- Monte Carlo Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium \\
+ Monte-Carlo-Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium \\