\chapter{Zusammenfassung und Ausblick}
\label{chapter:z_und_a}
-Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Bildung selbstorganisierter nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium untersucht.
+Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Bildung selbstorganisierter nanometrischer $SiC_x$"=Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium untersucht.
Diese Ausscheidungen wurden bei Targettemperaturen zwischen $150$ und $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ beobachtet.
Unter diesen Bedingungen ist auf Grund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoffionen im Silizium keine Amorphisierung zu erwarten.
Tats"achlich ist bekannt, dass reines kristallines Silizium unter diesen Gegebenheiten ionenstrahl-induziert epitaktisch rekristallisiert.
Die zweite Version umfasst den kompletten Implantationsbereich einschlie"slich der amorphen durchgehenden Schicht.
Hier wurde ein exaktes Bremskraft- und Implantationsprofil verwendet.
Implantationsparameter erm"oglchen die Steuerung des Amorphisierungsprozesses.
-Die drei zur Amorphisierung beitragenden Mechanismen ballistische Amorphisierung, kohlenstoff-induzierte Amorphisierung und spannungs-induzierte linebreak[4] Amorphisierung k"onnen durch Simulationsparameter gewichtet werden.
+Die drei zur Amorphisierung beitragenden Mechanismen ballistische Amorphisierung, kohlenstoff-induzierte Amorphisierung und spannungs-induzierte Amorphisierung k"onnen durch Simulationsparameter gewichtet werden.
Die Diffusion kann durch zwei weitere Parameter beschrieben werden.
Bei der Implementierung wurde darauf geachtet, dass ein Durchlauf exakt einem implantierten Ion entspricht.
Somit kann versucht werden, eine experimentell bestimmte Dosisenticklung zu reproduzieren.
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