finished sic ssmbe (hopefully!)
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
index 708f5aa..b10d713 100644 (file)
 }
 
 @Article{bean71,
 }
 
 @Article{bean71,
-  author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
-  title =        "",
-  journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
+  title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
+  journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
   volume =       "32",
   volume =       "32",
-  pages =        "1211",
+  number =       "6",
+  pages =        "1211--1219",
   year =         "1971",
   year =         "1971",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-3697",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
+  author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 }
 
   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 }
 
   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
                  carbide",
   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
                  carbide",
-  journal =      "Philosophical Magazine Part B",
+  journal =      "Philos. Mag. B",
   volume =       "61",
   pages =        "217--236",
   year =         "1990",
   notes =        "sic polytypes",
 }
 
   volume =       "61",
   pages =        "217--236",
   year =         "1990",
   notes =        "sic polytypes",
 }
 
+@Article{koegler03,
+  author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
+                 A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
+                 Serre and A. Perez-Rodriguez",
+  title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
+                 simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
+                 ions",
+  journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
+  volume =       "76",
+  pages =        "827--835",
+  month =        mar,
+  year =         "2003",
+  notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
+                 precipitation by interstitial and substitutional
+                 carbon, both mechanisms explained + refs",
+}
+
+@Article{skorupa96,
+  title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
+                 silicon-related materials",
+  journal =      "Materials Chemistry and Physics",
+  volume =       "44",
+  number =       "2",
+  pages =        "101--143",
+  year =         "1996",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0254-0584",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
+  author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
+  notes =        "review of silicon carbon compound",
+}
+
 @Book{laplace,
   author =       "P. S. de Laplace",
   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 @Book{laplace,
   author =       "P. S. de Laplace",
   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 }
 
   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 }
 
+@Article{nielsen83,
+  title =        "First-Principles Calculation of Stress",
+  author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "50",
+  number =       "9",
+  pages =        "697--700",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1983",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "generalization of virial theorem",
+}
+
+@Article{nielsen85,
+  title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
+  author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "32",
+  number =       "6",
+  pages =        "3780--3791",
+  numpages =     "11",
+  year =         "1985",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "dft virial stress and forces",
+}
+
 @Article{moissan04,
   author =       "Henri Moissan",
   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 @Article{moissan04,
   author =       "Henri Moissan",
   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1984",
   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1984",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "81",
   number =       "8",
   pages =        "3684--3690",
   volume =       "81",
   number =       "8",
   pages =        "3684--3690",
   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
                  in beta -Si{C} using three representative empirical
                  potentials",
   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
                  in beta -Si{C} using three representative empirical
                  potentials",
-  journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
-                 Engineering",
+  journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
   volume =       "3",
   number =       "5",
   pages =        "615--627",
   volume =       "3",
   number =       "5",
   pages =        "615--627",
   year =         "1995",
 }
 
   year =         "1995",
 }
 
-@Article{tersoff89,
+@Article{brenner89,
   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
                  Tersoff potentials",
   author =       "Donald W. Brenner",
   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
                  Tersoff potentials",
   author =       "Donald W. Brenner",
                  dumbbell configuration",
 }
 
                  dumbbell configuration",
 }
 
-@Article{gao02,
+@Article{gao02a,
   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
                  Defect accumulation, topological features, and
                  disordering",
   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
                  Defect accumulation, topological features, and
                  disordering",
 @Article{devanathan98,
   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
                  cascade in Si{C}",
 @Article{devanathan98,
   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
                  cascade in Si{C}",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "141",
   number =       "1-4",
   pages =        "118--122",
   volume =       "141",
   number =       "1-4",
   pages =        "118--122",
 
 @Article{devanathan98_2,
   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 
 @Article{devanathan98_2,
   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
-  journal =      "Journal of Nuclear Materials",
+  journal =      "J. Nucl. Mater.",
   volume =       "253",
   number =       "1-3",
   pages =        "47--52",
   volume =       "253",
   number =       "1-3",
   pages =        "47--52",
                  tersoff",
 }
 
                  tersoff",
 }
 
-@Article{batra87,
+@Article{kitabatake00,
   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
   author =       "M. Kitabatake",
   journal =      "Thin Solid Films",
   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
   author =       "M. Kitabatake",
   journal =      "Thin Solid Films",
   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 }
 
   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 }
 
-@Article{tang97,
+@Article{johnson98,
+  author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
+                 Rubia",
+  collaboration = "",
+  title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
+                 diffusivity of the silicon self-interstitial in the
+                 presence of carbon and boron",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1998",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "84",
+  number =       "4",
+  pages =        "1963--1967",
+  keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
+                 CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
+                 semiconductors; self-diffusion",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
+  doi =          "10.1063/1.368328",
+  notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
+                 diffsuion",
+}
+
+@Article{bar-yam84,
+  title =        "Barrier to Migration of the Silicon
+                 Self-Interstitial",
+  author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "52",
+  number =       "13",
+  pages =        "1129--1132",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1984",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si self-interstitial migration barrier",
+}
+
+@Article{bar-yam84_2,
+  title =        "Electronic structure and total-energy migration
+                 barriers of silicon self-interstitials",
+  author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "30",
+  number =       "4",
+  pages =        "1844--1852",
+  numpages =     "8",
+  year =         "1984",
+  month =        aug,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{bloechl93,
+  title =        "First-principles calculations of self-diffusion
+                 constants in silicon",
+  author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
+                 and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "70",
+  number =       "16",
+  pages =        "2435--2438",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1993",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
+                 entropy calculations",
+}
+
+@Article{colombo02,
   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
                  silicon",
   author =       "L. Colombo",
   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
                  silicon",
   author =       "L. Colombo",
   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 }
 
   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 }
 
+@Article{al-mushadani03,
+  title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
+                 silicon",
+  author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "68",
+  number =       "23",
+  pages =        "235205",
+  numpages =     "8",
+  year =         "2003",
+  month =        dec,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
+                 silicon, si self interstitials, free energy",
+}
+
+@Article{goedecker02,
+  title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
+  author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "88",
+  number =       "23",
+  pages =        "235501",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2002",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
+                 silicon",
+}
+
+@Article{sahli05,
+  title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
+                 self-interstitial diffusion in silicon",
+  author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "72",
+  number =       "24",
+  pages =        "245210",
+  numpages =     "6",
+  year =         "2005",
+  month =        dec,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
+                 mapping applied",
+}
+
+@Article{hobler05,
+  title =        "Ab initio calculations of the interaction between
+                 native point defects in silicon",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
+  volume =       "124-125",
+  number =       "",
+  pages =        "368--371",
+  year =         "2005",
+  note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
+                 Issues for Future Technologies",
+  ISSN =         "0921-5107",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
+  author =       "G. Hobler and G. Kresse",
+  notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
+                 radius",
+}
+
+@Article{ma10,
+  title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
+                 wide temperature range: Point defect states and
+                 migration mechanisms",
+  author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "81",
+  number =       "19",
+  pages =        "193203",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2010",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
+}
+
+@Article{posselt06,
+  title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
+                 antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
+  author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "73",
+  number =       "12",
+  pages =        "125206",
+  numpages =     "8",
+  year =         "2006",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{posselt08,
+  title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
+                 migration mechanisms of vacancies and
+                 self-interstitials: An atomistic study",
+  author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "78",
+  number =       "3",
+  pages =        "035208",
+  numpages =     "9",
+  year =         "2008",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
+                 weber and tersoff",
+}
+
 @Article{gao2001,
   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 @Article{gao2001,
   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
                  properties in $3{C}-Si{C}$",
   notes =        "defects in 3c-sic",
 }
 
   notes =        "defects in 3c-sic",
 }
 
+@Article{gao02,
+  title =        "Empirical potential approach for defect properties in
+                 3{C}-Si{C}",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
+  volume =       "191",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "487--496",
+  year =         "2002",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0168-583X",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
+  author =       "Fei Gao and William J. Weber",
+  keywords =     "Empirical potential",
+  keywords =     "Defect properties",
+  keywords =     "Silicon carbide",
+  keywords =     "Computer simulation",
+  notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
+}
+
+@Article{gao04,
+  title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
+                 3{C}-Si{C}",
+  author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
+                 Belko",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "69",
+  number =       "24",
+  pages =        "245205",
+  numpages =     "5",
+  year =         "2004",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "defect migration in sic",
+}
+
+@Article{gao07,
+  author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
+                 W. J. Weber",
+  collaboration = "",
+  title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
+                 in cubic silicon carbide",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "2007",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "90",
+  number =       "22",
+  eid =          "221915",
+  numpages =     "3",
+  pages =        "221915",
+  keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
+                 defects; wide band gap semiconductors; molecular
+                 dynamics method; density functional theory;
+                 electron-hole recombination; photoluminescence;
+                 impurities; diffusion",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
+  doi =          "10.1063/1.2743751",
+}
+
 @Article{mattoni2002,
   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
                  crystalline silicon",
 @Article{mattoni2002,
   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
                  crystalline silicon",
   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
   publisher =    "American Physical Society",
   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
   publisher =    "American Physical Society",
   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
-                 links, interaction of carbon and silicon
-                 interstitials",
+                 links, interaction of carbon and silicon interstitials,
+                 tersoff suitability",
 }
 
 @Article{leung99,
 }
 
 @Article{leung99,
 @Article{capaz94,
   title =        "Identification of the migration path of interstitial
                  carbon in silicon",
 @Article{capaz94,
   title =        "Identification of the migration path of interstitial
                  carbon in silicon",
-  author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
+  author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "50",
   number =       "11",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "50",
   number =       "11",
                  dumbbell",
 }
 
                  dumbbell",
 }
 
+@Article{capaz98,
+  title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
+  author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "58",
+  number =       "15",
+  pages =        "9845--9850",
+  numpages =     "5",
+  year =         "1998",
+  month =        oct,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
+}
+
+@Article{song90_2,
+  title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
+                 pair in silicon",
+  author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
+                 Watkins",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "42",
+  number =       "9",
+  pages =        "5765--5783",
+  numpages =     "18",
+  year =         "1990",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
+}
+
+@Article{liu02,
+  author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
+                 Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
+  collaboration = "",
+  title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
+                 interactions in Si",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "2002",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "80",
+  number =       "1",
+  pages =        "52--54",
+  keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
+                 impurity-defect interactions; ab initio calculations;
+                 secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
+  doi =          "10.1063/1.1430505",
+  notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
+}
+
 @Article{dal_pino93,
   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
                  silicon",
 @Article{dal_pino93,
   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
                  silicon",
-  author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
+  author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
                  Joannopoulos",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "47",
                  Joannopoulos",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "47",
                  path formation",
 }
 
                  path formation",
 }
 
+@Article{car85,
+  title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
+                 Density-Functional Theory",
+  author =       "R. Car and M. Parrinello",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "55",
+  number =       "22",
+  pages =        "2471--2474",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1985",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "car parrinello method, dft and md",
+}
+
 @Article{kelires97,
   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 @Article{kelires97,
   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 @Article{song90,
   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
                  interstitial carbon in silicon",
 @Article{song90,
   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
                  interstitial carbon in silicon",
-  author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
+  author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "42",
   number =       "9",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "42",
   number =       "9",
   author =       "A K Tipping and R C Newman",
   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
                  silicon",
   author =       "A K Tipping and R C Newman",
   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
                  silicon",
-  journal =      "Semiconductor Science and Technology",
+  journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
   volume =       "2",
   number =       "5",
   pages =        "315--317",
   volume =       "2",
   number =       "5",
   pages =        "315--317",
 
 @Article{laveant2002,
   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 
 @Article{laveant2002,
   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
-  author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
-                 G{\"o}sele",
-  journal =      "Materials Science and Engineering B",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
   volume =       "89",
   number =       "1-3",
   pages =        "241--245",
   volume =       "89",
   number =       "1-3",
   pages =        "241--245",
-  keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
+  year =         "2002",
+  ISSN =         "0921-5107",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
+  author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
+                 G{\"{o}}sele",
   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
                  stress, avoid sic precipitation",
 }
   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
                  stress, avoid sic precipitation",
 }
                  silicon by transmission electron microscopy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
                  silicon by transmission electron microscopy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "70",
   number =       "2",
   pages =        "252--254",
   volume =       "70",
   number =       "2",
   pages =        "252--254",
                  precipitate",
 }
 
                  precipitate",
 }
 
+@InProceedings{werner96,
+  author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
+                 Eichler",
+  booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
+                 International Conference on",
+  title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
+                 implanted silicon",
+  year =         "1996",
+  month =        jun,
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "675--678",
+  doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
+  ISSN =         "",
+  notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
+}
+
+@Article{werner98,
+  author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
+                 D. C. Jacobson",
+  collaboration = "",
+  title =        "Carbon diffusion in silicon",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1998",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "73",
+  number =       "17",
+  pages =        "2465--2467",
+  keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
+                 secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
+                 layers; annealing; impurity-defect interactions;
+                 impurity distribution",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
+  doi =          "10.1063/1.122483",
+  notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
+}
+
 @Article{strane94,
   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 @Article{strane94,
   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "76",
   number =       "6",
   pages =        "3656--3668",
   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
   doi =          "10.1063/1.357429",
   volume =       "76",
   number =       "6",
   pages =        "3656--3668",
   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
   doi =          "10.1063/1.357429",
-  notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
+  notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
+                 precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
+                 coherent to incoherent transition strain vs interface
+                 energy",
+}
+
+@Article{fischer95,
+  author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
+                 Osten",
+  collaboration = "",
+  title =        "Investigation of the high temperature behavior of
+                 strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1995",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "77",
+  number =       "5",
+  pages =        "1934--1937",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
+                 XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
+                 PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
+                 TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
+  doi =          "10.1063/1.358826",
 }
 
 @Article{edgar92,
 }
 
 @Article{edgar92,
                  NETHERLANDS",
 }
 
                  NETHERLANDS",
 }
 
+@Article{zirkelbach09,
+  title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
+                 precipitation in heavily carbon doped silicon",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
+  volume =       "159-160",
+  number =       "",
+  pages =        "149--152",
+  year =         "2009",
+  note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
+                 Silicon Materials Research for Electronic and
+                 Photovoltaic Applications",
+  ISSN =         "0921-5107",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
+  author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
+                 B. Stritzker",
+  keywords =     "Silicon",
+  keywords =     "Carbon",
+  keywords =     "Silicon carbide",
+  keywords =     "Nucleation",
+  keywords =     "Defect formation",
+  keywords =     "Molecular dynamics simulations",
+}
+
+@Article{zirkelbach10a,
+  title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
+                 classical potentials and first-principles methods",
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
+                 K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "82",
+  number =       "9",
+  pages =        "094110",
+  numpages =     "6",
+  year =         "2010",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{zirkelbach10b,
+  title =        "First principles study of defects in carbon implanted
+                 silicon",
+  journal =      "to be published",
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "",
+  year =         "2010",
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
+                 K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
+}
+
+@Article{zirkelbach10c,
+  title =        "...",
+  journal =      "to be published",
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "",
+  year =         "2010",
+  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
+                 K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
+}
+
 @Article{lindner99,
   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
                  layers in silicon",
 @Article{lindner99,
   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
                  layers in silicon",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "147",
   number =       "1-4",
   pages =        "249--255",
   volume =       "147",
   number =       "1-4",
   pages =        "249--255",
 @Article{lindner99_2,
   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
                  in silicon",
 @Article{lindner99_2,
   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
                  in silicon",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "148",
   number =       "1-4",
   pages =        "528--533",
   year =         "1999",
   volume =       "148",
   number =       "1-4",
   pages =        "528--533",
   year =         "1999",
-  note =         "",
   ISSN =         "0168-583X",
   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
   ISSN =         "0168-583X",
   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
+  notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 }
 
 @Article{lindner01,
   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
                  Basic physical processes",
 }
 
 @Article{lindner01,
   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
                  Basic physical processes",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "178",
   number =       "1-4",
   pages =        "44--54",
   volume =       "178",
   number =       "1-4",
   pages =        "44--54",
   ISSN =         "0168-583X",
   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
   ISSN =         "0168-583X",
   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
-  author =       "Jörg K. N. Lindner",
+  author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
 }
 
 @Article{lindner02,
 }
 
 @Article{lindner02,
   notes =        "ibs, burried sic layers",
 }
 
   notes =        "ibs, burried sic layers",
 }
 
+@Article{lindner06,
+  title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
+                 formation and displacive precipitate resolution in the
+                 {C}-Si system",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
+  volume =       "26",
+  number =       "5-7",
+  pages =        "857--861",
+  year =         "2006",
+  note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
+                 Applications",
+  ISSN =         "0928-4931",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
+  author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
+                 and B. Stritzker",
+  notes =        "c int diffusion barrier",
+}
+
+@Article{ito04,
+  title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
+                 application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
+                 growth",
+  journal =      "Applied Surface Science",
+  volume =       "238",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "159--164",
+  year =         "2004",
+  note =         "APHYS'03 Special Issue",
+  ISSN =         "0169-4332",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
+  author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
+                 and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
+  notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
+}
+
+@Article{yamamoto04,
+  title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
+                 on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
+                 implantation into Si(1 1 1) substrate",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "261",
+  number =       "2-3",
+  pages =        "266--270",
+  year =         "2004",
+  note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
+                 Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
+  author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
+                 Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
+  notes =        "gan on 3c-sic",
+}
+
+@Article{liu_l02,
+  title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
+  journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
+  volume =       "37",
+  number =       "3",
+  pages =        "61--127",
+  year =         "2002",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0927-796X",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
+  author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
+  notes =        "gan substrates",
+}
+
+@Article{takeuchi91,
+  title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
+                 substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "115",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "634--638",
+  year =         "1991",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
+  author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
+                 Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
+  notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
+}
+
 @Article{alder57,
   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1957",
 @Article{alder57,
   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1957",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "27",
   number =       "5",
   pages =        "1208--1209",
   volume =       "27",
   number =       "5",
   pages =        "1208--1209",
   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1959",
   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1959",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "31",
   number =       "2",
   pages =        "459--466",
   volume =       "31",
   number =       "2",
   pages =        "459--466",
 
 @Article{wesch96,
   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 
 @Article{wesch96,
   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "116",
   number =       "1-4",
   pages =        "305--321",
   volume =       "116",
   number =       "1-4",
   pages =        "305--321",
   author =       "W. Wesch",
 }
 
   author =       "W. Wesch",
 }
 
+@Article{davis91,
+  author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
+                 Palmour and J. A. Edmond",
+  journal =      "Proceedings of the IEEE",
+  title =        "Thin film deposition and microelectronic and
+                 optoelectronic device fabrication and characterization
+                 in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
+  year =         "1991",
+  month =        may,
+  volume =       "79",
+  number =       "5",
+  pages =        "677--701",
+  keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
+                 diode;SiC;dry etching;electrical
+                 contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
+                 device fabrication;solid-state devices;surface
+                 chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
+                 transistors;Schottky-barrier
+                 diodes;etching;heterojunction bipolar
+                 transistors;insulated gate field effect
+                 transistors;light emitting diodes;semiconductor
+                 materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
+  doi =          "10.1109/5.90132",
+  ISSN =         "0018-9219",
+  notes =        "sic growth methods",
+}
+
 @Article{morkoc94,
   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 @Article{morkoc94,
   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "76",
   number =       "3",
   pages =        "1363--1398",
   volume =       "76",
   number =       "3",
   pages =        "1363--1398",
                  FILMS; INDUSTRY",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
   doi =          "10.1063/1.358463",
                  FILMS; INDUSTRY",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
   doi =          "10.1063/1.358463",
+  notes =        "sic intro, properties",
 }
 
 @Article{foo,
 }
 
 @Article{foo,
   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
+  notes =        "sic intro",
 }
 
 @Article{giancarli98,
 }
 
 @Article{giancarli98,
 @Article{tairov78,
   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
                  carbide single crystals",
 @Article{tairov78,
   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
                  carbide single crystals",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "43",
   number =       "2",
   pages =        "209--212",
   year =         "1978",
   volume =       "43",
   number =       "2",
   pages =        "209--212",
   year =         "1978",
-  notes =        "modifief lely process",
+  notes =        "modified lely process",
   ISSN =         "0022-0248",
   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
 }
 
   ISSN =         "0022-0248",
   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
 }
 
-@Article{powell87,
-  author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
-                 Kuczmarski",
-  title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
-                 Single-Crystal Films on Si",
+@Article{tairov81,
+  title =        "General principles of growing large-size single
+                 crystals of various silicon carbide polytypes",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "52",
+  number =       "Part 1",
+  pages =        "146--150",
+  year =         "1981",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
+  author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
+}
+
+@Article{barrett91,
+  title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "109",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "17--23",
+  year =         "1991",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
+  author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
+                 R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
+}
+
+@Article{barrett93,
+  title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "128",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "358--362",
+  year =         "1993",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
+  author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
+                 R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
+                 W. J. Choyke",
+}
+
+@Article{stein93,
+  title =        "Control of polytype formation by surface energy
+                 effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
+                 sublimation method",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "131",
+  number =       "1-2",
+  pages =        "71--74",
+  year =         "1993",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
+  author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
+  notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
+}
+
+@Article{nishino83,
+  author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
+                 Will",
+  collaboration = "",
+  title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
+                 cubic Si{C} for semiconductor devices",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1983",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "42",
+  number =       "5",
+  pages =        "460--462",
+  keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
+                 monocrystals",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
+  doi =          "10.1063/1.93970",
+  notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
+}
+
+@Article{nishino87,
+  author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
+                 and Hiroyuki Matsunami",
+  collaboration = "",
+  title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
+                 Si{C} on silicon",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1987",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "61",
+  number =       "10",
+  pages =        "4889--4893",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
+  doi =          "10.1063/1.338355",
+  notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
+                 carbonization",
+}
+
+@Article{powell87,
+  author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
+                 Kuczmarski",
+  title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
+                 Single-Crystal Films on Si",
   publisher =    "ECS",
   year =         "1987",
   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
   publisher =    "ECS",
   year =         "1987",
   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
 }
 
   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
 }
 
+@Article{powell87_2,
+  author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
+                 C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
+  collaboration = "",
+  title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
+                 off-axis Si substrates",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1987",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "51",
+  number =       "11",
+  pages =        "823--825",
+  keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
+                 COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
+                 STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
+                 FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
+                 OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
+  doi =          "10.1063/1.98824",
+  notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
+}
+
+@Article{ueda90,
+  title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "104",
+  number =       "3",
+  pages =        "695--700",
+  year =         "1990",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
+  author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
+                 Matsunami",
+  notes =        "step-controlled epitaxy model",
+}
+
 @Article{kimoto93,
   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
                  and Hiroyuki Matsunami",
 @Article{kimoto93,
   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
                  and Hiroyuki Matsunami",
                  epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
                  epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "73",
   number =       "2",
   pages =        "726--732",
   volume =       "73",
   number =       "2",
   pages =        "726--732",
                  VAPOR DEPOSITION",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
   doi =          "10.1063/1.353329",
                  VAPOR DEPOSITION",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
   doi =          "10.1063/1.353329",
+  notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
+}
+
+@Article{powell90_2,
+  author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
+                 J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
+                 Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
+  collaboration = "",
+  title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
+                 vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1990",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "56",
+  number =       "15",
+  pages =        "1442--1444",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
+                 PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
+                 TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
+                 DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
+  doi =          "10.1063/1.102492",
+  notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
+}
+
+@Article{kong88_2,
+  author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
+  collaboration = "",
+  title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
+                 6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
+                 substrates",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1988",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "64",
+  number =       "5",
+  pages =        "2672--2679",
+  keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
+                 COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
+                 MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
+                 STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
+                 PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
+  doi =          "10.1063/1.341608",
 }
 
 @Article{powell90,
 }
 
 @Article{powell90,
                  6{H}-Si{C} substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1990",
                  6{H}-Si{C} substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1990",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "56",
   number =       "14",
   pages =        "1353--1355",
   volume =       "56",
   number =       "14",
   pages =        "1353--1355",
                  PHASE EPITAXY",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
   doi =          "10.1063/1.102512",
                  PHASE EPITAXY",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
   doi =          "10.1063/1.102512",
+  notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
+}
+
+@Article{kong88,
+  author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
+                 Rozgonyi and K. L. More",
+  collaboration = "",
+  title =        "An examination of double positioning boundaries and
+                 interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
+                 substrates",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1988",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "63",
+  number =       "8",
+  pages =        "2645--2650",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
+                 FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
+                 FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
+                 MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
+                 STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
+  doi =          "10.1063/1.341004",
+}
+
+@Article{powell91,
+  author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
+                 Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
+                 and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
+  collaboration = "",
+  title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
+                 on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1991",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "59",
+  number =       "3",
+  pages =        "333--335",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
+                 PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
+                 MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
+  doi =          "10.1063/1.105587",
+}
+
+@Article{yuan95,
+  author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
+                 Thokala and M. J. Loboda",
+  collaboration = "",
+  title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
+                 films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
+                 silacyclobutane",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1995",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "78",
+  number =       "2",
+  pages =        "1271--1273",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
+                 EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
+                 SPECTROPHOTOMETRY",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
+  doi =          "10.1063/1.360368",
+  notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
+}
+
+@Article{kaneda87,
+  title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
+                 properties of its p-n junction",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "81",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "536--542",
+  year =         "1987",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
+  author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
+                 and Takao Tanaka",
+  notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
 }
 
 @Article{fissel95,
   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
                  molecular beam epitaxy",
 }
 
 @Article{fissel95,
   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
                  molecular beam epitaxy",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "154",
   number =       "1-2",
   pages =        "72--80",
   year =         "1995",
   volume =       "154",
   number =       "1-2",
   pages =        "72--80",
   year =         "1995",
-  notes =        "solid source mbe",
   ISSN =         "0022-0248",
   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
   ISSN =         "0022-0248",
   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
-  author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
-                 and W. Richter",
+  author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
+                 Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
+  notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
+}
+
+@Article{fissel95_apl,
+  author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
+  collaboration = "",
+  title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
+                 6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1995",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "66",
+  number =       "23",
+  pages =        "3182--3184",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
+                 RHEED; NUCLEATION",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
+  doi =          "10.1063/1.113716",
+  notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
+}
+
+@Article{fissel96,
+  author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
+                 Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
+  collaboration = "",
+  title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
+                 migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
+                 level using surface superstructures",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1996",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "68",
+  number =       "9",
+  pages =        "1204--1206",
+  keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
+                 NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
+                 SURFACE STRUCTURE",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
+  doi =          "10.1063/1.115969",
+  notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
+}
+
+@Article{righi03,
+  title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
+  author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
+                 C. M. Bertoni and A. Catellani",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "91",
+  number =       "13",
+  pages =        "136101",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2003",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "dft calculations mbe sic growth",
 }
 
 @Article{borders71,
 }
 
 @Article{borders71,
                  {IMPLANTATION}",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1971",
                  {IMPLANTATION}",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1971",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "18",
   number =       "11",
   pages =        "509--511",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
   volume =       "18",
   number =       "11",
   pages =        "509--511",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
-  notes =        "first time sic by ibs",
   doi =          "10.1063/1.1653516",
   doi =          "10.1063/1.1653516",
+  notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
+                 ideas",
 }
 
 @Article{reeson87,
 }
 
 @Article{reeson87,
                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1987",
                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1987",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "51",
   number =       "26",
   pages =        "2242--2244",
   volume =       "51",
   number =       "26",
   pages =        "2242--2244",
   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1959",
   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1959",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "30",
   number =       "6",
   pages =        "1551--1555",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
   doi =          "10.1063/1.1730236",
   volume =       "30",
   number =       "6",
   pages =        "1551--1555",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
   doi =          "10.1063/1.1730236",
-  notes =        "solubility of c in c-si",
+  notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
 }
 
 @Article{cowern96,
 }
 
 @Article{cowern96,
                  {B} in silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1996",
                  {B} in silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1996",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "68",
   number =       "8",
   pages =        "1150--1152",
   volume =       "68",
   number =       "8",
   pages =        "1150--1152",
 @Article{stolk95,
   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
                  of the silicon self-interstitial",
 @Article{stolk95,
   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
                  of the silicon self-interstitial",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "96",
   number =       "1-2",
   pages =        "187--195",
   volume =       "96",
   number =       "1-2",
   pages =        "187--195",
                  diffusion in ion-implanted silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
                  diffusion in ion-implanted silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "81",
   number =       "9",
   pages =        "6031--6050",
   volume =       "81",
   number =       "9",
   pages =        "6031--6050",
                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "64",
   number =       "3",
   pages =        "324--326",
   volume =       "64",
   number =       "3",
   pages =        "324--326",
                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1991",
                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1991",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "70",
   number =       "4",
   pages =        "2470--2472",
   volume =       "70",
   number =       "4",
   pages =        "2470--2472",
                  molecular beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1999",
                  molecular beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1999",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "74",
   number =       "6",
   pages =        "836--838",
   volume =       "74",
   number =       "6",
   pages =        "836--838",
   month =        may,
   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
   publisher =    "American Physical Society",
   month =        may,
   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
   publisher =    "American Physical Society",
-  notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
+  notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
                  si, dft",
 }
 
                  si, dft",
 }
 
   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
                  Alloy",
   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
                  Alloy",
   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
-  journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
+  journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
   volume =       "44",
   number =       "4B",
   pages =        "2257--2262",
   volume =       "44",
   number =       "4B",
   pages =        "2257--2262",
                  Si(001)",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
                  Si(001)",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "82",
   number =       "10",
   pages =        "4977--4981",
   volume =       "82",
   number =       "10",
   pages =        "4977--4981",
   notes =        "charge transport in strained si",
 }
 
   notes =        "charge transport in strained si",
 }
 
-@Article{PhysRevB.69.155214,
+@Article{kapur04,
   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
                  potential energy surfaces",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2009",
                  potential energy surfaces",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2009",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "130",
   number =       "11",
   eid =          "114711",
   volume =       "130",
   number =       "11",
   eid =          "114711",
                  molecular dynamics method",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1981",
                  molecular dynamics method",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1981",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "52",
   number =       "12",
   pages =        "7182--7190",
   volume =       "52",
   number =       "12",
   pages =        "7182--7190",
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
+@Article{brenner90,
+  title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
+                 simulating the chemical vapor deposition of diamond
+                 films",
+  author =       "Donald W. Brenner",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "42",
+  number =       "15",
+  pages =        "9458--9471",
+  numpages =     "13",
+  year =         "1990",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "brenner hydro carbons",
+}
+
+@Article{bazant96,
+  title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
+                 Cohesive Energy Curves",
+  author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "77",
+  number =       "21",
+  pages =        "4370--4373",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1996",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "first si edip",
+}
+
 @Article{bazant97,
   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
                  silicon",
 @Article{bazant97,
   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
                  silicon",
   month =        oct,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
   publisher =    "American Physical Society",
   month =        oct,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
   publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "second si edip",
 }
 
 @Article{justo98,
   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
                  disordered phases",
 }
 
 @Article{justo98,
   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
                  disordered phases",
-  author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
-                 Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
+  author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
+                 Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "58",
   number =       "5",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "58",
   number =       "5",
   month =        aug,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
   publisher =    "American Physical Society",
   month =        aug,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
   publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
 }
 
 @Article{parcas_md,
 }
 
 @Article{parcas_md,
                  simulation of infrequent events",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
                  simulation of infrequent events",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "106",
   number =       "11",
   pages =        "4665--4677",
   volume =       "106",
   number =       "11",
   pages =        "4665--4677",
 }
 
 @Article{sorensen2000,
 }
 
 @Article{sorensen2000,
-  author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
+  author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
   collaboration = "",
   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
                  infrequent events",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2000",
   collaboration = "",
   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
                  infrequent events",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2000",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "112",
   number =       "21",
   pages =        "9599--9606",
   volume =       "112",
   number =       "21",
   pages =        "9599--9606",
                  simulation",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1999",
                  simulation",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1999",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "110",
   number =       "19",
   pages =        "9401--9410",
   volume =       "110",
   number =       "19",
   pages =        "9401--9410",
                  to the production of amorphous silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2005",
                  to the production of amorphous silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2005",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "122",
   number =       "15",
   eid =          "154509",
   volume =       "122",
   number =       "15",
   eid =          "154509",
                  difficult?",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
                  difficult?",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "62",
   number =       "25",
   pages =        "3336--3338",
   volume =       "62",
   number =       "25",
   pages =        "3336--3338",
 
 @Article{chaussende08,
   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
 
 @Article{chaussende08,
   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "310",
   number =       "5",
   pages =        "976--981",
   volume =       "310",
   number =       "5",
   pages =        "976--981",
                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
-  notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links, metastable",
+  notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
+                 metastable",
+}
+
+@Article{chaussende07,
+  author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
+  title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
+  journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
+  volume =       "40",
+  number =       "20",
+  pages =        "6150",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
+  year =         "2007",
+  notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
+                 modelling",
+}
+
+@Article{feynman39,
+  title =        "Forces in Molecules",
+  author =       "R. P. Feynman",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  volume =       "56",
+  number =       "4",
+  pages =        "340--343",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1939",
+  month =        aug,
+  doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "hellmann feynman forces",
+}
+
+@Article{buczko00,
+  title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
+                 $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
+                 their Contrasting Properties",
+  author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
+                 T. Pantelides",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "84",
+  number =       "5",
+  pages =        "943--946",
+  numpages =     "3",
+  year =         "2000",
+  month =        jan,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
+}
+
+@Article{djurabekova08,
+  title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
+                 nanocrystals embedded in amorphous silica",
+  author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "77",
+  number =       "11",
+  pages =        "115325",
+  numpages =     "7",
+  year =         "2008",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
+                 angular distribution, coordination",
+}
+
+@Article{wen09,
+  author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
+                 W. Liang and J. Zou",
+  collaboration = "",
+  title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
+                 strain relaxation at highly lattice mismatched
+                 3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "2009",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "106",
+  number =       "7",
+  eid =          "073522",
+  numpages =     "8",
+  pages =        "073522",
+  keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
+                 elemental semiconductors; semiconductor growth;
+                 semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
+                 stacking faults; wide band gap semiconductors",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
+  doi =          "10.1063/1.3234380",
+  notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
+                 deconvolution, dislocation defects",
+}
+
+@Article{kitabatake93,
+  author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
+                 Hirao",
+  collaboration = "",
+  title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
+                 growth on Si(001) surface",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1993",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "74",
+  number =       "7",
+  pages =        "4438--4445",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
+                 BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
+                 MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
+  doi =          "10.1063/1.354385",
+  notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
+                 model, interface",
+}
+
+@Article{kitabatake97,
+  author =       "Makoto Kitabatake",
+  title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
+                 Heteroepitaxial Growth",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  year =         "1997",
+  journal =      "physica status solidi (b)",
+  volume =       "202",
+  pages =        "405--420",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
+  doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
+  notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
+}
+
+@Article{chirita97,
+  title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
+                 3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
+                 dynamics study",
+  journal =      "Thin Solid Films",
+  volume =       "294",
+  number =       "1-2",
+  pages =        "47--49",
+  year =         "1997",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0040-6090",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
+  author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
+  keywords =     "Strain relaxation",
+  keywords =     "Interfaces",
+  keywords =     "Thermal stability",
+  keywords =     "Molecular dynamics",
+  notes =        "tersoff sic/si interface study",
+}
+
+@Article{cicero02,
+  title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
+                 $Si{C}/Si(001)$ Interface",
+  author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
+                 Catellani",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "89",
+  number =       "15",
+  pages =        "156101",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2002",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "sic/si interface study",
+}
+
+@Article{pizzagalli03,
+  title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
+                 interface: Si{C}/Si(001)",
+  author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
+                 Catellani",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "68",
+  number =       "19",
+  pages =        "195302",
+  numpages =     "10",
+  year =         "2003",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
+}
+
+@Article{tang07,
+  title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
+                 boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
+                 electron microscopy",
+  author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
+                 H. Zheng and J. W. Liang",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "75",
+  number =       "18",
+  pages =        "184103",
+  numpages =     "7",
+  year =         "2007",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
+                 si and c",
+}
+
+@Article{hornstra58,
+  title =        "Dislocations in the diamond lattice",
+  journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
+  volume =       "5",
+  number =       "1-2",
+  pages =        "129--141",
+  year =         "1958",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-3697",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
+  author =       "J. Hornstra",
+  notes =        "dislocations in diamond lattice",
+}
+
+@Article{deguchi92,
+  title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
+                 Ion `Hot' Implantation",
+  author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
+                 Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
+  journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
+  volume =       "31",
+  number =       "Part 1, No. 2A",
+  pages =        "343--347",
+  numpages =     "4",
+  year =         "1992",
+  URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
+  doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
+  publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
+  notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
+                 efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
+}
+
+@Article{eichhorn99,
+  author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
+                 K{\"{o}}gler",
+  collaboration = "",
+  title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
+                 implanted with carbon ions of medium fluence studied by
+                 synchrotron x-ray diffraction",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1999",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "86",
+  number =       "8",
+  pages =        "4184--4187",
+  keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
+                 interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
+                 precipitation; semiconductor doping",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
+  doi =          "10.1063/1.371344",
+  notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
+                 expansion of si lattice",
+}
+
+@Article{eichhorn02,
+  author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
+                 Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
+  collaboration = "",
+  title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
+                 carbon ion implantation",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "2002",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "91",
+  number =       "3",
+  pages =        "1287--1292",
+  keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
+                 implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
+                 electron microscopy",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
+  doi =          "10.1063/1.1428105",
+  notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
+                 temperature, might explain c into c sub trafo",
+}
+
+@Article{lucas10,
+  author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
+  title =        "An environment-dependent interatomic potential for
+                 silicon carbide: calculation of bulk properties,
+                 high-pressure phases, point and extended defects, and
+                 amorphous structures",
+  journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
+  volume =       "22",
+  number =       "3",
+  pages =        "035802",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
+  year =         "2010",
+  notes =        "edip sic",
+}
+
+@Article{godet03,
+  author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
+                 Beauchamp",
+  title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
+                 methods for silicon under large shear",
+  journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
+  volume =       "15",
+  number =       "41",
+  pages =        "6943",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
+  year =         "2003",
+  notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
+                 edip, tersoff, ab initio",
+}
+
+@Article{moriguchi98,
+  title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
+                 Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
+  author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
+  journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
+  volume =       "37",
+  number =       "Part 1, No. 2",
+  pages =        "414--422",
+  numpages =     "8",
+  year =         "1998",
+  URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
+  doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
+  publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
+  notes =        "tersoff stringent test",
+}
+
+@Article{mazzarolo01,
+  title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
+                 simulations",
+  author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
+                 Lulli and Eros Albertazzi",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "63",
+  number =       "19",
+  pages =        "195207",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2001",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{holmstroem08,
+  title =        "Threshold defect production in silicon determined by
+                 density functional theory molecular dynamics
+                 simulations",
+  author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "78",
+  number =       "4",
+  pages =        "045202",
+  numpages =     "6",
+  year =         "2008",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
+                 initio",
+}
+
+@Article{nordlund97,
+  title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
+                 Hartree-Fock and density-functional theory methods",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
+  volume =       "132",
+  number =       "1",
+  pages =        "45--54",
+  year =         "1997",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0168-583X",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
+  author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
+  notes =        "repulsive ab initio potential",
+}
+
+@Article{kresse96,
+  title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
+                 metals and semiconductors using a plane-wave basis
+                 set",
+  journal =      "Comput. Mater. Sci.",
+  volume =       "6",
+  number =       "1",
+  pages =        "15--50",
+  year =         "1996",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0927-0256",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
+  author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
+  notes =        "vasp ref",
+}
+
+@Article{bloechl94,
+  title =        "Projector augmented-wave method",
+  author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "50",
+  number =       "24",
+  pages =        "17953--17979",
+  numpages =     "26",
+  year =         "1994",
+  month =        dec,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "paw method",
+}
+
+@Article{hamann79,
+  title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
+  author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "43",
+  number =       "20",
+  pages =        "1494--1497",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1979",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
+}
+
+@Article{vanderbilt90,
+  title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
+                 eigenvalue formalism",
+  author =       "David Vanderbilt",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "41",
+  number =       "11",
+  pages =        "7892--7895",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1990",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "vasp pseudopotentials",
+}
+
+@Article{perdew86,
+  title =        "Accurate and simple density functional for the
+                 electronic exchange energy: Generalized gradient
+                 approximation",
+  author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "33",
+  number =       "12",
+  pages =        "8800--8802",
+  numpages =     "2",
+  year =         "1986",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "rapid communication gga",
+}
+
+@Article{perdew02,
+  title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
+                 correlation: {A} look backward and forward",
+  journal =      "Physica B: Condensed Matter",
+  volume =       "172",
+  number =       "1-2",
+  pages =        "1--6",
+  year =         "1991",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0921-4526",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
+  author =       "John P. Perdew",
+  notes =        "gga overview",
+}
+
+@Article{perdew92,
+  title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
+                 of the generalized gradient approximation for exchange
+                 and correlation",
+  author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
+                 Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
+                 and Carlos Fiolhais",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "46",
+  number =       "11",
+  pages =        "6671--6687",
+  numpages =     "16",
+  year =         "1992",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
+}
+
+@Article{baldereschi73,
+  title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
+  author =       "A. Baldereschi",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "7",
+  number =       "12",
+  pages =        "5212--5215",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1973",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "mean value k point",
+}
+
+@Article{zhu98,
+  title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
+                 diffusion in Si",
+  journal =      "Comput. Mater. Sci.",
+  volume =       "12",
+  number =       "4",
+  pages =        "309--318",
+  year =         "1998",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0927-0256",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
+  author =       "Jing Zhu",
+  keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
+  keywords =     "Boron dopant",
+  keywords =     "Carbon dopant",
+  keywords =     "Defect",
+  keywords =     "ab initio pseudopotential method",
+  keywords =     "Impurity cluster",
+  notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
+}
+
+@Article{nejim95,
+  author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
+  collaboration = "",
+  title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
+                 950 [degree]{C}",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1995",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
+  volume =       "66",
+  number =       "20",
+  pages =        "2646--2648",
+  keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
+                 CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
+                 1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
+                 ELECTRON MICROSCOPY",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
+  doi =          "10.1063/1.113112",
+  notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
+                 self interstitials react with further implanted c",
+}
+
+@Article{guedj98,
+  author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
+                 Kolodzey and A. Hairie",
+  collaboration = "",
+  title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
+                 alloys",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1998",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "84",
+  number =       "8",
+  pages =        "4631--4633",
+  keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
+                 semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
+                 Fourier transform spectra; thermal stability;
+                 annealing",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
+  doi =          "10.1063/1.368703",
+  notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
+}
+
+@Article{jones04,
+  author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
+  title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
+                 semiconductors",
+  journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
+  volume =       "16",
+  number =       "27",
+  pages =        "S2643",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
+  year =         "2004",
+  notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
+}
+
+@Article{park02,
+  author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
+                 T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
+                 J. E. Greene and S. G. Bishop",
+  collaboration = "",
+  title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
+                 Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
+                 molecular-beam epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "2002",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "91",
+  number =       "9",
+  pages =        "5716--5727",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
+  doi =          "10.1063/1.1465122",
+  notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
+}
+
+@Article{leary97,
+  title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
+                 carbon-carbon pair defects in silicon",
+  author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
+                 Torres",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "55",
+  number =       "4",
+  pages =        "2188--2194",
+  numpages =     "6",
+  year =         "1997",
+  month =        jan,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
+                 energies, different migration barriers and paths",
+}
+
+@Article{burnard93,
+  title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
+                 silicon: Semiempirical electronic-structure
+                 calculations",
+  author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "47",
+  number =       "16",
+  pages =        "10217--10225",
+  numpages =     "8",
+  year =         "1993",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
+                 carbon defect, formation energies",
+}
+
+@Article{besson91,
+  title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
+                 silicon",
+  author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "43",
+  number =       "5",
+  pages =        "4028--4033",
+  numpages =     "5",
+  year =         "1991",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{kaxiras96,
+  title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
+                 and growth on semiconductors",
+  journal =      "Comput. Mater. Sci.",
+  volume =       "6",
+  number =       "2",
+  pages =        "158--172",
+  year =         "1996",
+  note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
+                 Epitaxy",
+  ISSN =         "0927-0256",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
+  author =       "Efthimios Kaxiras",
+  notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
+                 tight binding, first principles",
+}
+
+@Article{kaukonen98,
+  title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
+                 diamond
+                 $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
+                 surfaces",
+  author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
+                 M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
+                 Th. Frauenheim",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "57",
+  number =       "16",
+  pages =        "9965--9970",
+  numpages =     "5",
+  year =         "1998",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
+                 (crt)",
+}
+
+@Article{gali03,
+  title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
+                 center in Si{C}",
+  author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
+                 I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
+                 W. J. Choyke",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "67",
+  number =       "15",
+  pages =        "155203",
+  numpages =     "5",
+  year =         "2003",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{chen98,
+  title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
+                 irradiation and deformation",
+  journal =      "J. Nucl. Mater.",
+  volume =       "258-263",
+  number =       "Part 2",
+  pages =        "1803--1808",
+  year =         "1998",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-3115",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
+  author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
+}
+
+@Article{weber01,
+  title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
+                 of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
+  volume =       "175-177",
+  number =       "",
+  pages =        "26--30",
+  year =         "2001",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0168-583X",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
+  author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
+}
+
+@Article{bockstedte03,
+  title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
+                 in $3{C}-Si{C}$",
+  author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
+                 Pankratov",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "68",
+  number =       "20",
+  pages =        "205201",
+  numpages =     "17",
+  year =         "2003",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "defect migration in sic",
+}
+
+@Article{rauls03a,
+  title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
+                 vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
+  author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
+                 De\'ak",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "68",
+  number =       "15",
+  pages =        "155208",
+  numpages =     "9",
+  year =         "2003",
+  month =        oct,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{losev27,
+  journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
+  volume =       "44",
+  pages =        "485--494",
+  year =         "1927",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{losev28,
+  title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
+                 oscillations with crystals",
+  journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
+  volume =       "6",
+  number =       "39",
+  pages =        "1024--1044",
+  year =         "1928",
+  URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{losev29,
+  journal =      "Physik. Zeitschr.",
+  volume =       "30",
+  pages =        "920--923",
+  year =         "1929",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{losev31,
+  journal =      "Physik. Zeitschr.",
+  volume =       "32",
+  pages =        "692--696",
+  year =         "1931",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{losev33,
+  journal =      "Physik. Zeitschr.",
+  volume =       "34",
+  pages =        "397--403",
+  year =         "1933",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{round07,
+  title =        "A note on carborundum",
+  journal =      "Electrical World",
+  volume =       "49",
+  pages =        "308",
+  year =         "1907",
+  author =       "H. J. Round",
+}
+
+@Article{vashishath08,
+  title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
+  journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
+  volume =       "2",
+  number =       "03",
+  pages =        "444--470",
+  year =         "2008",
+  author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
+  URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
+  notes =        "sic polytype electronic properties",
+}
+
+@Article{nelson69,
+  author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
+  collaboration = "",
+  title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1966",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "37",
+  number =       "1",
+  pages =        "333--336",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
+  doi =          "10.1063/1.1707837",
+  notes =        "sic melt growth",
+}
+
+@Article{arkel25,
+  author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
+  title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
+                 und Thoriummetall",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
+  year =         "1925",
+  journal =      "Z. Anorg. Chem.",
+  volume =       "148",
+  pages =        "345--350",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
+  doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
+  notes =        "van arkel apparatus",
+}
+
+@Article{moers31,
+  author =       "K. Moers",
+  year =         "1931",
+  journal =      "Z. Anorg. Chem.",
+  volume =       "198",
+  pages =        "293",
+  notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
+                 process",
+}
+
+@Article{kendall53,
+  author =       "J. T. Kendall",
+  title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1953",
+  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  volume =       "21",
+  number =       "5",
+  pages =        "821--827",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
+  notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
+                 process",
+}
+
+@Article{lely55,
+  author =       "J. A. Lely",
+  year =         "1955",
+  journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
+  volume =       "32",
+  pages =        "229",
+  notes =        "lely sublimation growth process",
+}
+
+@Article{knippenberg63,
+  author =       "W. F. Knippenberg",
+  year =         "1963",
+  journal =      "Philips Res. Repts.",
+  volume =       "18",
+  pages =        "161",
+  notes =        "acheson process",
+}
+
+@Article{hoffmann82,
+  author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
+                 Weyrich",
+  collaboration = "",
+  title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
+                 improved external quantum efficiency",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1982",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "53",
+  number =       "10",
+  pages =        "6962--6967",
+  keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
+                 efficiency; visible radiation; experimental data;
+                 epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
+                 aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
+                 electroluminescence; spectra; current density;
+                 optimization",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
+  doi =          "10.1063/1.330041",
+  notes =        "blue led, sublimation process",
+}
+
+@Article{neudeck95,
+  author =       "Philip Neudeck",
+  affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
+                 Road 44135 Cleveland OH",
+  title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
+                 technology",
+  journal =      "Journal of Electronic Materials",
+  publisher =    "Springer Boston",
+  ISSN =         "0361-5235",
+  keyword =      "Chemistry and Materials Science",
+  pages =        "283--288",
+  volume =       "24",
+  issue =        "4",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
+  note =         "10.1007/BF02659688",
+  year =         "1995",
+  notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
+}
+
+@Article{bhatnagar93,
+  author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
+  journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
+  title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
+                 devices",
+  year =         "1993",
+  month =        mar,
+  volume =       "40",
+  number =       "3",
+  pages =        "645--655",
+  keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
+                 rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
+                 properties;output characteristics;power MOSFETs;power
+                 semiconductor devices;switching characteristics;thermal
+                 analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
+                 solids;insulated gate field effect transistors;power
+                 transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
+                 compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
+  doi =          "10.1109/16.199372",
+  ISSN =         "0018-9383",
+  notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
+}
+
+@Article{neudeck94,
+  author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
+                 A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
+  journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
+  title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
+                 6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
+                 6{H}-Si{C} substrates",
+  year =         "1994",
+  month =        may,
+  volume =       "41",
+  number =       "5",
+  pages =        "826--835",
+  keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
+                 C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
+                 process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
+                 properties;epitaxial layers;light
+                 emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
+                 diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
+                 leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
+                 currents;power electronics;semiconductor
+                 diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
+                 growth;semiconductor materials;silicon
+                 compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
+                 phase epitaxial growth;",
+  doi =          "10.1109/16.285038",
+  ISSN =         "0018-9383",
+  notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
+                 substrate",
+}
+
+@Article{schulze98,
+  author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
+  collaboration = "",
+  title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
+                 single crystals by physical vapor transport",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1998",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "72",
+  number =       "13",
+  pages =        "1632--1634",
+  keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
+                 semiconductor growth; crystal growth from vapour;
+                 photoluminescence; Hall mobility",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
+  doi =          "10.1063/1.121136",
+  notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
+}
+
+@Article{pirouz87,
+  author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
+  collaboration = "",
+  title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1987",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "50",
+  number =       "4",
+  pages =        "221--223",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
+                 MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
+                 VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
+                 ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
+                 BOUNDARIES",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
+  doi =          "10.1063/1.97667",
+  notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
+}
+
+@Article{shibahara86,
+  title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
+                 Si(100) by chemical vapor deposition",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "78",
+  number =       "3",
+  pages =        "538--544",
+  year =         "1986",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
+  author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
+                 Matsunami",
+  notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
+}
+
+@Article{desjardins96,
+  author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
+  collaboration = "",
+  title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1996",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "79",
+  number =       "3",
+  pages =        "1423--1434",
+  keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
+                 FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
+  doi =          "10.1063/1.360980",
+  notes =        "apb model",
+}
+
+@Article{henke95,
+  author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
+  collaboration = "",
+  title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
+                 carbonization of silicon",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1995",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "78",
+  number =       "3",
+  pages =        "2070--2073",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
+                 FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
+                 STRUCTURE",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
+  doi =          "10.1063/1.360184",
+  notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
+}
+
+@Article{fuyuki89,
+  title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
+                 {MBE} using surface superstructure",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "95",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "461--463",
+  year =         "1989",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
+  author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
+                 Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
+  notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
+}
+
+@Article{yoshinobu92,
+  author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
+                 and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
+  collaboration = "",
+  title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
+                 3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
+                 molecular beam epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1992",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "60",
+  number =       "7",
+  pages =        "824--826",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
+                 EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
+                 INTERFACE STRUCTURE",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
+  doi =          "10.1063/1.107430",
+  notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
+}
+
+@Article{yoshinobu90,
+  title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
+                 cubic Si{C}",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "99",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "520--524",
+  year =         "1990",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
+  author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
+                 Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
+  notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
+}
+
+@Article{fuyuki93,
+  title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
+                 superstructures in Si{C}",
+  journal =      "Thin Solid Films",
+  volume =       "225",
+  number =       "1-2",
+  pages =        "225--229",
+  year =         "1993",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0040-6090",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
+  author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
+                 Matsunami",
+  notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
+                 epitaxy, ale",
+}
+
+@Article{hara93,
+  title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
+                 growth of [beta]-Si{C}",
+  journal =      "Thin Solid Films",
+  volume =       "225",
+  number =       "1-2",
+  pages =        "240--243",
+  year =         "1993",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0040-6090",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
+  author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
+                 and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
+  notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
+                 epitaxy, ale",
+}
+
+@Article{tanaka94,
+  author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
+  collaboration = "",
+  title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
+                 growth mode and polytype formation during gas-source
+                 molecular beam epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1994",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "65",
+  number =       "22",
+  pages =        "2851--2853",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
+                 TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
+                 NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
+                 FLOW; FLOW RATE",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
+  doi =          "10.1063/1.112513",
+  notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
+}
+
+@Article{fuyuki97,
+  author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
+  title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
+                 3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
+  publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
+  year =         "1997",
+  journal =      "physica status solidi (b)",
+  volume =       "202",
+  pages =        "359--378",
+  notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
+                 temperatures 750",
+}
+
+@Article{takaoka98,
+  title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "183",
+  number =       "1-2",
+  pages =        "175--182",
+  year =         "1998",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
+  author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
+  keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
+  keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
+  keywords =     "Silicon carbide",
+  keywords =     "Silicon",
+  keywords =     "Island growth",
+  notes =        "lower temperature, 550-700",
+}
+
+@Article{hatayama95,
+  title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
+                 on Si using hydrocarbon radicals by gas source
+                 molecular beam epitaxy",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "150",
+  number =       "Part 2",
+  pages =        "934--938",
+  year =         "1995",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
+  author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
+                 and Hiroyuki Matsunami",
+}
+
+@Article{heine91,
+  author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
+  title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
+                 Metastable Cubic Form",
+  journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
+  volume =       "74",
+  number =       "10",
+  publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
+  ISSN =         "1551-2916",
+  URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
+  doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
+  pages =        "2630--2633",
+  keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
+                 calculations, stability",
+  year =         "1991",
+  notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
+                 polytype dft calculation refs",
+}
+
+@Article{allendorf91,
+  title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
+                 [beta]-silicon carbide",
+  journal =      "Surface Science",
+  volume =       "258",
+  number =       "1-3",
+  pages =        "177--189",
+  year =         "1991",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0039-6028",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
+  author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
+  notes =        "h adsorption on 3c-sic",
+}
+
+@Article{eaglesham93,
+  author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
+                 D. P. Adams and S. M. Yalisove",
+  collaboration = "",
+  title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1993",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "74",
+  number =       "11",
+  pages =        "6615--6618",
+  keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
+                 CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
+                 DIFFUSION; ADSORPTION",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
+  doi =          "10.1063/1.355101",
+  notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
+                 mobility",
 }
 }