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[lectures/latex.git] / nlsop / diplom / simulation.tex

diff --git a/nlsop/diplom/simulation.tex b/nlsop/diplom/simulation.tex
index ea4ff89..897ed88 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/simulation.tex
+++ b/nlsop/diplom/simulation.tex
@@ -130,20 +130,23 @@ Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen.
     \subsection{Implantationsprofil und nukleare Bremskraft}
 
     \printimg{h}{width=13cm}{trim92_2.eps}{Von {\em TRIM 92} ermittelte Reichweitenverteilung und tiefenabh"angige Bremskr"afte f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}{img:bk_impl_p}
+    \printimg{!h}{width=12cm}{trim_impl.eps}{Durch {\em SRIM 2003.26} berechnetes Implantationsprofil f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}{img:trim_impl}
+
     Abbildung \ref{img:bk_impl_p} zeigt die von {\em TRIM 92} ermittelte nukleare Bremskraft sowie das Kohlenstoffkonzentrationsprofil f"ur die in dieser Arbeit verwendeten Parameter.
     Die gestrichelte Linie markiert das Ionenprofilmaximum bei $500 nm$.
     Sputtereffekte und Abweichungen auf Grund der kontinuierlich ver"anderten Targetzusammensetzung w"ahrend der Hochdosisimplantation werden von {\em TRIM} allerdings nicht ber"ucksichtigt.
     
-    Die Profile werden von {\em TRIM} selbst in seperate Dateien geschrieben.
+    Die Profile werden von {\em TRIM} selbst in separate Dateien geschrieben.
     Tauscht man die Kommata (Trennung von Ganzzahl und Kommastelle) durch Punkte aus, so kann {\em NLSOP} diese Dateien auslesen und die Profile extrahieren.
    
-    \printimg{h}{width=12cm}{trim_impl.eps}{Durch {\em SRIM 2003.26} berechnetes Implantationsprofil f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}{img:trim_impl}
     In Abbildung \ref{img:trim_impl} ist das f"ur diese Simulation verwendete, von einer neueren {\em TRIM}-Version ({\em SRIM 2003.26})  berechnete Implantationsprofil abgebildet.
     Dieses Profil verwendet {\em NLSOP} zum Einbau des Kohelnstoffs.
     Das Implantationsmaximum liegt hier bei ungef"ahr $530 nm$.
     Auff"allig ist eine Verschiebung des Maximums um $30 nm$ zu dem Maximum aus Abbildung \ref{img:bk_impl_p}.
     Dies ist auf eine Ver"anderung in der elektronischen Bremskrfat zuru"ckzuf"uhren.
 
+    \clearpage
+
     \subsection{Durchschnittliche Anzahl der St"o"se der Ionen und Energieabgabe}
     \label{subsection:parse_trim_coll}
 
@@ -183,6 +186,7 @@ Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen.
 
   Die Simulation kann in die drei Abschnitte Amorphisierung/Rekristallisation, Fremdatomeinbau und Diffusion/Sputtern gegliedert werden.
   Die beschriebenen Prozeduren werden sequentiell abgearbeitet und beliebig oft durchlaufen.
+  Es wird mit einem komplett kristallinen und kohlenstofffreien Target gestartet.
 
   Wenn, wie in Version 2 der Simulation, pro Durchlauf die Anzahl der simulierten Sto"skaskaden gleich der Anzahl der getroffenen Volumina ist, entspricht ein Durchlauf genau einem implantierten Ion.
   Im Folgenden sei die Anzahl der W"urfel in $x$, $y$ und $z$ Richtung $X$, $Y$ und $Z$.
@@ -192,12 +196,10 @@ Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen.
   \label{eq:dose_steps}
   \end{equation}
 
-  Es wird mit einem komplett kristallinen und kohlenstofffreien Target gestartet.
-
     \subsection{Amorphisierung und Rekristallisation}
     \label{subsection:a_r_step}
 
-      \begin{figure}[h]
+      \begin{figure}[!ht]
       \begin{center}
       \begin{pspicture}(0,0)(15,18)
 
@@ -311,7 +313,7 @@ Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen.
 
       \begin{figure}[h]
       \begin{center}
-      \begin{pspicture}(0,0)(15,5)
+      \begin{pspicture}(0,0)(15,6)
 
         \rput(2,5){\rnode{weiter_2}{\psframebox{$\bigotimes$}}}