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index 0c0367d..957cd3f 100644 (file)
@@ -24,7 +24,7 @@ Bei Untersuchungen von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, al
 fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht begleitet von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache.
 Diese Ausscheidungen sind regelm"a"sig angeordnet.
 Es handelt sich um einen Selbstorganisationsprozess.
-Ein Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorgangs ist in \cite{chef_habil} vorgestellt.
+Ein Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorgangs ist in \cite{vorstellung_modell} vorgestellt.
 
 Die folgende Arbeit beschreibt die Umsetzung des Modells in einen Monte-Carlo-Simulationscode, mit dessen Hilfe der Selbstorganisationsvorgang genauer untersucht und verstanden werden soll.
 Monte-Carlo-Rechnungen bieten hierbei den Vorteil, dass sie im Gegensatz zu sogenannten molekulardynamischen Berechnungen sehr viel weniger zeitintensiv sind, da im letztgenannten die Bewegung des Ions in dem Festk"orper durch L"osen der klassischen Bewegungsgleichungen errechnet wird.