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[lectures/latex.git] / nlsop / diplom / exp_befunde.tex

diff --git a/nlsop/diplom/exp_befunde.tex b/nlsop/diplom/exp_befunde.tex
index cb5562d..53ea01c 100644 (file)
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+++ b/nlsop/diplom/exp_befunde.tex
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 \chapter{Experimentelle Befunde}
 \label{chapter:exp_befunde}
 
 \chapter{Experimentelle Befunde}
 \label{chapter:exp_befunde}
 

-Gegenstand dieser Arbeit ist die Umsetzung eines Modells, welches den Selbstorganisationsvorgang von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache zur durchgehend amorphen $SiC_x$-Schicht bei Hochdosis-Kohlenstoff-Implantation in Silizium erkl"aren soll.
-Neben Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch in Hochdosis-Sauerstoffimplantation in Silizium, $Ar^+$ in Saphir und $Si^+$ in $SiC$ \cite{van_ommen,specht,ishimaru} gefunden.
+Gegenstand dieser Arbeit ist die Umsetzung eines Modells, welches den Selbstorganisationsvorgang bei der Bidlung von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache zur durchgehend amorphen $SiC_x$-Schicht bei Hochdosis-Kohlenstoff-Implantation in Silizium erkl"aren soll.
+Neben der Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch in Hochdosis-Sauerstoffimplantation in Silizium, $Ar^+$ in Saphir und $Si^+$ in $SiC$ \cite{van_ommen,specht,ishimaru} gefunden.

 Allen Systemen gemeinsam ist eine drastische Dichtereduktion von mehr als $3-10 \, \%$ des Targetmaterials bei der Amorphisierung, worauf im n"achsten Kapitel genauer eingegangen wird.
 
 Die Entstehung solcher Ausscheidungen beobachtet man nur unter bestimmten Implantationsbedingungen.
 Allen Systemen gemeinsam ist eine drastische Dichtereduktion von mehr als $3-10 \, \%$ des Targetmaterials bei der Amorphisierung, worauf im n"achsten Kapitel genauer eingegangen wird.
 
 Die Entstehung solcher Ausscheidungen beobachtet man nur unter bestimmten Implantationsbedingungen.


@@ -13,7 +13,7 @@ Es wurden Implantationen von Ionen der Energie $180 \, keV$ in einem Winkel von
   \section{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
 
   \printimg{h}{width=15cm}{k393abild1_.eps}{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $180 \, keV$ $C^+$ implantierten $Si$-Probe mit einer Dosis von $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$. (L: amorphe Lamellen,  S: sph"arische amorphe Ausscheidungen) \cite{maik_da}}{img:xtem_img}
   \section{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
 
   \printimg{h}{width=15cm}{k393abild1_.eps}{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $180 \, keV$ $C^+$ implantierten $Si$-Probe mit einer Dosis von $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$. (L: amorphe Lamellen,  S: sph"arische amorphe Ausscheidungen) \cite{maik_da}}{img:xtem_img}

-  Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine Cross-Section TEM-Aufnahme einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV \, C^{+}$-inplantierten Probe.
+  Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine Cross-Section TEM-Aufnahme (Querschnittsaufnahme) einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV \, C^{+}$-inplantierten Probe.

   Die hellen Gebiete sind amorph, dunkle Gebiete kristallin.
   In einer Tiefe von ungef"ahr $300 \, nm$ beginnt die durchgehend amorphe Schicht.
   An der vorderen Grenzfl"ache sind die lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen zu erkennen.
   Die hellen Gebiete sind amorph, dunkle Gebiete kristallin.
   In einer Tiefe von ungef"ahr $300 \, nm$ beginnt die durchgehend amorphe Schicht.
   An der vorderen Grenzfl"ache sind die lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen zu erkennen.