Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Bildung selbstorganisierter nanometrischer $SiC_x$"=Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium untersucht.
Diese Ausscheidungen wurden bei Targettemperaturen zwischen $150$ und $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ beobachtet.
-Unter diesen Bedingungen ist auf Grund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoffionen im Silizium keine Amorphisierung zu erwarten.
+Unter diesen Bedingungen ist aufgrund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoffionen im Silizium keine Amorphisierung zu erwarten.
Tats"achlich ist bekannt, dass reines kristallines Silizium unter diesen Gegebenheiten ionenstrahl-induziert epitaktisch rekristallisiert.
Die Amorphisierung wird dem Kohlenstoff zugeschrieben.
Um bei diesen Temperaturen amorphe Ausscheidungen zu erhalten, m"uss eine hohe Dosis implantiert werden.
Ein Modell zur Entstehung der selbstorganisierten amorphen Phasen wird vorgestellt.
Bei "Uberschreitung einer S"attigungsgrenze von Kohlenstoff in kristallinem Silizium entstehen sph"arische amorphe Ausscheidungen.
-Auf Grund der Dichtereduktion im entspannten amorphen Zustand "ubt dieses amorphe Gebiet Druckspannungen auf die laterale kristalline Umgebung aus.
+Aufgrund der Dichtereduktion im entspannten amorphen Zustand "ubt dieses amorphe Gebiet Druckspannungen auf die laterale kristalline Umgebung aus.
Dies beg"unstigt die Amorphisierung in den verspannten Gebieten.
Dies entspricht der spannungsinduzierten Amorphisierung.
Kohlenstoff diffundiert vom Kristallinen in die amorphen Auscheidungen um die Kohlenstoff"ubers"attigung der kristallinen $Si$-Phase zu reduzieren.
Eine genaue Lage des Kohlenstoffs in den amorphen und kristallinen Gebieten kann angegeben werden.
Dadurch wird der Selbstorganisationsprozess nachvollziehbar.
Amorphe und kristalline Gebiete sind in aufeinander folgenden Ebenen komplement"ar angeordnet.
-Da sich grosse und kleine amorphe Gebiete abwechseln und die amorphen Gebiete auf Grund der Diffusion sehr kohlenstoffreich sind, schwankt die Kohlenstoffkonzentration im Bereich der lamellaren Ausscheidungen.
+Da sich gro"se und kleine amorphe Gebiete abwechseln und die amorphen Gebiete aufgrund der Diffusion sehr kohlenstoffreich sind, schwankt die Kohlenstoffkonzentration im Bereich der lamellaren Ausscheidungen.
Mit der zweiten Version wird der gesamte durch den Ionenbeschuss modifizierte Tiefenbereich abgedeckt.
Man findet einen Satz von Simulationsparametern, der die experimentell beobachtete Dosisentwicklung gut reproduziert.
Diffusion ist einerseits notwendig f"ur die lamellare Ordnung der amorphen Ausscheidungen, eine leicht aggressivere Diffusion f"uhrt andererseits jedoch zu einer kompletten lamellaren Amorphisierung des Targets, so dass sich keine durchgehende Schicht bildet.
Zu hohe Werte f"ur den Parameter der Druckspannungen verursachen eine nahezu komplette Amorphisierung des kohlenstoffhaltigen Bereichs.
Wie in der ersten Version des Programms f"allt auf, dass die amorphen und kristallinen Volumina in aufeinanderfolgenden Ebenen im Tiefenbereich der lamellaren Ausscheidungen komplement"ar angeordnet sind.
-Dies "aussert sich in Schwankungen der Kohlenstoffkonzentration im lamellaren Tiefenbereich.
+Dies "au"sert sich in Schwankungen der Kohlenstoffkonzentration im lamellaren Tiefenbereich.
Weiterhin ist es durch die Simulation m"oglich, eine Vorhersage zu machen, wie sich durch einen zweiten oder mehrere Implantationsschritte breite selbstorganisierte Bereiche herstellen lassen.
Das Modell kann demnach die Bildung der selbstorganisierten lamellaren Ausscheidungen erkl"aren.
Mit Hilfe weiterer Implantationen anderer Ion-Target-Kombinationen k"onnte man die Abh"angigkeit der Simulationsparameter vom verwendeten Materialsystem untersuchen.
Dadurch k"onnte die Simulation zu einem universellen Programm zur Amorphisierung jedes Materialsystems erweitert werden.
-Ein Zusammenhang zwischen den die Amorphisierung beschreibenden Parameter und den Materialkonstanten k"onnte ausserdem Aufschluss "uber die Amorphisierungsmechanismen liefern.
+Ein Zusammenhang zwischen den die Amorphisierung beschreibenden Parameter und den Materialkonstanten k"onnte au"serdem Aufschluss "uber die Amorphisierungsmechanismen liefern.
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