  notes =        "swirl review",
+}
+
 @Article{werner97,
   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 @Article{werner97,
   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 @InProceedings{werner96,
   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
                  Eichler",
 @InProceedings{werner96,
   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
                  Eichler",
-  booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
-                 International Conference on",
+  booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
+                 Ion Implantation Technology.",
   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
                  implanted silicon",
   year =         "1996",
   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
                  implanted silicon",
   year =         "1996",
   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
 }
 
   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
 }
 
+@Article{kalejs84,
+  author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
+  collaboration = "",
+  title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
+                 silicon",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1984",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "45",
+  number =       "3",
+  pages =        "268--269",
+  keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
+                 CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
+                 TEMPERATURE; IMPURITIES",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
+  doi =          "10.1063/1.95167",
+  notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
+}
+
+@Article{fukami90,
+  author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
+                 and Cary Y. Yang",
+  collaboration = "",
+  title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
+                 Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1990",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "57",
+  number =       "22",
+  pages =        "2345--2347",
+  keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
+                 FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
+                 SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
+                 EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
+  doi =          "10.1063/1.103888",
+}
+
+@Article{strane93,
+  author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
+                 Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
+  collaboration = "",
+  title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1993",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "63",
+  number =       "20",
+  pages =        "2786--2788",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
+                 SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
+                 ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
+                 SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
+                 EPITAXY; AMORPHIZATION",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
+  doi =          "10.1063/1.110334",
+}
+
+@Article{goorsky92,
+  author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
+                 Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
+  collaboration = "",
+  title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
+                 strained layer superlattices",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1992",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "60",
+  number =       "22",
+  pages =        "2758--2760",
+  keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
+                 MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
+                 CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
+                 RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
+                 DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
+  doi =          "10.1063/1.106868",
+}
+
 @Article{strane94,
   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 @Article{strane94,
   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
                  polytypes",
 }
 
                  polytypes",
 }
 
+@Misc{talk2004,
+  title =        "{Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation
+                 amorpher nonometrischer SiC$_x$-Ausscheidungen in
+                 Silizium w{\"a}hrend C$^+$-Ionen-Implantation}",
+  author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
+                 and B. Stritzker",
+  year =         "2004",
+  month =        "02",
+  note =         "AKF-Fr{\"u}hjahrstagung der DPG, Regensburg, 02/2004,
+                 DS 1.4",
+}
+
+@Misc{talk2005,
+  title =        "{Kinetik des Selbstorganisationsvorganges bei der
+                 Bildung von SiC$_x$-Ausscheidungs-Arrays in
+                 C$^+$-Ionen-implantierten Silizium}",
+  author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
+                 and B. Stritzker",
+  year =         "2005",
+  month =        "02",
+  note =         "69. Jahrestagung der DPG, Berlin, 02/2005, DS 8.6",
+}
+
+@Misc{talk2008,
+  title =        "Molecular dynamics simulation study of the silicon
+                 carbide precipitation process",
+  author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
+                 B. Stritzker",
+  year =         "2008",
+  month =        "01",
+  note =         "72. Annual Meeting and DPG-Spring Meeting 2008,
+                 Berlin, 01/2008, DS 42.2",
+}
+
+@Misc{poster2006,
+  title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganization
+                 process leading to ordered precipitate structures",
+  author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
+                 and B. Stritzker",
+  year =         "2006",
+  month =        "09",
+  note =         "IBMM 2006, Taormina (Sicily), 09/2006, M243",
+}
+
 @Article{zirkelbach2007,
   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
                  process leading to ordered precipitate structures",
 @Article{zirkelbach2007,
   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
                  process leading to ordered precipitate structures",
   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
+  abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
+                 amorphous precipitates have been observed after
+                 high-fluence ion implantations into solids for a number
+                 of ion/target combinations at certain implantation
+                 conditions. A model describing the ordering process
+                 based on compressive stress exerted by the amorphous
+                 inclusions as a result of the density change upon
+                 amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
+                 code, which focuses on high-fluence carbon
+                 implantations into silicon, is able to reproduce
+                 experimentally observed nanolamella distributions as
+                 well as the formation of continuous amorphous layers.
+                 By means of simulation, the selforganisation process
+                 becomes traceable and detailed information about the
+                 compositional and structural state during the ordering
+                 process is obtained. Based on simulation results, a
+                 recipe is proposed for producing broad distributions of
+                 ordered lamellar structures.",
 }
 
 @Article{zirkelbach2006,
 }
 
 @Article{zirkelbach2006,
   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
+  abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
+                 drastic density change upon amorphization at certain
+                 implantation conditions results in periodically
+                 arranged, self-organized, nanometric configurations of
+                 the amorphous phase. A simple model explaining the
+                 phenomenon is introduced and implemented in a
+                 Monte-Carlo simulation code. Through simulation
+                 conditions for observing lamellar precipitates are
+                 specified and additional information about the
+                 compositional and structural state during the ordering
+                 process is gained.",
 }
 
 @Article{zirkelbach2005,
 }
 
 @Article{zirkelbach2005,
   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
+  abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
+                 density change upon amorphization have been shown to
+                 exhibit selforganized, nanometric structures of the
+                 amorphous phase in the crystalline host lattice. In
+                 order to better understand the process a
+                 Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
+                 developed. In the present work we focus on high-dose
+                 carbon implantations into silicon. The simulation is
+                 able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
+                 measurements of high-dose carbon implanted silicon.
+                 Necessary conditions can be specified for the
+                 self-organization process and information is gained
+                 about the compositional and structural state during the
+                 ordering process which is difficult to be obtained by
+                 experiment.",
 }
 
 @Article{zirkelbach09,
 }
 
 @Article{zirkelbach09,
   keywords =     "Nucleation",
   keywords =     "Defect formation",
   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
   keywords =     "Nucleation",
   keywords =     "Defect formation",
   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
+  abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
+                 heavily carbon doped silicon is not yet fully
+                 understood. High resolution transmission electron
+                 microscopy observations suggest that in a first step
+                 carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
+                 sites which agglomerate into large clusters. In a
+                 second step, when the cluster size reaches a radius of
+                 a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
+                 lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
+                 precipitation occurs. By simulation, details of the
+                 precipitation process can be obtained on the atomic
+                 level. A recently proposed parametrization of a
+                 Tersoff-like bond order potential is used to model the
+                 system appropriately. Preliminary results gained by
+                 molecular dynamics simulations using this potential are
+                 presented.",
 }
 
 @Article{zirkelbach10,
 }
 
 @Article{zirkelbach10,
   month =        sep,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
   publisher =    "American Physical Society",
   month =        sep,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
   publisher =    "American Physical Society",
-}
-
-@Article{zirkelbach11a,
-  title =        "First principles study of defects in carbon implanted
+  abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
+                 interstitials in silicon is presented. Calculations
+                 using classical potentials are compared to
+                 first-principles density-functional theory calculations
+                 of the geometries, formation, and activation energies
+                 of the carbon dumbbell interstitial, showing the
+                 importance of a quantum-mechanical description of this
+                 system. In contrast to previous studies, the present
+                 first-principles calculations of the interstitial
+                 carbon migration path yield an activation energy that
+                 excellently matches the experiment. The bond-centered
+                 interstitial configuration shows a net magnetization of
+                 two electrons, illustrating the need for spin-polarized
+                 calculations.",
+}
+
+@Article{zirkelbach11,
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  month =        aug,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
+                 K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
+  title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
+                 simulation study on silicon carbide precipitation in
                  silicon",
                  silicon",
-  journal =      "to be published",
-  volume =       "",
-  number =       "",
-  pages =        "",
   year =         "2011",
   year =         "2011",
-  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
-                 and W. G. Schmidt and E. Rauls",
-}
-
-@Article{zirkelbach11b,
-  title =        "...",
+  pages =        "064126",
+  numpages =     "18",
+  volume =       "84",
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
+  issue =        "6",
+  abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
+                 precipitation in bulk silicon employing both, classical
+                 potential and first-principles methods are presented.
+                 The calculations aim at a comprehensive, microscopic
+                 understanding of the precipitation mechanism in the
+                 context of controversial discussions in the literature.
+                 For the quantum-mechanical treatment, basic processes
+                 assumed in the precipitation process are calculated in
+                 feasible systems of small size. The migration mechanism
+                 of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
+                 1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
+                 are investigated using density functional theory
+                 calculations. The influence of a nearby vacancy,
+                 another carbon interstitial and a substitutional defect
+                 as well as a silicon self-interstitial has been
+                 investigated systematically. Interactions of various
+                 combinations of defects have been characterized
+                 including a couple of selected migration pathways
+                 within these configurations. Almost all of the
+                 investigated pairs of defects tend to agglomerate
+                 allowing for a reduction in strain. The formation of
+                 structures involving strong carbon-carbon bonds turns
+                 out to be very unlikely. In contrast, substitutional
+                 carbon occurs in all probability. A long range capture
+                 radius has been observed for pairs of interstitial
+                 carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
+                 rather small capture radius is predicted for
+                 substitutional carbon and silicon self-interstitials.
+                 Initial assumptions regarding the precipitation
+                 mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
+                 established and conformability to experimental findings
+                 is discussed. Furthermore, results of the accurate
+                 first-principles calculations on defects and carbon
+                 diffusion in silicon are compared to results of
+                 classical potential simulations revealing significant
+                 limitations of the latter method. An approach to work
+                 around this problem is proposed. Finally, results of
+                 the classical potential molecular dynamics simulations
+                 of large systems are examined, which reinforce previous
+                 assumptions and give further insight into basic
+                 processes involved in the silicon carbide transition.",
+}
+
+@Article{zirkelbach12,
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and W.
+                 G. Schmidt and E. Rauls and J. K. N. Lindner",
+  title =        "First-principles and empirical potential simulation
+                 study of intrinsic and carbon-related defects in
+                 silicon",
+  journal =      "phys. status solidi (c)",
+  volume =       "9",
+  number =       "10-11",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1610-1642",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200198",
+  doi =          "10.1002/pssc.201200198",
+  pages =        "1968--1973",
+  keywords =     "silicon, carbon, silicon carbide, defect formation,
+                 defect migration, density functional theory, empirical
+                 potential, molecular dynamics",
+  year =         "2012",
+  abstract =     "Results of atomistic simulations aimed at
+                 understanding precipitation of the highly attractive
+                 wide band gap semiconductor material silicon carbide in
+                 silicon are presented. The study involves a systematic
+                 investigation of intrinsic and carbon-related defects
+                 as well as defect combinations and defect migration by
+                 both, quantummechanical first-principles as well as
+                 empirical potential methods. Comparing formation and
+                 activation energies, ground-state structures of defects
+                 and defect combinations as well as energetically
+                 favorable agglomeration of defects are predicted.
+                 Moreover, accurate ab initio calculations unveil
+                 limitations of the analytical method based on a
+                 Tersoff-like bond order potential. A work-around is
+                 proposed in order to subsequently apply the highly
+                 efficient technique on large structures not accessible
+                 by first-principles methods. The outcome of both types
+                 of simulation provides a basic microscopic
+                 understanding of defect formation and structural
+                 evolution particularly at non-equilibrium conditions
+                 strongly deviated from the ground state as commonly
+                 found in SiC growth processes. A possible precipitation
+                 mechanism, which conforms well to experimental findings
+                 and clarifies contradictory views present in the
+                 literature is outlined (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH \&
+                 Co. KGaA, Weinheim)",
+}
+
+@Article{zirkelbach14,
+  author =       "F. Zirkelbach and P.-Y. Prodhomme and P. Han and R.
+                 Cherian and G. Bester",
+  title =        "Large-scale Atomic Effective Pseudopotential Program
+                 ({LATEPP}) including an efficient spin-orbit coupling
+                 treatment in real space",
   journal =      "to be published",
   journal =      "to be published",
-  volume =       "",
-  number =       "",
-  pages =        "",
-  year =         "2011",
-  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
-                 K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
+  year =         "2014",
+  abstract =     "Within the scheme of the {\em Large-scale Atomic
+                 Effective Pseudopotential Program}, the Schr{\"o}dinger
+                 equation of an electronic system is solved within an
+                 effective single-particle approach. Although not
+                 limited to, it focuses on the recently introduced
+                 atomic effective pseudopotentials derived from screened
+                 local effective crystal potentials as obtained from
+                 self-consistent density functional theory calculations.
+                 Plane waves are used to expand the wavefunctions. The
+                 problem can be solved in both, real and reciprocal
+                 space. Using atomic effective pseudopotentials, a
+                 self-consistency cycle is not required, which
+                 drastically reduces the computational effort.
+                 Furthermore, without having to find a self-consistent
+                 solution, which would require the determination of all
+                 eigenstates, iterative solvers can be used to focus
+                 only on a few eigenstates in the vicinity of a
+                 reference energy, e.g.\ around the band gap of a
+                 semiconductor. Hence, this approach is particularly
+                 well suited for theoretical investigations of the
+                 electronic structure of semiconductor nanostructures
+                 consisting of up to several thousands of atoms.
+                 Moreover, a novel and efficient real space treatment of
+                 spin-orbit coupling within the pseudopotential
+                 framework is proposed in this work allowing for a fully
+                 relativistic description.",
 }
 
 @Article{lindner95,
 }
 
 @Article{lindner95,
                  Rauschenbach and B. Stritzker",
   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
                  Layers in Silicon",
                  Rauschenbach and B. Stritzker",
   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
                  Layers in Silicon",
-  journal =      "MRS Online Proceedings Library",
+  journal =      "MRS Proc.",
   volume =       "354",
   number =       "",
   pages =        "171",
   year =         "1994",
   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
   volume =       "354",
   number =       "",
   pages =        "171",
   year =         "1994",
   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
-  eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
 }
 
 @Article{lindner96,
   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
                  in silicon by ion beam synthesis",
   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
 }
 
 @Article{lindner96,
   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
                  in silicon by ion beam synthesis",
-  journal =      "Materials Chemistry and Physics",
+  journal =      "Mater. Chem. Phys.",
   volume =       "46",
   number =       "2-3",
   pages =        "147--155",
   volume =       "46",
   number =       "2-3",
   pages =        "147--155",
 @Article{calcagno96,
   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
                  ion implantation",
 @Article{calcagno96,
   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
                  ion implantation",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "120",
   number =       "1-4",
   pages =        "121--124",
   volume =       "120",
   number =       "1-4",
   pages =        "121--124",
 @Article{lindner98,
   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
 @Article{lindner98,
   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
-  journal =      "Materials Science Forum",
+  journal =      "Mater. Sci. Forum",
   volume =       "264-268",
   pages =        "215--218",
   year =         "1998",
   volume =       "264-268",
   pages =        "215--218",
   year =         "1998",
   notes =        "c int diffusion barrier",
 }
 
   notes =        "c int diffusion barrier",
 }
 
+@Article{haeberlen10,
+  title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
+                 Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "312",
+  number =       "6",
+  pages =        "762--769",
+  year =         "2010",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
+  author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
+                 K. N. Lindner and B. Stritzker",
+}
+
 @Article{ito04,
   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
                  growth",
 @Article{ito04,
   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
                  growth",
-  journal =      "Applied Surface Science",
+  journal =      "Appl. Surf. Sci.",
   volume =       "238",
   number =       "1-4",
   pages =        "159--164",
   volume =       "238",
   number =       "1-4",
   pages =        "159--164",
   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "261",
   number =       "2-3",
   pages =        "266--270",
   volume =       "261",
   number =       "2-3",
   pages =        "266--270",
 
 @Article{liu_l02,
   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
 
 @Article{liu_l02,
   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
-  journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
   volume =       "37",
   number =       "3",
   pages =        "61--127",
   volume =       "37",
   number =       "3",
   pages =        "61--127",
 @Article{takeuchi91,
   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
 @Article{takeuchi91,
   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "115",
   number =       "1-4",
   pages =        "634--638",
   volume =       "115",
   number =       "1-4",
   pages =        "634--638",
   doi =          "10.1063/1.1730376",
 }
 
   doi =          "10.1063/1.1730376",
 }
 
+@Article{horsfield96,
+  title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
+  author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
+                 D. G. Pettifor and M. Aoki",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "53",
+  number =       "19",
+  pages =        "12694--12712",
+  numpages =     "18",
+  year =         "1996",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{abell85,
+  title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
+                 and metallic bonding",
+  author =       "G. C. Abell",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "31",
+  number =       "10",
+  pages =        "6184--6196",
+  numpages =     "12",
+  year =         "1985",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{tersoff_si1,
   title =        "New empirical model for the structural properties of
                  silicon",
 @Article{tersoff_si1,
   title =        "New empirical model for the structural properties of
                  silicon",
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
+@Article{dodson87,
+  title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
+                 silicon",
+  author =       "Brian W. Dodson",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "35",
+  number =       "6",
+  pages =        "2795--2798",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1987",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{tersoff_si2,
   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
                  covalent systems",
 @Article{tersoff_si2,
   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
                  covalent systems",
 @Article{davis91,
   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
                  Palmour and J. A. Edmond",
 @Article{davis91,
   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
                  Palmour and J. A. Edmond",
-  journal =      "Proceedings of the IEEE",
+  journal =      "Proc. IEEE",
   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
                  optoelectronic device fabrication and characterization
                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
                  optoelectronic device fabrication and characterization
                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
 
 @Article{sarro00,
   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 
 @Article{sarro00,
   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
-  journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
+  journal =      "Seonsor. Actuator. A",
   volume =       "82",
   number =       "1-3",
   pages =        "210--218",
   volume =       "82",
   number =       "1-3",
   pages =        "210--218",
   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
                  review",
   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
                  review",
-  journal =      "Solid-State Electronics",
+  journal =      "Solid-State Electron.",
   volume =       "39",
   number =       "10",
   pages =        "1409--1422",
   volume =       "39",
   number =       "10",
   pages =        "1409--1422",
 @Article{giancarli98,
   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
                  structural material in fusion power reactor blankets",
 @Article{giancarli98,
   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
                  structural material in fusion power reactor blankets",
-  journal =      "Fusion Engineering and Design",
+  journal =      "Fusion Eng. Des.",
   volume =       "41",
   number =       "1-4",
   pages =        "165--171",
   volume =       "41",
   number =       "1-4",
   pages =        "165--171",
 
 @Article{pensl93,
   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
 
 @Article{pensl93,
   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
-  journal =      "Physica B: Condensed Matter",
+  journal =      "Physica B",
   volume =       "185",
   number =       "1-4",
   pages =        "264--283",
   volume =       "185",
   number =       "1-4",
   pages =        "264--283",
 @Article{tairov81,
   title =        "General principles of growing large-size single
                  crystals of various silicon carbide polytypes",
 @Article{tairov81,
   title =        "General principles of growing large-size single
                  crystals of various silicon carbide polytypes",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "52",
   number =       "Part 1",
   pages =        "146--150",
   volume =       "52",
   number =       "Part 1",
   pages =        "146--150",
 
 @Article{barrett91,
   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
 
 @Article{barrett91,
   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "109",
   number =       "1-4",
   pages =        "17--23",
   volume =       "109",
   number =       "1-4",
   pages =        "17--23",
 
 @Article{barrett93,
   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
 
 @Article{barrett93,
   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "128",
   number =       "1-4",
   pages =        "358--362",
   volume =       "128",
   number =       "1-4",
   pages =        "358--362",
   title =        "Control of polytype formation by surface energy
                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
                  sublimation method",
   title =        "Control of polytype formation by surface energy
                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
                  sublimation method",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "131",
   number =       "1-2",
   pages =        "71--74",
   volume =       "131",
   number =       "1-2",
   pages =        "71--74",
   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
 }
 
   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
 }
 
+@Article{nagasawa06,
+  author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
+  title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
+  journal =      "Chemical Vapor Deposition",
+  volume =       "12",
+  number =       "8-9",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1521-3862",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
+  doi =          "10.1002/cvde.200506466",
+  pages =        "502--508",
+  keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
+  year =         "2006",
+  notes =        "cvd on si",
+}
+
 @Article{nishino87,
   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
                  and Hiroyuki Matsunami",
 @Article{nishino87,
   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
                  and Hiroyuki Matsunami",
                  Single-Crystal Films on Si",
   publisher =    "ECS",
   year =         "1987",
                  Single-Crystal Films on Si",
   publisher =    "ECS",
   year =         "1987",
-  journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
+  journal =      "J. Electrochem. Soc.",
   volume =       "134",
   number =       "6",
   pages =        "1558--1565",
   volume =       "134",
   number =       "6",
   pages =        "1558--1565",
                  off-axis Si substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1987",
                  off-axis Si substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1987",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "51",
   number =       "11",
   pages =        "823--825",
   volume =       "51",
   number =       "11",
   pages =        "823--825",
 
 @Article{ueda90,
   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
 
 @Article{ueda90,
   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "104",
   number =       "3",
   pages =        "695--700",
   volume =       "104",
   number =       "3",
   pages =        "695--700",
                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1990",
                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1990",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "56",
   number =       "15",
   pages =        "1442--1444",
   volume =       "56",
   number =       "15",
   pages =        "1442--1444",
                  substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1988",
                  substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1988",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "64",
   number =       "5",
   pages =        "2672--2679",
   volume =       "64",
   number =       "5",
   pages =        "2672--2679",
                  substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1988",
                  substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1988",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "63",
   number =       "8",
   pages =        "2645--2650",
   volume =       "63",
   number =       "8",
   pages =        "2645--2650",
                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1991",
                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1991",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "59",
   number =       "3",
   pages =        "333--335",
   volume =       "59",
   number =       "3",
   pages =        "333--335",
 @Article{kaneda87,
   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
                  properties of its p-n junction",
 @Article{kaneda87,
   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
                  properties of its p-n junction",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "81",
   number =       "1-4",
   pages =        "536--542",
   volume =       "81",
   number =       "1-4",
   pages =        "536--542",
                  level using surface superstructures",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1996",
                  level using surface superstructures",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1996",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "68",
   number =       "9",
   pages =        "1204--1206",
   volume =       "68",
   number =       "9",
   pages =        "1204--1206",
                  by ion implantation",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1976",
                  by ion implantation",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1976",
-  journal =      "Radiation Effects",
+  journal =      "Radiat. Eff.",
   volume =       "29",
   number =       "1",
   pages =        "13--15",
   volume =       "29",
   number =       "1",
   pages =        "13--15",
                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1980",
                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1980",
-  journal =      "Radiation Effects",
+  journal =      "Radiat. Eff.",
   volume =       "48",
   number =       "1",
   pages =        "7",
   volume =       "48",
   number =       "1",
   pages =        "7",
                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1986",
                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
   publisher =    "Taylor \& Francis",
   year =         "1986",
-  journal =      "Radiation Effects",
+  journal =      "Radiat. Eff.",
   volume =       "99",
   number =       "1",
   pages =        "71--81",
   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
   volume =       "99",
   number =       "1",
   pages =        "71--81",
   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
-  notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
-                 time",
+  notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
+                 no c redistribution",
 }
 
 @Article{reeson87,
 }
 
 @Article{reeson87,
   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1990",
   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1990",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "67",
   number =       "6",
   pages =        "2908--2912",
   volume =       "67",
   number =       "6",
   pages =        "2908--2912",
   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
 }
 
   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
 }
 
+@Article{hofker74,
+  author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
+                 Koeman",
+  affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
+                 Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
+                 Netherlands",
+  title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
+                 charge carrier and boron concentration profiles",
+  journal =      "Appl. Phys. A",
+  publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
+  ISSN =         "0947-8396",
+  keyword =      "Physics and Astronomy",
+  pages =        "125--133",
+  volume =       "4",
+  issue =        "2",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
+  note =         "10.1007/BF00884267",
+  year =         "1974",
+  notes =        "first time ted (only for boron?)",
+}
+
+@Article{michel87,
+  author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
+                 H. Kastl",
+  collaboration = "",
+  title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
+                 implanted boron into silicon",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1987",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "50",
+  number =       "7",
+  pages =        "416--418",
+  keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
+                 BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
+                 HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
+  doi =          "10.1063/1.98160",
+  notes =        "ted of boron in si",
+}
+
+@Article{cowern90,
+  author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
+                 Jos",
+  collaboration = "",
+  title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
+                 time, and matrix dependence of atomic and electrical
+                 profiles",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1990",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "68",
+  number =       "12",
+  pages =        "6191--6198",
+  keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
+                 DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
+                 CRYSTALS; AMORPHIZATION",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
+  doi =          "10.1063/1.346910",
+  notes =        "ted of boron in si",
+}
+
 @Article{cowern96,
   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
 @Article{cowern96,
   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
   author =       "E Kasper",
   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
                  possibility to produce direct band gap material",
   author =       "E Kasper",
   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
                  possibility to produce direct band gap material",
-  journal =      "Physica Scripta",
+  journal =      "Phys. Scr.",
   volume =       "T35",
   pages =        "232--236",
   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
   volume =       "T35",
   pages =        "232--236",
   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
                  quasi-direct one",
 }
 
                  quasi-direct one",
 }
 
-@Article{osten99,
-  author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
+@Article{eberl92,
+  author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
+                 and F. K. LeGoues",
   collaboration = "",
   collaboration = "",
-  title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
-                 Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
-                 molecular beam epitaxy",
+  title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
+                 Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
   publisher =    "AIP",
   publisher =    "AIP",
-  year =         "1999",
+  year =         "1992",
   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
-  volume =       "74",
-  number =       "6",
-  pages =        "836--838",
-  keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
-                 wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
-                 compounds",
-  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
-  doi =          "10.1063/1.123384",
-  notes =        "substitutional c in si",
-}
-
-@Article{hohenberg64,
-  title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
-  author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
-  journal =      "Phys. Rev.",
-  volume =       "136",
-  number =       "3B",
-  pages =        "B864--B871",
-  numpages =     "7",
-  year =         "1964",
-  month =        nov,
+  volume =       "60",
+  number =       "24",
+  pages =        "3033--3035",
+  keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
+                 TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
+                 EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
+                 STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
+                 STUDIES",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
+  doi =          "10.1063/1.106774",
+}
+
+@Article{powell93,
+  author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
+                 Ek and S. S. Iyer",
+  collaboration = "",
+  title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
+                 alloy layers",
+  publisher =    "AVS",
+  year =         "1993",
+  journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
+  volume =       "11",
+  number =       "3",
+  pages =        "1064--1068",
+  location =     "Ottawa (Canada)",
+  keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
+                 METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
+                 BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
+                 TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
+  doi =          "10.1116/1.587008",
+  notes =        "substitutional c in si by mbe",
+}
+
+@Article{powell93_2,
+  title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
+                 of the ternary system",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
+  volume =       "127",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "425--429",
+  year =         "1993",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
+  author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
+                 Iyer",
+}
+
+@Article{osten94,
+  author =       "H. J. Osten",
+  title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
+                 Epitaxial Systems: Si/Ge",
+  journal =      "phys. status solidi (a)",
+  volume =       "145",
+  number =       "2",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1521-396X",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
+  doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
+  pages =        "235--245",
+  year =         "1994",
+}
+
+@Article{dietrich94,
+  title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
+                 $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
+  author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
+                 Methfessel and P. Zaumseil",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "49",
+  number =       "24",
+  pages =        "17185--17190",
+  numpages =     "5",
+  year =         "1994",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{osten94_2,
+  author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
+  collaboration = "",
+  title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
+                 on Si(001) by adding small amounts of carbon",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1994",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "64",
+  number =       "25",
+  pages =        "3440--3442",
+  keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
+                 ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
+                 XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
+                 LATTICES",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
+  doi =          "10.1063/1.111235",
+  notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
+}
+
+@Article{iyer92,
+  author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
+                 LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
+  collaboration = "",
+  title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
+                 molecular beam epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1992",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "60",
+  number =       "3",
+  pages =        "356--358",
+  keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
+                 SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
+                 EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
+                 FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
+  doi =          "10.1063/1.106655",
+}
+
+@Article{osten99,
+  author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
+  collaboration = "",
+  title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
+                 Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
+                 molecular beam epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1999",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "74",
+  number =       "6",
+  pages =        "836--838",
+  keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
+                 wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
+                 compounds",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
+  doi =          "10.1063/1.123384",
+  notes =        "substitutional c in si by mbe",
+}
+
+@Article{born27,
+  author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
+  title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
+  journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
+  volume =       "389",
+  number =       "20",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1521-3889",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
+  doi =          "10.1002/andp.19273892002",
+  pages =        "457--484",
+  year =         "1927",
+}
+
+@Article{hohenberg64,
+  title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
+  author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  volume =       "136",
+  number =       "3B",
+  pages =        "B864--B871",
+  numpages =     "7",
+  year =         "1964",
+  month =        nov,
   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
   publisher =    "American Physical Society",
   notes =        "density functional theory, dft",
 }
 
   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
   publisher =    "American Physical Society",
   notes =        "density functional theory, dft",
 }
 
+@Article{thomas27,
+  title =        "The calculation of atomic fields",
+  author =       "L. H. Thomas",
+  journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
+  volume =       "23",
+  pages =        "542--548",
+  year =         "1927",
+  doi =          "10.1017/S0305004100011683",
+}
+
+@Article{fermi27,
+  title =        "",
+  author =       "E. Fermi",
+  journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
+                 Rend.",
+  volume =       "6",
+  pages =        "602",
+  year =         "1927",
+}
+
+@Article{hartree28,
+  title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
+                 Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
+  author =       "D. R. Hartree",
+  journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
+  volume =       "24",
+  pages =        "89--110",
+  year =         "1928",
+  doi =          "10.1017/S0305004100011919",
+}
+
+@Article{slater29,
+  title =        "The Theory of Complex Spectra",
+  author =       "J. C. Slater",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  volume =       "34",
+  number =       "10",
+  pages =        "1293--1322",
+  numpages =     "29",
+  year =         "1929",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{kohn65,
   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
                  Correlation Effects",
 @Article{kohn65,
   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
                  Correlation Effects",
   notes =        "dft, exchange and correlation",
 }
 
   notes =        "dft, exchange and correlation",
 }
 
+@Article{kohn96,
+  title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
+                 Linearly with the Number of Atoms",
+  author =       "W. Kohn",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "76",
+  number =       "17",
+  pages =        "3168--3171",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1996",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{kohn98,
+  title =        "Edge Electron Gas",
+  author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "81",
+  number =       "16",
+  pages =        "3487--3490",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1998",
+  month =        oct,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{kohn99,
+  title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
+                 functions and density functionals",
+  author =       "W. Kohn",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "71",
+  number =       "5",
+  pages =        "1253--1266",
+  numpages =     "13",
+  year =         "1999",
+  month =        oct,
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{payne92,
+  title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
+                 total-energy calculations: molecular dynamics and
+                 conjugate gradients",
+  author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
+                 Arias and J. D. Joannopoulos",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "64",
+  number =       "4",
+  pages =        "1045--1097",
+  numpages =     "52",
+  year =         "1992",
+  month =        oct,
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{levy82,
+  title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
+  author =       "Mel Levy",
+  journal =      "Phys. Rev. A",
+  volume =       "26",
+  number =       "3",
+  pages =        "1200--1208",
+  numpages =     "8",
+  year =         "1982",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{ruecker94,
   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
 @Article{ruecker94,
   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
                  si, dft",
 }
 
                  si, dft",
 }
 
+@Article{yagi02,
+  title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
+                 Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
+                 by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
+  author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
+                 Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
+  journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
+  volume =       "41",
+  number =       "Part 1, No. 4B",
+  pages =        "2472--2475",
+  numpages =     "3",
+  year =         "2002",
+  URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
+  doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
+  publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
+  notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
+}
+
 @Article{chang05,
   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
                  Alloy",
 @Article{chang05,
   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
                  Alloy",
   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
-  notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
+  notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
+}
+
+@Article{kissinger94,
+  author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
+                 Eichler",
+  collaboration = "",
+  title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
+                 y] layers on Si(001)",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1994",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "65",
+  number =       "26",
+  pages =        "3356--3358",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
+                 CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
+                 SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
+                 ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
+  doi =          "10.1063/1.112390",
+  notes =        "strained si influence on optical properties",
+}
+
+@Article{osten96,
+  author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
+                 Zaumseil",
+  collaboration = "",
+  title =        "Substitutional versus interstitial carbon
+                 incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
+                 y]{C}[sub y] on Si(001)",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1996",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "80",
+  number =       "12",
+  pages =        "6711--6715",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
+                 MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
+                 XRD; STRAINS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
+  doi =          "10.1063/1.363797",
+  notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
 }
 
 @Article{osten97,
 }
 
 @Article{osten97,
 }
 
 @Article{parcas_md,
 }
 
 @Article{parcas_md,
-  title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
+  journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
   author =       "K. Nordlund",
   year =         "2008",
 }
   author =       "K. Nordlund",
   year =         "2008",
 }
 @Article{chaussende07,
   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
 @Article{chaussende07,
   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
-  journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
+  journal =      "J. Phys. D",
   volume =       "40",
   number =       "20",
   pages =        "6150",
   volume =       "40",
   number =       "20",
   pages =        "6150",
                  Heteroepitaxial Growth",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
   year =         "1997",
                  Heteroepitaxial Growth",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
   year =         "1997",
-  journal =      "physica status solidi (b)",
+  journal =      "phys. status solidi (b)",
   volume =       "202",
   pages =        "405--420",
   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
   volume =       "202",
   pages =        "405--420",
   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
 
 @Article{hornstra58,
   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
 
 @Article{hornstra58,
   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
-  journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
+  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
   volume =       "5",
   number =       "1-2",
   pages =        "129--141",
   volume =       "5",
   number =       "1-2",
   pages =        "129--141",
   notes =        "paw method",
 }
 
   notes =        "paw method",
 }
 
+@InCollection{cohen70,
+  title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
+                 and Their Subsequent Application",
+  editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
+  publisher =    "Academic Press",
+  year =         "1970",
+  volume =       "24",
+  pages =        "37--248",
+  series =       "Solid State Physics",
+  ISSN =         "0081-1947",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
+  author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
+}
+
+@Book{delerue04,
+  title =        "Nanostructures: Theory and Modelling",
+  author =       "Christophe Delerue and Michel Lannoo",
+  year =         "2004",
+  publisher =    "Springer",
+}
+
+@Article{klimeck02,
+  title =        "Development of a nanoelectronic 3-{D} ({NEMO} 3-{D})
+                 simulator for multimillion atom simulations and its
+                 application to alloyed quantum dots",
+  author =       "Gerhard Klimeck and Fabiano Oyafuso and Timothy B
+                 Boykin and R Chris Bowen and Paul von Allmen",
+  year =         "2002",
+  journal =      "Comput. Modeling Eng. Sci.",
+  volume =       "3",
+  pages =        "601",
+}
+
+@Article{klimeck07,
+  title =        "Atomistic simulation of realistically sized
+                 nanodevices using {NEMO} 3-{D}¿Part {I}: Models and
+                 benchmarks",
+  author =       "Gerhard Klimeck and Shaikh Shahid Ahmed and Hansang
+                 Bae and Neerav Kharche and Steve Clark and Benjamin
+                 Haley and Sunhee Lee and Maxim Naumov and Hoon Ryu and
+                 Faisal Saied and others",
+  journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
+  volume =       "54",
+  number =       "9",
+  pages =        "2079--2089",
+  year =         "2007",
+  publisher =    "IEEE",
+}
+
 @Article{hamann79,
   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
 @Article{hamann79,
   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
 }
 
   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
 }
 
+@Article{kleinman82,
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.48.1425",
+  issue =        "20",
+  author =       "Leonard Kleinman and D. M. Bylander",
+  title =        "Efficacious Form for Model Pseudopotentials",
+  year =         "1982",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.48.1425",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "1425--1428",
+  volume =       "48",
+}
+
+@Article{troullier91,
+  title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
+                 calculations",
+  author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "43",
+  number =       "3",
+  pages =        "1993--2006",
+  numpages =     "13",
+  year =         "1991",
+  month =        jan,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{vanderbilt90,
   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
                  eigenvalue formalism",
 @Article{vanderbilt90,
   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
                  eigenvalue formalism",
   notes =        "vasp pseudopotentials",
 }
 
   notes =        "vasp pseudopotentials",
 }
 
+@Article{ceperley80,
+  title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
+                 Method",
+  author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "45",
+  number =       "7",
+  pages =        "566--569",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1980",
+  month =        aug,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{perdew81,
+  title =        "Self-interaction correction to density-functional
+                 approximations for many-electron systems",
+  author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "23",
+  number =       "10",
+  pages =        "5048--5079",
+  numpages =     "31",
+  year =         "1981",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{perdew86,
   title =        "Accurate and simple density functional for the
                  electronic exchange energy: Generalized gradient
 @Article{perdew86,
   title =        "Accurate and simple density functional for the
                  electronic exchange energy: Generalized gradient
 @Article{perdew02,
   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
                  correlation: {A} look backward and forward",
 @Article{perdew02,
   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
                  correlation: {A} look backward and forward",
-  journal =      "Physica B: Condensed Matter",
+  journal =      "Physica B",
   volume =       "172",
   number =       "1-2",
   pages =        "1--6",
   volume =       "172",
   number =       "1-2",
   pages =        "1--6",
   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
 }
 
   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
 }
 
+@Article{chadi73,
+  title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
+  author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "8",
+  number =       "12",
+  pages =        "5747--5753",
+  numpages =     "6",
+  year =         "1973",
+  month =        dec,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{baldereschi73,
   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
   author =       "A. Baldereschi",
 @Article{baldereschi73,
   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
   author =       "A. Baldereschi",
   notes =        "mean value k point",
 }
 
   notes =        "mean value k point",
 }
 
+@Article{monkhorst76,
+  title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
+  author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "13",
+  number =       "12",
+  pages =        "5188--5192",
+  numpages =     "4",
+  year =         "1976",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
 @Article{zhu98,
   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
                  diffusion in Si",
 @Article{zhu98,
   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
                  diffusion in Si",
                  si",
 }
 
                  si",
 }
 
+@Article{jones89,
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.61.689",
+  month =        jul,
+  issue =        "3",
+  author =       "R. O. Jones and O. Gunnarsson",
+  year =         "1989",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.61.689",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  title =        "The density functional formalism, its applications and
+                 prospects",
+  pages =        "689--746",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "61",
+  notes =        "dft intro",
+}
+
 @Article{park02,
   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
 @Article{park02,
   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
 @Article{losev28,
   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
                  oscillations with crystals",
 @Article{losev28,
   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
                  oscillations with crystals",
-  journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
+  journal =      "Philos. Mag. Series 7",
   volume =       "6",
   number =       "39",
   pages =        "1024--1044",
   volume =       "6",
   number =       "39",
   pages =        "1024--1044",
   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1966",
   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1966",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "37",
   number =       "1",
   pages =        "333--336",
   volume =       "37",
   number =       "1",
   pages =        "333--336",
   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1953",
   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1953",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "21",
   number =       "5",
   pages =        "821--827",
   volume =       "21",
   number =       "5",
   pages =        "821--827",
                  improved external quantum efficiency",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1982",
                  improved external quantum efficiency",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1982",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "53",
   number =       "10",
   pages =        "6962--6967",
   volume =       "53",
   number =       "10",
   pages =        "6962--6967",
                  Road 44135 Cleveland OH",
   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
                  technology",
                  Road 44135 Cleveland OH",
   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
                  technology",
-  journal =      "Journal of Electronic Materials",
+  journal =      "J. Electron. Mater.",
   publisher =    "Springer Boston",
   ISSN =         "0361-5235",
   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
   publisher =    "Springer Boston",
   ISSN =         "0361-5235",
   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
 }
 
   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
 }
 
+@InProceedings{pribble02,
+  author =       "W. L. Pribble and J. W. Palmour and S. T. Sheppard and
+                 R. P. Smith and S. T. Allen and T. J. Smith and Z. Ring
+                 and J. J. Sumakeris and A. W. Saxler and J. W.
+                 Milligan",
+  booktitle =    "2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
+                 Digest",
+  title =        "Applications of Si{C} {MESFET}s and Ga{N} {HEMT}s in
+                 power amplifier design",
+  year =         "2002",
+  month =        "",
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "1819--1822",
+  doi =          "10.1109/MWSYM.2002.1012216",
+  ISSN =         "",
+  notes =        "hdtv",
+}
+
+@InProceedings{temcamani01,
+  author =       "F. Temcamani and P. Pouvil and O. Noblanc and C.
+                 Brylinski and P. Bannelier and B. Darges and J. P.
+                 Prigent",
+  booktitle =    "2001 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
+                 Digest",
+  title =        "Silicon carbide {MESFET}s performances and application
+                 in broadcast power amplifiers",
+  year =         "2001",
+  month =        "",
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "641--644",
+  doi =          "10.1109/MWSYM.2001.966976",
+  ISSN =         "",
+  notes =        "hdtv",
+}
+
+@Article{pensl00,
+  author =       "Gerhard Pensl and Michael Bassler and Florin Ciobanu
+                 and Valeri Afanas'ev and Hiroshi Yano and Tsunenobu
+                 Kimoto and Hiroyuki Matsunami",
+  title =        "Traps at the Si{C}/Si{O2}-Interface",
+  journal =      "MRS Proc.",
+  volume =       "640",
+  number =       "",
+  pages =        "",
+  year =         "2000",
+  doi =          "10.1557/PROC-640-H3.2",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-640-H3.2",
+}
+
 @Article{bhatnagar93,
   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
 @Article{bhatnagar93,
   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
-  journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
+  journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
                  devices",
   year =         "1993",
   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
                  devices",
   year =         "1993",
   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
 }
 
   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
 }
 
-@Article{neudeck94,
-  author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
+@Article{ryu01,
+  author =       "Sei-Hyung Ryu and A. K. Agarwal and R. Singh and J. W.
+                 Palmour",
+  journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
+  title =        "1800 {V} {NPN} bipolar junction transistors in
+                 4{H}-Si{C}",
+  year =         "2001",
+  month =        mar,
+  volume =       "22",
+  number =       "3",
+  pages =        "124--126",
+  keywords =     "1800 V;4H-SiC high-voltage n-p-n bipolar junction
+                 transistor;SiC;blocking voltage;current gain;deep level
+                 acceptor;minority carrier lifetime;on-resistance;power
+                 switching device;temperature coefficient;carrier
+                 lifetime;deep levels;minority carriers;power bipolar
+                 transistors;silicon compounds;wide band gap
+                 semiconductors;",
+  doi =          "10.1109/55.910617",
+  ISSN =         "0741-3106",
+}
+
+@Article{baliga96,
+  author =       "B. J. Baliga",
+  journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
+  title =        "Trends in power semiconductor devices",
+  year =         "1996",
+  month =        oct,
+  volume =       "43",
+  number =       "10",
+  pages =        "1717--1731",
+  keywords =     "DMOS technology;GTO;GaAs;IGBT;MOS-gated
+                 devices;MOS-gated thyristors;MPS rectifier;PIN
+                 rectifier;Schottky rectifier;Si;SiC;SiC based
+                 switches;TMBS rectifier;UMOS technology;VMOS
+                 technology;bipolar power transistor;high voltage power
+                 rectifiers;low voltage power rectifiers;power
+                 MOSFET;power losses;power semiconductor devices;power
+                 switch technology;review;semiconductor device
+                 technology;MOS-controlled thyristors;bipolar transistor
+                 switches;field effect transistor switches;gallium
+                 arsenide;insulated gate bipolar transistors;p-i-n
+                 diodes;power bipolar transistors;power field effect
+                 transistors;power semiconductor devices;power
+                 semiconductor diodes;power semiconductor
+                 switches;reviews;silicon;silicon compounds;solid-state
+                 rectifiers;thyristors;",
+  doi =          "10.1109/16.536818",
+  ISSN =         "0018-9383",
+}
+
+@Article{bhatnagar92,
+  author =       "M. Bhatnagar and P. K. McLarty and B. J. Baliga",
+  journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
+  title =        "Silicon-carbide high-voltage (400 {V}) Schottky
+                 barrier diodes",
+  year =         "1992",
+  month =        oct,
+  volume =       "13",
+  number =       "10",
+  pages =        "501--503",
+  keywords =     "1.1 V;25 to 200 C;400 V;6H-SiC;Pt-SiC;Schottky barrier
+                 diodes;breakdown
+                 voltages;characteristics;fabrication;forward I-V
+                 characteristics;forward voltage drop;on-state current
+                 density;rectifiers;reverse I-V characteristics;reverse
+                 recovery characteristics;sharp breakdown;temperature
+                 range;Schottky-barrier diodes;platinum;power
+                 electronics;semiconductor materials;silicon
+                 compounds;solid-state rectifiers;",
+  doi =          "10.1109/55.192814",
+  ISSN =         "0741-3106",
+}
+
+@Article{neudeck94,
+  author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
-  journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
+  journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
                  6{H}-Si{C} substrates",
   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
                  6{H}-Si{C} substrates",
                  substrate",
 }
 
                  substrate",
 }
 
+@Article{weitzel96,
+  author =       "C. E. Weitzel and J. W. Palmour and Jr. {Carter, C.H.}
+                 and K. Moore and K. K. Nordquist and S. Allen and C.
+                 Thero and M. Bhatnagar",
+  journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
+  title =        "Silicon carbide high-power devices",
+  year =         "1996",
+  month =        oct,
+  volume =       "43",
+  number =       "10",
+  pages =        "1732--1741",
+  keywords =     "1200 V;1400 V;4H-SiC;500 MHz to 32 GHz;57 W;Schottky
+                 barrier diodes;SiC;SiC devices;UMOSFET;current
+                 density;high electric breakdown field;high saturated
+                 electron drift velocity;high thermal
+                 conductivity;high-power devices;packaged SIT;submicron
+                 gate length MESFET;Schottky diodes;current
+                 density;electric breakdown;power MESFET;power
+                 MOSFET;power semiconductor devices;power semiconductor
+                 diodes;reviews;silicon compounds;static induction
+                 transistors;wide band gap semiconductors;",
+  doi =          "10.1109/16.536819",
+  ISSN =         "0018-9383",
+  notes =        "high power devices",
+}
+
+@Article{zhu08,
+  author =       "Lin Zhu and T. P. Chow",
+  journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
+  title =        "Advanced High-Voltage 4{H}-Si{C} Schottky Rectifiers",
+  year =         "2008",
+  month =        aug,
+  volume =       "55",
+  number =       "8",
+  pages =        "1871--1874",
+  keywords =     "H-SiC;OFF-state characteristics;ON-state
+                 characteristics;blocking capability;high-voltage
+                 Schottky rectifier;junction barrier Schottky
+                 rectifier;lateral channel JBS rectifier;leakage
+                 current;pinlike reverse characteristics;Schottky
+                 barriers;Schottky diodes;leakage currents;rectifying
+                 circuits;",
+  doi =          "10.1109/TED.2008.926642",
+  ISSN =         "0018-9383",
+}
+
+@Article{brown93,
+  author =       "D. M. Brown and E. T. Downey and M. Ghezzo and J. W.
+                 Kretchmer and R. J. Saia and Y. S. Liu and J. A. Edmond
+                 and G. Gati and J. M. Pimbley and W. E. Schneider",
+  journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
+  title =        "Silicon carbide {UV} photodiodes",
+  year =         "1993",
+  month =        feb,
+  volume =       "40",
+  number =       "2",
+  pages =        "325--333",
+  keywords =     "200 to 400 nm;6H epitaxial layers;SiC photodiodes;UV
+                 responsivity characteristics;low dark current;low light
+                 level UV detection;quantum
+                 efficiency;reproducibility;reverse current
+                 leakage;short circuit output current;leakage
+                 currents;photodiodes;semiconductor
+                 materials;short-circuit currents;silicon
+                 compounds;ultraviolet detectors;",
+  doi =          "10.1109/16.182509",
+  ISSN =         "0018-9383",
+  notes =        "sic photo diodes, uv detector",
+}
+
+@Article{yan04,
+  author =       "Feng Yan and Xiaobin Xin and S. Aslam and Yuegang Zhao
+                 and D. Franz and J. H. Zhao and M. Weiner",
+  journal =      "IEEE J. Quantum Electron.",
+  title =        "4{H}-Si{C} {UV} photo detectors with large area and
+                 very high specific detectivity",
+  year =         "2004",
+  month =        sep,
+  volume =       "40",
+  number =       "9",
+  pages =        "1315--1320",
+  keywords =     "-1 V; 1.2E-14 A; 210 to 350 nm; 4H-SiC UV
+                 photodetectors; 5 mm; Pt/4H-SiC Schottky photodiodes;
+                 SiC-Pt; leakage current; photoresponse spectra; quantum
+                 efficiency; specific detectivity; Schottky diodes;
+                 photodetectors; platinum; silicon compounds; wide band
+                 gap semiconductors;",
+  doi =          "10.1109/JQE.2004.833196",
+  ISSN =         "0018-9197",
+  notes =        "uv detector",
+}
+
 @Article{schulze98,
   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
   collaboration = "",
 @Article{schulze98,
   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
   collaboration = "",
                  single crystals by physical vapor transport",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1998",
                  single crystals by physical vapor transport",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1998",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "72",
   number =       "13",
   pages =        "1632--1634",
   volume =       "72",
   number =       "13",
   pages =        "1632--1634",
   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
 }
 
   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
 }
 
+@Article{frank51,
+  author =       "F. C. Frank",
+  title =        "Capillary equilibria of dislocated crystals",
+  journal =      "Acta Crystallogr.",
+  year =         "1951",
+  volume =       "4",
+  number =       "6",
+  pages =        "497--501",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1107/S0365110X51001690",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1107/S0365110X51001690",
+  notes =        "micropipe",
+}
+
+@Article{heindl97,
+  author =       "J. Heindl and H. P. Strunk and V. D. Heydemann and G.
+                 Pensl",
+  title =        "Micropipes: Hollow Tubes in Silicon Carbide",
+  journal =      "phys. status solidi (a)",
+  volume =       "162",
+  number =       "1",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1521-396X",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(199707)162:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-7",
+  doi =          "10.1002/1521-396X(199707)162:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-7",
+  pages =        "251--262",
+  year =         "1997",
+  notes =        "micropipe",
+}
+
+@Article{neudeck94_2,
+  author =       "P. G. Neudeck and J. A. Powell",
+  journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
+  title =        "Performance limiting micropipe defects in silicon
+                 carbide wafers",
+  year =         "1994",
+  month =        feb,
+  volume =       "15",
+  number =       "2",
+  pages =        "63--65",
+  keywords =     "SiC;defect density;device ratings;epitaxially-grown pn
+                 junction devices;micropipe defects;power devices;power
+                 semiconductors;pre-avalanche reverse-bias point
+                 failures;p-n homojunctions;power
+                 electronics;semiconductor materials;silicon
+                 compounds;",
+  doi =          "10.1109/55.285372",
+  ISSN =         "0741-3106",
+}
+
 @Article{pirouz87,
   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
   collaboration = "",
   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1987",
 @Article{pirouz87,
   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
   collaboration = "",
   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1987",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "50",
   number =       "4",
   pages =        "221--223",
   volume =       "50",
   number =       "4",
   pages =        "221--223",
 @Article{shibahara86,
   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
                  Si(100) by chemical vapor deposition",
 @Article{shibahara86,
   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
                  Si(100) by chemical vapor deposition",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "78",
   number =       "3",
   pages =        "538--544",
   volume =       "78",
   number =       "3",
   pages =        "538--544",
   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1996",
   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1996",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "79",
   number =       "3",
   pages =        "1423--1434",
   volume =       "79",
   number =       "3",
   pages =        "1423--1434",
                  carbonization of silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1995",
                  carbonization of silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1995",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "78",
   number =       "3",
   pages =        "2070--2073",
   volume =       "78",
   number =       "3",
   pages =        "2070--2073",
 @Article{fuyuki89,
   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
                  {MBE} using surface superstructure",
 @Article{fuyuki89,
   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
                  {MBE} using surface superstructure",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "95",
   number =       "1-4",
   pages =        "461--463",
   volume =       "95",
   number =       "1-4",
   pages =        "461--463",
                  molecular beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1992",
                  molecular beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1992",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "60",
   number =       "7",
   pages =        "824--826",
   volume =       "60",
   number =       "7",
   pages =        "824--826",
 @Article{yoshinobu90,
   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
                  cubic Si{C}",
 @Article{yoshinobu90,
   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
                  cubic Si{C}",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "99",
   number =       "1-4",
   pages =        "520--524",
   volume =       "99",
   number =       "1-4",
   pages =        "520--524",
                  molecular beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
                  molecular beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "65",
   number =       "22",
   pages =        "2851--2853",
   volume =       "65",
   number =       "22",
   pages =        "2851--2853",
                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
   year =         "1997",
                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
   year =         "1997",
-  journal =      "physica status solidi (b)",
+  journal =      "phys. status solidi (b)",
   volume =       "202",
   pages =        "359--378",
   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
   volume =       "202",
   pages =        "359--378",
   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
 
 @Article{takaoka98,
   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
 
 @Article{takaoka98,
   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "183",
   number =       "1-2",
   pages =        "175--182",
   volume =       "183",
   number =       "1-2",
   pages =        "175--182",
   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
                  molecular beam epitaxy",
   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
                  molecular beam epitaxy",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "150",
   number =       "Part 2",
   pages =        "934--938",
   volume =       "150",
   number =       "Part 2",
   pages =        "934--938",
   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
                  Metastable Cubic Form",
   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
                  Metastable Cubic Form",
-  journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
+  journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
   volume =       "74",
   number =       "10",
   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
   volume =       "74",
   number =       "10",
   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
 @Article{allendorf91,
   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
                  [beta]-silicon carbide",
 @Article{allendorf91,
   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
                  [beta]-silicon carbide",
-  journal =      "Surface Science",
+  journal =      "Surf. Sci.",
   volume =       "258",
   number =       "1-3",
   pages =        "177--189",
   volume =       "258",
   number =       "1-3",
   pages =        "177--189",
   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "74",
   number =       "11",
   pages =        "6615--6618",
   volume =       "74",
   number =       "11",
   pages =        "6615--6618",
 @Article{newman85,
   author =       "Ronald C. Newman",
   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
 @Article{newman85,
   author =       "Ronald C. Newman",
   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
-  journal =      "MRS Online Proceedings Library",
+  journal =      "MRS Proc.",
   volume =       "59",
   number =       "",
   pages =        "403",
   volume =       "59",
   number =       "",
   pages =        "403",
   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
 }
 
   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
 }
 
+@Article{newman61,
+  title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
+  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
+  volume =       "19",
+  number =       "3-4",
+  pages =        "230--234",
+  year =         "1961",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-3697",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
+  author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
+  notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
+}
+
 @Article{goesele85,
   author =       "U. Gösele",
   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
 @Article{goesele85,
   author =       "U. Gösele",
   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
-  journal =      "MRS Online Proceedings Library",
+  journal =      "MRS Proc.",
   volume =       "59",
   number =       "",
   pages =        "419",
   volume =       "59",
   number =       "",
   pages =        "419",
   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
 }
 
   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
 }
 
+@Article{mukashev82,
+  title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
+  author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
+                 Fukuoka and Haruo Saito",
+  journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
+  volume =       "21",
+  number =       "Part 1, No. 2",
+  pages =        "399--400",
+  numpages =     "1",
+  year =         "1982",
+  URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
+  doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
+  publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
+}
+
 @Article{puska98,
   title =        "Convergence of supercell calculations for point
                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
 @Article{puska98,
   title =        "Convergence of supercell calculations for point
                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1995",
                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1995",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "77",
   number =       "7",
   pages =        "2978--2984",
   volume =       "77",
   number =       "7",
   pages =        "2978--2984",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
   doi =          "10.1063/1.358714",
 }
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
   doi =          "10.1063/1.358714",
 }
+
+@Article{romano-rodriguez96,
+  title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
+                 dose carbon ion implantation in silicon",
+  journal =      "Materials Science and Engineering B",
+  volume =       "36",
+  number =       "1-3",
+  pages =        "282--285",
+  year =         "1996",
+  note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
+                 Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
+                 Oxygen in Silicon and in Other Elemental
+                 Semiconductors",
+  ISSN =         "0921-5107",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
+  author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
+                 and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
+                 and W. Skorupa",
+  keywords =     "Silicon",
+  keywords =     "Ion implantation",
+  notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
+}
+
+@Article{davidson75,
+  title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
+                 eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
+                 real-symmetric matrices",
+  journal =      "J. Comput. Phys.",
+  volume =       "17",
+  number =       "1",
+  pages =        "87--94",
+  year =         "1975",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0021-9991",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
+  author =       "Ernest R. Davidson",
+}
+
+@Book{adorno_mm,
+  title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
+                 Leben",
+  author =       "T. W. Adorno",
+  ISBN =         "978-3-518-01236-9",
+  URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
+  year =         "1994",
+  publisher =    "Suhrkamp",
+}
+
+@Misc{attenberger03,
+  author =       "Wilfried Attenberger and Jörg Lindner and Bernd
+                 Stritzker",
+  title =        "A {method} {for} {forming} {a} {layered}
+                 {semiconductor} {structure} {and} {corresponding}
+                 {structure}",
+  year =         "2003",
+  month =        apr,
+  day =          "24",
+  note =         "WO 2003/034484 A3R4",
+  version =      "A3R4",
+  howpublished = "Patent Application",
+  nationality =  "WO",
+  filing_num =   "EP0211423",
+  yearfiled =    "2002",
+  monthfiled =   "10",
+  dayfiled =     "11",
+  pat_refs =     "",
+  ipc_class =    "7B 81C 1/00 B; 7H 01L 21/04 B; 7H 01L 21/265 B; 7H 01L
+                 21/322 B; 7H 01L 21/324 B; 7H 01L 21/74 A; 7H 01L
+                 21/762 B; 7H 01L 29/165 B; 7H 01L 33/00 B",
+  us_class =     "",
+  abstract =     "The following invention provides a method for forming
+                 a layered semiconductor structure having a layer (5) of
+                 a first semiconductor material on a substrate (1; 1')
+                 of at least one second semiconductor material,
+                 comprising the steps of: providing said substrate (1;
+                 1'); burying said layer (5) of said first semiconductor
+                 material in said substrate (1; 1'), said buried layer
+                 (5) having an upper surface (105) and a lower surface
+                 (105) and dividing said substrate (1; 1') into an upper
+                 part (1a) and a lower part (1b; 1b', 1c); creating a
+                 buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') which at
+                 least partly adjoins and/or at least partly includes
+                 said upper surface (105) of said buried layer (5); and
+                 removing said upper part (1a) of said substrate (1; 1')
+                 and said buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') for
+                 exposing said buried layer (5). The invention also
+                 provides a corresponding layered semiconductor
+                 structure.",
+}
+
+@Article{zunger01,
+  author =       "Alex Zunger",
+  title =        "Pseudopotential Theory of Semiconductor Quantum Dots",
+  journal =      "phys. status solidi (b)",
+  volume =       "224",
+  number =       "3",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH",
+  ISSN =         "1521-3951",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<727::AID-PSSB727>3.0.CO;2-9",
+  doi =          "10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<727::AID-PSSB727>3.0.CO;2-9",
+  pages =        "727--734",
+  keywords =     "71.15.Dx, 73.21.La, S5.11, S5.12, S7.11, S7.12, S8.11,
+                 S8.12",
+  year =         "2001",
+  notes =        "configuration-interaction method, ci",
+}
+
+@Article{zunger02,
+  author =       "Alex Zunger",
+  title =        "On the Farsightedness (hyperopia) of the Standard k ·
+                 p Model",
+  journal =      "phys. status solidi (a)",
+  volume =       "190",
+  number =       "2",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH",
+  ISSN =         "1521-396X",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(200204)190:2<467::AID-PSSA467>3.0.CO;2-4",
+  doi =          "10.1002/1521-396X(200204)190:2<467::AID-PSSA467>3.0.CO;2-4",
+  pages =        "467--475",
+  keywords =     "73.20.At, 73.21.Cd, 73.21.La, 73.22.¿b, 78.20.Bh",
+  year =         "2002",
+}
+
+@Article{robertson90,
+  author =       "I. J. Robertson and M. C. Payne",
+  title =        "k-point sampling and the k.p method in pseudopotential
+                 total energy calculations",
+  journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
+  volume =       "2",
+  number =       "49",
+  pages =        "9837",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/2/i=49/a=010",
+  year =         "1990",
+  notes =        "kp method",
+}
+
+@Article{lange11,
+  volume =       "84",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  author =       "Bj{\"o}rn Lange and Christoph Freysoldt and J{\"o}rg
+                 Neugebauer",
+  month =        aug,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.085101",
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.84.085101",
+  year =         "2011",
+  title =        "Construction and performance of fully numerical
+                 optimum atomic basis sets",
+  issue =        "8",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  numpages =     "11",
+  pages =        "085101",
+  notes =        "quamol, basis set, for planc",
+}
+
+@Article{artacho91,
+  volume =       "43",
+  journal =      "Phys. Rev. A",
+  author =       "Emilio Artacho and Lorenzo Mil\'ans del Bosch",
+  month =        jun,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevA.43.5770",
+  doi =          "10.1103/PhysRevA.43.5770",
+  year =         "1991",
+  title =        "Nonorthogonal basis sets in quantum mechanics:
+                 Representations and second quantization",
+  issue =        "11",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "5770--5777",
+  notes =        "non-orthogonal basis set",
+}
+
+@Article{artacho99,
+  author =       "E. Artacho and D. Sánchez-Portal and P. Ordejón and
+                 A. García and J. M. Soler",
+  title =        "Linear-Scaling ab-initio Calculations for Large and
+                 Complex Systems",
+  journal =      "physica status solidi (b)",
+  volume =       "215",
+  number =       "1",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1521-3951",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(199909)215:1<809::AID-PSSB809>3.0.CO;2-0",
+  doi =          "10.1002/(SICI)1521-3951(199909)215:1<809::AID-PSSB809>3.0.CO;2-0",
+  pages =        "809--817",
+  year =         "1999",
+}
+
+@Article{loewdin50,
+  author =       "Per-Olov L{\"{o}}wdin",
+  collaboration = "",
+  title =        "On the Non-Orthogonality Problem Connected with the
+                 Use of Atomic Wave Functions in the Theory of Molecules
+                 and Crystals",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1950",
+  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  volume =       "18",
+  number =       "3",
+  pages =        "365--375",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/18/365/1",
+  doi =          "10.1063/1.1747632",
+  notes =        "non orthogonal basis set",
+}
+
+@Article{loewdin68,
+  author =       "Per-Olov Löwdin",
+  title =        "Studies in perturbation theory {XIII}. Treatment of
+                 constants of motion in resolvent method, partitioning
+                 technique, and perturbation theory",
+  journal =      "International Journal of Quantum Chemistry",
+  volume =       "2",
+  number =       "6",
+  publisher =    "John Wiley & Sons, Inc.",
+  ISSN =         "1097-461X",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/qua.560020612",
+  doi =          "10.1002/qua.560020612",
+  pages =        "867--931",
+  year =         "1968",
+}
+
+@Article{chadi77,
+  volume =       "16",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  author =       "D. J. Chadi",
+  month =        oct,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.16.3572",
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.16.3572",
+  year =         "1977",
+  title =        "Localized-orbital description of wave functions and
+                 energy bands in semiconductors",
+  issue =        "8",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "3572--3578",
+  notes =        "localized orbitals",
+}
+
+@Article{wigner33,
+  volume =       "43",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  author =       "E. Wigner and F. Seitz",
+  month =        may,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.43.804",
+  doi =          "10.1103/PhysRev.43.804",
+  year =         "1933",
+  title =        "On the Constitution of Metallic Sodium",
+  issue =        "10",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "804--810",
+  notes =        "wigner seitz method",
+}
+
+@Article{herring40,
+  volume =       "57",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  author =       "Conyers Herring",
+  month =        jun,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.57.1169",
+  doi =          "10.1103/PhysRev.57.1169",
+  year =         "1940",
+  title =        "A New Method for Calculating Wave Functions in
+                 Crystals",
+  issue =        "12",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "1169--1177",
+  notes =        "orthogonalized plane wave method, opw",
+}
+
+@Article{slater53,
+  volume =       "92",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  author =       "J. C. Slater",
+  month =        nov,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.92.603",
+  doi =          "10.1103/PhysRev.92.603",
+  year =         "1953",
+  title =        "An Augmented Plane Wave Method for the Periodic
+                 Potential Problem",
+  issue =        "3",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "603--608",
+  notes =        "augmented plane wave method",
+}
+
+@Article{phillips59,
+  volume =       "116",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  author =       "James C. Phillips and Leonard Kleinman",
+  month =        oct,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.116.287",
+  doi =          "10.1103/PhysRev.116.287",
+  year =         "1959",
+  title =        "New Method for Calculating Wave Functions in Crystals
+                 and Molecules",
+  issue =        "2",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "287--294",
+  notes =        "pseudo potential",
+}
+
+@Article{austin62,
+  volume =       "127",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  author =       "B. J. Austin and V. Heine and L. J. Sham",
+  month =        jul,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.127.276",
+  doi =          "10.1103/PhysRev.127.276",
+  year =         "1962",
+  title =        "General Theory of Pseudopotentials",
+  issue =        "1",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "276--282",
+  notes =        "most general form of pseudo potential",
+}
+
+@Article{gonze91,
+  volume =       "44",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  author =       "Xavier Gonze and Roland Stumpf and Matthias
+                 Scheffler",
+  month =        oct,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.44.8503",
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.44.8503",
+  year =         "1991",
+  title =        "Analysis of separable potentials",
+  issue =        "16",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "8503--8513",
+}
+
+@Article{gonze09,
+  title =        "{ABINIT}: First-principles approach to material and
+                 nanosystem properties",
+  journal =      "Computer Physics Communications",
+  volume =       "180",
+  number =       "12",
+  pages =        "2582--2615",
+  year =         "2009",
+  ISSN =         "0010-4655",
+  doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.cpc.2009.07.007",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465509002276",
+  author =       "X. Gonze and B. Amadon and P.-M. Anglade and J.-M.
+                 Beuken and F. Bottin and P. Boulanger and F. Bruneval
+                 and D. Caliste and R. Caracas and M. Côté and T.
+                 Deutsch and L. Genovese and Ph. Ghosez and M.
+                 Giantomassi and S. Goedecker and D. R. Hamann and P.
+                 Hermet and F. Jollet and G. Jomard and S. Leroux and M.
+                 Mancini and S. Mazevet and M. J. T. Oliveira and G.
+                 Onida and Y. Pouillon and T. Rangel and G.-M. Rignanese
+                 and D. Sangalli and R. Shaltaf and M. Torrent and M. J.
+                 Verstraete and G. Zerah and J. W. Zwanziger",
+}
+
+@Article{wannier37,
+  volume =       "52",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  author =       "Gregory H. Wannier",
+  month =        aug,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.52.191",
+  doi =          "10.1103/PhysRev.52.191",
+  year =         "1937",
+  title =        "The Structure of Electronic Excitation Levels in
+                 Insulating Crystals",
+  issue =        "3",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "191--197",
+}
+
+@Article{marzari97,
+  volume =       "56",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  author =       "Nicola Marzari and David Vanderbilt",
+  month =        nov,
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.56.12847",
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.56.12847",
+  year =         "1997",
+  title =        "Maximally localized generalized Wannier functions for
+                 composite energy bands",
+  issue =        "20",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  pages =        "12847--12865",
+  notes =        "maximal general localized wannier orbitals",
+}
+
+@Article{dirac28,
+  author =       "P. A. M. Dirac",
+  title =        "The Quantum Theory of the Electron",
+  volume =       "117",
+  number =       "778",
+  pages =        "610--624",
+  year =         "1928",
+  doi =          "10.1098/rspa.1928.0023",
+  URL =          "http://rspa.royalsocietypublishing.org/content/117/778/610.short",
+  eprint =       "http://rspa.royalsocietypublishing.org/content/117/778/610.full.pdf+html",
+  journal =      "Proceedings of the Royal Society of London. Series A",
+  notes =        "spin orbit origin, relativistic quantum theory",
+}
+
+@Article{kleinman80,
+  title =        "Relativistic norm-conserving pseudopotential",
+  author =       "Leonard Kleinman",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "21",
+  issue =        "6",
+  pages =        "2630--2631",
+  year =         "1980",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.21.2630",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.21.2630",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "first relativistic pseudopotential",
+}
+
+@Article{bachelet82,
+  title =        "Relativistic norm-conserving pseudopotentials",
+  author =       "Giovanni B. Bachelet and M. Schl{\"u}ter",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "25",
+  issue =        "4",
+  pages =        "2103--2108",
+  year =         "1982",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.25.2103",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.25.2103",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{hybertsen86,
+  title =        "Spin-orbit splitting in semiconductors and insulators
+                 from the \textit{ab initio} pseudopotential",
+  author =       "Mark S. Hybertsen and Steven G. Louie",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "34",
+  issue =        "4",
+  pages =        "2920--2922",
+  year =         "1986",
+  month =        aug,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.34.2920",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.34.2920",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "spin orbit pseudopotential formulation",
+}
+
+@Article{cardona88,
+  title =        "Relativistic band structure and spin-orbit splitting
+                 of zinc-blende-type semiconductors",
+  author =       "M. Cardona and N. E. Christensen and G. Fasol",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "38",
+  issue =        "3",
+  pages =        "1806--1827",
+  year =         "1988",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.38.1806",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.38.1806",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "fully relativistic band structures of zinc blende
+                 semiconductors",
+}
+
+@Article{hemstreet93,
+  title =        "First-principles calculations of spin-orbit splittings
+                 in solids using nonlocal separable pseudopotentials",
+  author =       "L. A. Hemstreet and C. Y. Fong and J. S. Nelson",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "47",
+  issue =        "8",
+  pages =        "4238--4243",
+  year =         "1993",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.47.4238",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.47.4238",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{naveh07,
+  title =        "Real-space pseudopotential method for spin-orbit
+                 coupling within density functional theory",
+  author =       "Doron Naveh and Leeor Kronik and Murilo L. Tiago and
+                 James R. Chelikowsky",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "76",
+  issue =        "15",
+  pages =        "153407",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2007",
+  month =        oct,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.76.153407",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.76.153407",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "real space spin orbit pseudopotential implementation",
+}
+
+@Article{verstraete08,
+  title =        "Density functional perturbation theory with spin-orbit
+                 coupling: Phonon band structure of lead",
+  author =       "Matthieu J. Verstraete and Marc Torrent and
+                 Fran\mbox{\c{c}}ois Jollet and Gilles Z\'erah and
+                 Xavier Gonze",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "78",
+  issue =        "4",
+  pages =        "045119",
+  numpages =     "9",
+  year =         "2008",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045119",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.045119",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{cuadrado12,
+  author =       "R. Cuadrado and J. I. Cerdá",
+  title =        "Fully relativistic pseudopotential formalism under an
+                 atomic orbital basis: spin-orbit splittings and
+                 magnetic anisotropies",
+  journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
+  volume =       "24",
+  number =       "8",
+  pages =        "086005",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/24/i=8/a=086005",
+  year =         "2012",
+}
+
+@Article{canning00,
+  title =        "Parallel Empirical Pseudopotential Electronic
+                 Structure Calculations for Million Atom Systems",
+  journal =      "Journal of Computational Physics",
+  volume =       "160",
+  number =       "1",
+  pages =        "29--41",
+  year =         "2000",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0021-9991",
+  doi =          "http://dx.doi.org/10.1006/jcph.2000.6440",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0021999100964404",
+  author =       "A. Canning and L. W. Wang and A. Williamson and A.
+                 Zunger",
+}
+
+@Article{oliveira08,
+  title =        "Generating relativistic pseudo-potentials with
+                 explicit incorporation of semi-core states using {APE},
+                 the Atomic Pseudo-potentials Engine",
+  journal =      "Computer Physics Communications",
+  volume =       "178",
+  number =       "7",
+  pages =        "524--534",
+  year =         "2008",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0010-4655",
+  doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.cpc.2007.11.003",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465507004651",
+  author =       "Micael J. T. Oliveira and Fernando Nogueira",
+  keywords =     "Pseudo-potential",
+  keywords =     "Electronic structure",
+  keywords =     "Density functional",
+}
+
+@Article{fornberg88,
+  author =       "Bengt Fornberg",
+  title =        "Generation of finite difference formulas on
+                 arbitrarily spaced grids",
+  journal =      "Math. Comp.",
+  volume =       "51",
+  number =       "",
+  pages =        "699--706",
+  year =         "1988",
+  doi =          "http://dx.doi.org/10.1090/S0025-5718-1988-0935077-",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1090/S0025-5718-1988-0935077-",
+}
+
+@Article{fornberg94,
+  author =       "Bengt Fornberg and David M. Sloan",
+  title =        "A review of pseudospectral methods for solving partial
+                 differential equations",
+  journal =      "Acta Numerica",
+  volume =       "3",
+  number =       "",
+  pages =        "203--267",
+  year =         "1994",
+  doi =          "10.1017/S0962492900002440",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1017/S0962492900002440",
+}
+
+@Article{urbaszek03,
+  title =        "Fine Structure of Highly Charged Excitons in
+                 Semiconductor Quantum Dots",
+  author =       "B. Urbaszek and R. J. Warburton and K. Karrai and B.
+                 D. Gerardot and P. M. Petroff and J. M. Garcia",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "90",
+  issue =        "24",
+  pages =        "247403",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2003",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.90.247403",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.90.247403",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{dekel98,
+  title =        "Multiexciton Spectroscopy of a Single Self-Assembled
+                 Quantum Dot",
+  author =       "E. Dekel and D. Gershoni and E. Ehrenfreund and D.
+                 Spektor and J. M. Garcia and P. M. Petroff",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "80",
+  issue =        "22",
+  pages =        "4991--4994",
+  year =         "1998",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.80.4991",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.80.4991",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{bayer02,
+  title =        "Fine structure of neutral and charged excitons in
+                 self-assembled In(Ga)As/(Al)GaAs quantum dots",
+  author =       "M. Bayer and G. Ortner and O. Stern and A. Kuther and
+                 A. A. Gorbunov and A. Forchel and P. Hawrylak and S.
+                 Fafard and K. Hinzer and T. L. Reinecke and S. N. Walck
+                 and J. P. Reithmaier and F. Klopf and F. Sch{\"a}fer",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "65",
+  issue =        "19",
+  pages =        "195315",
+  numpages =     "23",
+  year =         "2002",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195315",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.65.195315",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{bayer99,
+  title =        "Electron and Hole $\mathit{g}$ Factors and Exchange
+                 Interaction from Studies of the Exciton Fine Structure
+                 in
+                 ${\mathrm{In}}_{0.60}{\mathrm{Ga}}_{0.40}\mathrm{As}$
+                 Quantum Dots",
+  author =       "M. Bayer and A. Kuther and A. Forchel and A. Gorbunov
+                 and V. B. Timofeev and F. Sch{\"a}fer and J. P.
+                 Reithmaier and T. L. Reinecke and S. N. Walck",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "82",
+  issue =        "8",
+  pages =        "1748--1751",
+  year =         "1999",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.82.1748",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.82.1748",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{loss98,
+  title =        "Quantum computation with quantum dots",
+  author =       "Daniel Loss and David P. DiVincenzo",
+  journal =      "Phys. Rev. A",
+  volume =       "57",
+  issue =        "1",
+  pages =        "120--126",
+  year =         "1998",
+  month =        jan,
+  doi =          "10.1103/PhysRevA.57.120",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevA.57.120",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{schaller04,
+  title =        "High Efficiency Carrier Multiplication in PbSe
+                 Nanocrystals: Implications for Solar Energy
+                 Conversion",
+  author =       "R. D. Schaller and V. I. Klimov",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "92",
+  issue =        "18",
+  pages =        "186601",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2004",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.92.186601",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.92.186601",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{cardenas12,
+  title =        "Atomic effective pseudopotentials for semiconductors",
+  author =       "J. R. C\'ardenas and G. Bester",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "86",
+  issue =        "11",
+  pages =        "115332",
+  numpages =     "9",
+  year =         "2012",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.86.115332",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.86.115332",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Misc{aep12,
+  title =        "Atomic effective pseudopotentials for semiconductors",
+  author =       "J. R. C\'ardenas and G. Bester",
+  year =         "2012",
+  month =        sep,
+  URL =          "http://www.fkf.mpg.de/bester/downloads/downloads.html",
+  eprint =       "http://www.fkf.mpg.de/bester/downloads/downloads.html",
+}
+
+@Article{bester05,
+  title =        "Cylindrically shaped zinc-blende semiconductor quantum
+                 dots do not have cylindrical symmetry:\quad{}Atomistic
+                 symmetry, atomic relaxation, and piezoelectric
+                 effects",
+  author =       "Gabriel Bester and Alex Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "71",
+  issue =        "4",
+  pages =        "045318",
+  numpages =     "12",
+  year =         "2005",
+  month =        jan,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.71.045318",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.71.045318",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{bester09,
+  author =       "Gabriel Bester",
+  title =        "Electronic excitations in nanostructures: an empirical
+                 pseudopotential based approach",
+  journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
+  volume =       "21",
+  number =       "2",
+  pages =        "023202",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/21/i=2/a=023202",
+  year =         "2009",
+}
+
+@Article{cohen66,
+  title =        "Band Structures and Pseudopotential Form Factors for
+                 Fourteen Semiconductors of the Diamond and Zinc-blende
+                 Structures",
+  author =       "Marvin L. Cohen and T. K. Bergstresser",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  volume =       "141",
+  issue =        "2",
+  pages =        "789--796",
+  year =         "1966",
+  month =        jan,
+  doi =          "10.1103/PhysRev.141.789",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.141.789",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{maeder94,
+  title =        "Empirical atomic pseudopotentials for AlAs/GaAs
+                 superlattices, alloys, and nanostructures",
+  author =       "Kurt A. M{\"a}der and Alex Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "50",
+  issue =        "23",
+  pages =        "17393--17405",
+  year =         "1994",
+  month =        dec,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17393",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.50.17393",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{wang94_2,
+  author =       "Lin Wang Wang and Alex Zunger",
+  title =        "Electronic Structure Pseudopotential Calculations of
+                 Large (.apprx.1000 Atoms) Si Quantum Dots",
+  journal =      "The Journal of Physical Chemistry",
+  volume =       "98",
+  number =       "8",
+  pages =        "2158--2165",
+  year =         "1994",
+  doi =          "10.1021/j100059a032",
+  URL =          "http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/j100059a032",
+  eprint =       "http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/j100059a032",
+}
+
+@Article{wang95,
+  title =        "Local-density-derived semiempirical pseudopotentials",
+  author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "51",
+  issue =        "24",
+  pages =        "17398--17416",
+  year =         "1995",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.51.17398",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.17398",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{wang99,
+  title =        "Linear combination of bulk bands method for
+                 large-scale electronic structure calculations on
+                 strained nanostructures",
+  author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "59",
+  issue =        "24",
+  pages =        "15806--15818",
+  year =         "1999",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.59.15806",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.59.15806",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{franceschetti99,
+  title =        "Many-body pseudopotential theory of excitons in In{P}
+                 and CdSe quantum dots",
+  author =       "A. Franceschetti and H. Fu and L. W. Wang and A.
+                 Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "60",
+  issue =        "3",
+  pages =        "1819--1829",
+  year =         "1999",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.60.1819",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.60.1819",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{wang94,
+  author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
+  collaboration = "",
+  title =        "Solving Schr[o-umlaut]dinger's equation around a
+                 desired energy: Application to silicon quantum dots",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1994",
+  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  volume =       "100",
+  number =       "3",
+  pages =        "2394--2397",
+  keywords =     "SCHROEDINGER EQUATION; SILICON; ONEDIMENSIONAL
+                 CALCULATIONS; USES; ENERGY LEVELS; EIGENVALUES;
+                 ELECTRONIC STRUCTURE; CALCULATION METHODS; PLANE WAVES;
+                 PSEUDOPOTENTIAL",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/100/2394/1",
+  doi =          "10.1063/1.466486",
+}
+
+@Article{jacobi1845,
+  author =       "C. G. J. Jacobi",
+  title =        "Ueber eine neue Auflösungsart der bei der Methode der
+                 kleinsten Quadrate vorkommenden lineären Gleichungen",
+  journal =      "Astronom. Nachr.",
+  volume =       "22",
+  number =       "20",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1521-3994",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/asna.18450222002",
+  doi =          "10.1002/asna.18450222002",
+  pages =        "297--306",
+  year =         "1845",
+}
+
+@Article{jacobi1846,
+  author =       "C. G. J. Jacobi",
+  title =        "{\"U}ber ein leichtes Verfahren die in der Theorie der
+                 {S}{\"a}cularst{\"o}rungen vorkommenden Gleichungen
+                 numerisch aufzul{\"o}sen",
+  journal =      "J. Reine und Angew. Math.",
+  volume =       "1846",
+  number =       "30",
+  URL =          "http://www.degruyter.com/view/j/crll.1846.issue-30/crll.1846.30.51/crll.1846.30.51.xml",
+  doi =          "doi:10.1515/crll.1846.30.51",
+  pages =        "51--94",
+  year =         "1846",
+}
+
+@Article{sleijpen96,
+  author =       "G. G. Sleijpen and H. {Van der Vorst}",
+  title =        "A Jacobi--Davidson Iteration Method for Linear
+                 Eigenvalue Problems",
+  journal =      "SIAM Journal on Matrix Analysis and Applications",
+  volume =       "17",
+  number =       "2",
+  pages =        "401--425",
+  year =         "1996",
+  doi =          "10.1137/S0895479894270427",
+  URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/S0895479894270427",
+  eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/S0895479894270427",
+}
+
+@Article{sleijpen00,
+  author =       "G. Sleijpen and H. {Van der Vorst}",
+  title =        "A Jacobi--Davidson Iteration Method for Linear
+                 Eigenvalue Problems",
+  journal =      "SIAM Review",
+  volume =       "42",
+  number =       "2",
+  pages =        "267--293",
+  year =         "2000",
+  doi =          "10.1137/S0036144599363084",
+  URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/S0036144599363084",
+  eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/S0036144599363084",
+}
+
+@Article{morgan91,
+  title =        "Computing interior eigenvalues of large matrices",
+  journal =      "Linear Algebra and its Applications",
+  volume =       "154--156",
+  number =       "0",
+  pages =        "289--309",
+  year =         "1991",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0024-3795",
+  doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/0024-3795(91)90381-6",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0024379591903816",
+  author =       "Ronald B. Morgan",
+}
+
+@Article{sorensen92,
+  author =       "D. Sorensen",
+  title =        "Implicit Application of Polynomial Filters in a k-Step
+                 Arnoldi Method",
+  journal =      "SIAM Journal on Matrix Analysis and Applications",
+  volume =       "13",
+  number =       "1",
+  pages =        "357--385",
+  year =         "1992",
+  doi =          "10.1137/0613025",
+  URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/0613025",
+  eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/0613025",
+}
+
+@Article{paige95,
+  author =       "Chris C. Paige and Beresford N. Parlett and Henk A.
+                 {van der Vorst}",
+  title =        "Approximate solutions and eigenvalue bounds from
+                 Krylov subspaces",
+  journal =      "Numerical Linear Algebra with Applications",
+  volume =       "2",
+  number =       "2",
+  publisher =    "John Wiley & Sons, Ltd",
+  ISSN =         "1099-1506",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/nla.1680020205",
+  doi =          "10.1002/nla.1680020205",
+  pages =        "115--133",
+  keywords =     "Krylov subspace, Lanczos process, symmetric matrix,
+                 conjugate gradients, minimum residual, Lehmann
+                 intervals",
+  year =         "1995",
+}
+
+@Book{lehoucq98,
+  title =        "Arpack User's Guide: Solution of Large-Scale
+                 Eigenvalue Problems With Implicityly Restorted Arnoldi
+                 Methods",
+  author =       "R Richard B Lehoucq and D Danny C Sorensen and
+                 Chao-Chih Yang",
+  volume =       "6",
+  year =         "1998",
+  publisher =    "Siam",
+}
+
+@Article{sorensen01,
+  title =        "{ARPACK} Software Package",
+  author =       "D. C. Sorensen and R. B. Lehoucq and C. Yang and K.
+                 Maschhoff",
+  journal =      "Rice University",
+  year =         "2001",
+}
+
+@Article{luo08,
+  title =        "Quantum-size-induced electronic transitions in quantum
+                 dots: Indirect band-gap GaAs",
+  author =       "Jun-Wei Luo and Alberto Franceschetti and Alex
+                 Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "78",
+  issue =        "3",
+  pages =        "035306",
+  numpages =     "8",
+  year =         "2008",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035306",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.035306",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Misc{openmp08,
+  author =       "{OpenMP Architecture Review Board}",
+  title =        "{OpenMP} Application Program Interface Version 3.0",
+  month =        may,
+  year =         "2008",
+  URL =          "\url{http://www.openmp.org/mp-documents/spec30.pdf}",
+}
+
+@Book{anderson99,
+  author =       "E. Anderson and Z. Bai and C. Bischof and L. S.
+                 Blackford and J. Demmel and J. Dongarra and J. Du Croz
+                 and A. Greenbaum and S. Hammarling and A. McKenney and
+                 D. Sorensen",
+  title =        "{LAPACK} Users' Guide",
+  publisher =    "Society for Industrial and Applied Mathematics",
+  year =         "1999",
+  doi =          "10.1137/1.9780898719604",
+  address =      "",
+  edition =      "Third",
+  URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/1.9780898719604",
+  eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/1.9780898719604",
+}
+
+@Article{lawson79,
+  author =       "C. L. Lawson and R. J. Hanson and D. R. Kincaid and F.
+                 T. Krogh",
+  title =        "{Algorithm 539}: {Basic Linear Algebra Subprograms}
+                 for {Fortran} Usage [{F1}]",
+  journal =      "{ACM} Transactions on Mathematical Software",
+  volume =       "5",
+  number =       "3",
+  pages =        "324--325",
+  month =        sep,
+  year =         "1979",
+  CODEN =        "ACMSCU",
+  ISSN =         "0098-3500",
+  URL =          "http://doi.acm.org/10.1145/355841.355848",
+}
+
+@Article{hartwigsen98,
+  title =        "Relativistic separable dual-space Gaussian
+                 pseudopotentials from {H} to Rn",
+  author =       "C. Hartwigsen and S. Goedecker and J. Hutter",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "58",
+  issue =        "7",
+  pages =        "3641--3662",
+  year =         "1998",
+  month =        aug,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.58.3641",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.58.3641",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@InProceedings{frigo98,
+  author =       "M. Frigo and S. G. Johnson",
+  booktitle =    "Acoustics, Speech and Signal Processing, 1998.
+                 Proceedings of the 1998 IEEE International Conference
+                 on",
+  title =        "{FFTW}: an adaptive software architecture for the
+                 {FFT}",
+  year =         "1998",
+  month =        may,
+  volume =       "3",
+  number =       "",
+  pages =        "1381--1384",
+  keywords =     "DFT;FFT;FFTW;adaptive FFT program;adaptive software
+                 architecture;computer architecture;fast
+                 algorithm;floating-point operations;memory
+                 hierarchy;performance;processor
+                 pipeline;self-optimizing approach;adaptive
+                 systems;discrete Fourier transforms;fast Fourier
+                 transforms;mathematics computing;",
+  doi =          "10.1109/ICASSP.1998.681704",
+  ISSN =         "1520-6149",
+}
+
+@Article{frigo05,
+  author =       "M. Frigo and S. G. Johnson",
+  journal =      "Proceedings of the IEEE",
+  title =        "The Design and Implementation of {FFTW3}",
+  year =         "2005",
+  month =        feb,
+  volume =       "93",
+  number =       "2",
+  pages =        "216--231",
+  keywords =     "DFT algorithm;FFTW3 design;FFTW3 version;cosine
+                 transforms;discrete Fourier transform;hand optimized
+                 libraries;machine specific single instruction;multiple
+                 data instructions;sine transforms;software
+                 structure;discrete Fourier transforms;discrete cosine
+                 transforms;mathematics computing;optimising
+                 compilers;parallel programming;software libraries;",
+  doi =          "10.1109/JPROC.2004.840301",
+  ISSN =         "0018-9219",
+}
+
+@InCollection{takahashi10,
+  author =       "Daisuke Takahashi",
+  affiliation =  "Graduate School of Systems and Information
+                 Engineering, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai,
+                 Tsukuba, Ibaraki, 305-8573 Japan",
+  title =        "An Implementation of Parallel 3-{D} {FFT} with 2-{D}
+                 Decomposition on a Massively Parallel Cluster of
+                 Multi-core Processors",
+  booktitle =    "Parallel Processing and Applied Mathematics",
+  series =       "Lecture Notes in Computer Science",
+  editor =       "Roman Wyrzykowski and Jack Dongarra and Konrad
+                 Karczewski and Jerzy Wasniewski",
+  publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
+  ISBN =         "978-3-642-14389-2",
+  keyword =      "Computer Science",
+  pages =        "606--614",
+  volume =       "6067",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14390-8_63",
+  year =         "2010",
+}
+
+@Misc{ffte11,
+  title =        "{FFTE}: {A} Fast Fourier Transform Package",
+  author =       "D. Takahashi",
+  year =         "2011",
+  month =        nov,
+  URL =          "http://www.ffte.jp/",
+  eprint =       "http://www.ffte.jp/",
+}
+
+@Article{kane05,
+  title =        "Quantum Spin Hall Effect in Graphene",
+  author =       "C. L. Kane and E. J. Mele",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "95",
+  issue =        "22",
+  pages =        "226801",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2005",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.95.226801",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.95.226801",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{kane05_2,
+  title =        "${Z}_{2}$ Topological Order and the Quantum Spin Hall
+                 Effect",
+  author =       "C. L. Kane and E. J. Mele",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "95",
+  issue =        "14",
+  pages =        "146802",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2005",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.95.146802",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.95.146802",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{moore07,
+  title =        "Topological invariants of time-reversal-invariant band
+                 structures",
+  author =       "J. E. Moore and L. Balents",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "75",
+  issue =        "12",
+  pages =        "121306",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2007",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.75.121306",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.75.121306",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{koenig07,
+  author =       "Markus K{\"o}nig and Steffen Wiedmann and Christoph
+                 Br{\"u}ne and Andreas Roth and Hartmut Buhmann and
+                 Laurens W. Molenkamp and Xiao-Liang Qi and Shou-Cheng
+                 Zhang",
+  title =        "Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum
+                 Wells",
+  volume =       "318",
+  number =       "5851",
+  pages =        "766--770",
+  year =         "2007",
+  doi =          "10.1126/science.1148047",
+  URL =          "http://www.sciencemag.org/content/318/5851/766.abstract",
+  eprint =       "http://www.sciencemag.org/content/318/5851/766.full.pdf",
+  journal =      "Science",
+}
+
+@Article{bernevig06,
+  author =       "B. Andrei Bernevig and Taylor L. Hughes and Shou-Cheng
+                 Zhang",
+  title =        "Quantum Spin Hall Effect and Topological Phase
+                 Transition in HgTe Quantum Wells",
+  volume =       "314",
+  number =       "5806",
+  pages =        "1757--1761",
+  year =         "2006",
+  doi =          "10.1126/science.1133734",
+  URL =          "http://www.sciencemag.org/content/314/5806/1757.abstract",
+  eprint =       "http://www.sciencemag.org/content/314/5806/1757.full.pdf",
+  journal =      "Science",
+}
+
+@Article{barnevig06_2,
+  title =        "Quantum Spin Hall Effect",
+  author =       "B. Andrei Bernevig and Shou-Cheng Zhang",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "96",
+  issue =        "10",
+  pages =        "106802",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2006",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.96.106802",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.96.106802",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{hasan10,
+  title =        "\textit{Colloquium} : Topological insulators",
+  author =       "M. Z. Hasan and C. L. Kane",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "82",
+  issue =        "4",
+  pages =        "3045--3067",
+  year =         "2010",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.82.3045",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.82.3045",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{fu07,
+  title =        "Topological insulators with inversion symmetry",
+  author =       "Liang Fu and C. L. Kane",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "76",
+  issue =        "4",
+  pages =        "045302",
+  numpages =     "17",
+  year =         "2007",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.76.045302",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.76.045302",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{fu11,
+  title =        "Topological Crystalline Insulators",
+  author =       "Liang Fu",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "106",
+  issue =        "10",
+  pages =        "106802",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2011",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.106.106802",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.106.106802",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "topological insulator without spin-orbit coupling",
+}
+
+@Article{luo10,
+  title =        "Design Principles and Coupling Mechanisms in the 2{D}
+                 Quantum Well Topological Insulator
+                 $\mathrm{HgTe}/\mathrm{CdTe}$",
+  author =       "Jun-Wei Luo and Alex Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "105",
+  issue =        "17",
+  pages =        "176805",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2010",
+  month =        oct,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.105.176805",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.105.176805",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "zunger topological insulator",
+}
+
+@Article{luo10_2,
+  title =        "Discovery of a Novel Linear-in-$k$ Spin Splitting for
+                 Holes in the 2{D} $\mathrm{GaAs}/\mathrm{AlAs}$
+                 System",
+  author =       "Jun-Wei Luo and Athanasios N. Chantis and Mark van
+                 Schilfgaarde and Gabriel Bester and Alex Zunger",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "104",
+  issue =        "6",
+  pages =        "066405",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2010",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.104.066405",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.104.066405",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{gehring13,
+  author =       "P. Gehring and H. M. Benia and Y. Weng and R.
+                 Dinnebier and C. R. Ast and M. Burghard and K. Kern",
+  title =        "A Natural Topological Insulator",
+  journal =      "Nano Letters",
+  volume =       "13",
+  number =       "3",
+  pages =        "1179--1184",
+  year =         "2013",
+  doi =          "10.1021/nl304583m",
+  URL =          "http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl304583m",
+  eprint =       "http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl304583m",
+}
+
+@Article{bryant03,
+  title =        "Tight-binding theory of quantum-dot quantum
+                 wells:\quad{}Single-particle effects and near-band-edge
+                 structure",
+  author =       "Garnett W. Bryant and W. Jask\'olski",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "67",
+  issue =        "20",
+  pages =        "205320",
+  numpages =     "17",
+  year =         "2003",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.67.205320",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.67.205320",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{chelikowsky94,
+  title =        "Finite-difference-pseudopotential method: Electronic
+                 structure calculations without a basis",
+  author =       "James R. Chelikowsky and N. Troullier and Y. Saad",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "72",
+  issue =        "8",
+  pages =        "1240--1243",
+  year =         "1994",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.1240",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.72.1240",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{briggs96,
+  title =        "Real-space multigrid-based approach to large-scale
+                 electronic structure calculations",
+  author =       "E. L. Briggs and D. J. Sullivan and J. Bernholc",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "54",
+  issue =        "20",
+  pages =        "14362--14375",
+  numpages =     "0",
+  year =         "1996",
+  month =        nov,
+  publisher =    "American Physical Society",
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.54.14362",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.54.14362",
+}
+
+@Article{beck2000,
+  title =        "Real-space mesh techniques in density-functional
+                 theory",
+  author =       "Thomas L. Beck",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "72",
+  issue =        "4",
+  pages =        "1041--1080",
+  numpages =     "0",
+  year =         "2000",
+  month =        oct,
+  publisher =    "American Physical Society",
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.72.1041",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.72.1041",
+}
+
+@Article{saad10,
+  author =       "Y. Saad and J. Chelikowsky and S. Shontz",
+  title =        "Numerical Methods for Electronic Structure
+                 Calculations of Materials",
+  journal =      "SIAM Review",
+  volume =       "52",
+  number =       "1",
+  pages =        "3--54",
+  year =         "2010",
+  doi =          "10.1137/060651653",
+  URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/060651653",
+  eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/060651653",
+}
+
+@Article{kronik06,
+  author =       "Leeor Kronik and Adi Makmal and Murilo L. Tiago and M.
+                 M. G. Alemany and Manish Jain and Xiangyang Huang and
+                 Yousef Saad and James R. Chelikowsky",
+  title =        "{PARSEC} - the pseudopotential algorithm for
+                 real-space electronic structure calculations: recent
+                 advances and novel applications to nano-structures",
+  journal =      "physica status solidi (b)",
+  volume =       "243",
+  number =       "5",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  ISSN =         "1521-3951",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200541463",
+  doi =          "10.1002/pssb.200541463",
+  pages =        "1063--1079",
+  keywords =     "61.46.+w, 71.15.Mb, 73.22.-f",
+  year =         "2006",
+}
+
+@Article{alemany04,
+  title =        "Real-space pseudopotential method for computing the
+                 electronic properties of periodic systems",
+  author =       "M. M. G. Alemany and Manish Jain and Leeor Kronik and
+                 James R. Chelikowsky",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "69",
+  issue =        "7",
+  pages =        "075101",
+  numpages =     "6",
+  year =         "2004",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.69.075101",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.69.075101",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{li93,
+  title =        "Density-matrix electronic-structure method with linear
+                 system-size scaling",
+  author =       "X.-P. Li and R. W. Nunes and David Vanderbilt",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "47",
+  issue =        "16",
+  pages =        "10891--10894",
+  year =         "1993",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10891",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.47.10891",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{mauri93,
+  title =        "Self-consistent first-principles technique with linear
+                 scaling",
+  author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "51",
+  issue =        "15",
+  pages =        "10157--10160",
+  year =         "1995",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.51.10157",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.10157",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{hernandez95,
+  title =        "Self-consistent first-principles technique with linear
+                 scaling",
+  author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "51",
+  issue =        "15",
+  pages =        "10157--10160",
+  year =         "1995",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.51.10157",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.10157",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{hernandez96,
+  title =        "Linear-scaling density-functional-theory technique:
+                 The density-matrix approach",
+  author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan and C. M. Goringe",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "53",
+  issue =        "11",
+  pages =        "7147--7157",
+  year =         "1996",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.53.7147",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.53.7147",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{jordan12,
+  title =        "Fast iterative interior eigensolver for millions of
+                 atoms",
+  journal =      "Journal of Computational Physics",
+  volume =       "231",
+  number =       "14",
+  pages =        "4836--4847",
+  year =         "2012",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0021-9991",
+  doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.jcp.2012.04.010",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0021999112001829",
+  author =       "Gerald Jordan and Martijn Marsman and Yoon-Suk Kim and
+                 Georg Kresse",
+}
+
+@Article{goedecker99,
+  title =        "Linear scaling electronic structure methods",
+  author =       "Stefan Goedecker",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "71",
+  issue =        "4",
+  pages =        "1085--1123",
+  year =         "1999",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1085",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.71.1085",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{murayama94,
+  title =        "Chemical trend of band offsets at wurtzite/zinc-blende
+                 heterocrystalline semiconductor interfaces",
+  author =       "M. Murayama and T. Nakayama",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "49",
+  issue =        "7",
+  pages =        "4710--4724",
+  year =         "1994",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.49.4710",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.49.4710",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{aryasetiawan98,
+  author =       "F Aryasetiawan and O Gunnarsson",
+  title =        "The {GW} method",
+  journal =      "Reports on Progress in Physics",
+  volume =       "61",
+  number =       "3",
+  pages =        "237",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0034-4885/61/i=3/a=002",
+  year =         "1998",
+}
+
+@Article{onida02,
+  title =        "Electronic excitations: density-functional versus
+                 many-body Green¿s-function approaches",
+  author =       "Giovanni Onida and Lucia Reining and Angel Rubio",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "74",
+  issue =        "2",
+  pages =        "601--659",
+  numpages =     "0",
+  year =         "2002",
+  month =        jun,
+  publisher =    "American Physical Society",
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.74.601",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.74.601",
+}
+
+@Article{georges96,
+  title =        "Dynamical mean-field theory of strongly correlated
+                 fermion systems and the limit of infinite dimensions",
+  author =       "Antoine Georges and Gabriel Kotliar and Werner Krauth
+                 and Marcelo J. Rozenberg",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "68",
+  issue =        "1",
+  pages =        "13--125",
+  numpages =     "0",
+  year =         "1996",
+  month =        jan,
+  publisher =    "American Physical Society",
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.68.13",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.68.13",
+}
+
+@Article{kotilar06,
+  title =        "Electronic structure calculations with dynamical
+                 mean-field theory",
+  author =       "G. Kotliar and S. Y. Savrasov and K. Haule and V. S.
+                 Oudovenko and O. Parcollet and C. A. Marianetti",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "78",
+  issue =        "3",
+  pages =        "865--951",
+  numpages =     "0",
+  year =         "2006",
+  month =        aug,
+  publisher =    "American Physical Society",
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.78.865",
+  URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.78.865",
+}