\begin{document}
+\extraslideheight{5in}
+
\begin{slide}
\maketitle
\end{slide}
\subsection{Abbremsung von Ionen}
Abbremsung der Ionen durch:
\begin{itemize}
- \item inelastische Streuung an Targetelktronen
+ \item inelastische Streuung an Targetelektronen
\item elastische Streuung an Atomkernen des Targets
\end{itemize}
Energieverlust der Ionen durch obere Bremsprozesse.\\
\end{slide}
\begin{slide}
-\subsubsection{Bremsquerschnitt}
+\slideheading{Bremsquerschnitt}
Definition: Bremsquerschnitt $S_{e,n}$
\[
S_{e,n} = \frac{1}{N} \Big( \frac{\partial E}{\partial x} \Big)_{e,n}
Mittlere Reichweite $R$:
\[
R = \frac{1}{N} \int_0^{E_0} \frac{\partial E}{S_e(E) +S_n(E)} \qquad \textrm{, mit} \, E_0 \equiv \textrm{Anfangsenergie}
-\}}
+\]
\end{slide}
\begin{slide}
-\subsubsection{elektronischer Energieverlust}
-elektronischer Energieverlust haupts"achlich durch inelastische St"o"se.
+\slideheading{elektronischer Energieverlust}
+Elektronischer Energieverlust haupts"achlich durch inelastische St"o"se.
\begin{itemize}
\item Anregung / Ionisation des Targets
\item Anregung / Ionisation / Elektroneneinfang des eingeschossenen Ions
\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
Energieverlust abh"angig von Energie $E$ der Ionen. (LSS, Firsov)
\begin{itemize}
\item niedrige Teilchenenergie: $S_e(E) = \sqrt{E}$
\end{slide}
\begin{slide}
-\subsubsection{nuklearer Energieverlust}
+\slideheading{nuklearer Energieverlust}
Beschreibung durch elastischen Sto"s:
\[
T_n(E,p) = E \frac{2 M_1 M_2}{(M_1 + M_2)^2} (1 - \sin \theta)
T_n & \equiv \textrm{Energie"ubertrag beim Sto"s} \\
p & \equiv \textrm{Sto"sparameter} \\
\theta & \equiv \textrm{Streuwinkel im Schwerpunktsystem} \\
- M_1, Z_1, E & \equiv textrm{Masse, Ladung, Energie des Ions}
+ M_1, Z_1, E & \equiv \textrm{Masse, Ladung, Energie des Ions}
\end{array}
\]
Integration "uber alle alle m"oglichen Energien $T_n$, gewichtet mit deren Wahrscheinlichkeit liefert Bremsquerschnitt $S_n$:
\[
- S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max} T \partial \sigma(E,T_n)
+ S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max}} T \sigma(E,T_n) \partial \sigma
\]
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
Festlegung von $\theta$ abh"angig von Potential $V(r)$. Wahl:
\[
V(r) = \frac{Z_1 Z_2 e^2}{4 \pi \epsilon_0 r} \phi \Big( \frac{r}{a} \Big)
\end{slide}
\begin{slide}
-\subsubsection{Implanationsprofil}
+\slideheading{Implantationsprofil}
Wegen Richtungs"anderungen der Ionen:
\[
- R \neq \textrm{mittlere Implanationstiefe}
+ R \neq \textrm{mittlere Implantationstiefe}
\]
N"aherung des Konzentartionsprofils durch Gau"sverteilung:
\[
D & \equiv \textrm{Dosis} \\
\Delta R_p & \equiv \textrm{Standardabweichung der projezierten Reichweite} \, R_p
\end{array}
+\]
(Lindhard, Scharff, Schiott)\\
\end{slide}
\begin{slide}
-\\
-Ionisationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):
+Implantationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):
\\
bild von maik requesten...
\end{slide}
Bestrahlung $\rightarrow$ Sch"aden im Kristallgitter durch:
\begin{itemize}
\item Sto"s mit Ion
- \item angesto"sene Atome $rightarrow$ Verlagerungskaskaden
+ \item angesto"sene Atome $\rightarrow$ Verlagerungskaskaden
\end{itemize}
Defektausheilung, Rekristallisation:\\
verlagerte Gitteratome kehren an Gitterplatz zur"uck, durch:
\item ionenstrahlinduzierte Ausheilung
\end{itemize}
Beobachtung aus Experiment:\\
-Intensit"at der Strahlensch"adigung verh"alt sich wie nukleare Bremskraft (lediglich leichter Shift)
+Intensit"at der Strahlensch"adigung verh"alt sich wie nukleare Bremskraft (lediglich leichter Shift).
\end{slide}
\begin{slide}
-\section{Nannolamelare Selbstordnungsprozesse}
+\section{Nanolamelare Selbstordnungsprozesse}
\end{slide}
\begin{slide}
Parameter:
\begin{itemize}
\item niedrige Targettemperaturen, $T < 400$ Grad Celsius
- \item Implanation in $(100)$-orientiertes Silizium
+ \item Implantation in $(100)$-orientiertes Silizium
\end{itemize}
Beobachtungen an oberer Grenzfl"ache zur amorphen Schicht:\\
-$\rightarrow$ Bildung amorpher lamellarer Strukturen\\
-bild von maik requesten...\\
+$\rightarrow$ Bildung amorpher lamellarer Strukturen
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+bild von maik requesten...
\end{slide}
\begin{slide}
\subsection{Das Modell}
-Wie entstehen die geordneten amorphen Ausscheidungen:
+Entstehung der geordneten amorphen Ausscheidungen:
\begin{itemize}
\item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
\item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $SiC$-Dichte im amorphen um $20-30%$ geringer als im kristallinen Zustand $\rightarrow$ Ausdehnung, Druckspannung auf Umgebung $\rightarrow$ Erschweren "Wiedereinbau" verlagerter Atome
+ \item $SiC$-Dichte im amorphen um $20-30\%$ geringer als im kristallinen Zustand $\rightarrow$ Ausdehnung, Druckspannung auf Umgebung $\rightarrow$ Erschweren des \dq Wiedereinbaus\dq{} verlagerter Atome
\item Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
- \item Verringerung der Kohlenstoff"ubers"attigung durch Diffusion von Kohlenstoff aus Kristallinem ins Amorphe (falsch implementiert :()
+ \item Verringerung der Kohlenstoff"ubers"attigung durch Diffusion von Kohlenstoff aus Kristallinem ins Amorphe
\end{itemize}
\end{slide}
\item lineare N"aherung der nuklearen Bremskraft in diesem Bereich
\item lineare N"aherung der Kohlenstoffkonzentartion in diesem Bereich
\item Wahrscheinlichkeit fuer Amorphisierung $\sim$ nuklearer Bremskraft
+ \item Vernachl"assige Druckspannungen in $z$-Richtung
+ \item Druckspannung $\sim \frac{1}{r^2}$
\end{itemize}
\end{slide}
\begin{slide}
-Pseudocode:
+grober Programmablauf:
\begin{itemize}
\item zuf"allige Wahl eines Punktes $(x,y,z)$, wobei $x,y$ gleichm"assig verteilt, $p(z)=az+c$
- \item Wahrscheinlichkeit, da"s Gebiet amorph wird $sim$ Druckspannung und Kohlenstoffkonzentartion
- \item Wahrscheinlichkeit, da"s Gebiet kristallin wird, ist $1 - \textrm{oberer Wahrscheinlichkeit$
+ \item Wahrscheinlichkeit $p$, da"s Gebiet amorph wird $\sim$ Druckspannung und Kohlenstoffkonzentartion
+ \item Wahrscheinlichkeit, da"s Gebiet kristallin wird, ist $1 - p$
\item lineare Verteilung der Kohlenstoffatome aus kristallinen Gebieten
\end{itemize}
\end{slide}
+\begin{slide}
+Wichtigste variable Parameter:
+\begin{itemize}
+ \item $-a$: Steigung nuklearen Energieverlusts
+ \item $-b$: Nuklearer Energieverlust f"ur $z=0$
+ \item $-s$: Anzahl der Durchg"ange $\equiv$ Anzahl der implanierten Ionen
+ \item $-r$: Abbruchkriterium f"ur Einfluss der Druckspannungen
+ \item $-f$: Einflu"s der Druckspannungen (Steigung)
+ \item $-p$: Einflu"s der Druckspannungen (y-Abschnitt)
+ \item $-A$: Steigung der linearen Kohlenstoffverteilung
+ \item $-B$: prozentualer Anteil des Kohlenstoffs f"ur $z=0$
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
\begin{slide}
\subsection{Ergebnisse}
+Erfolg:
+\begin{itemize}
+ \item Grad der Amorphisierung geht linear mit $z$
+ \item Bildung einzelner Lamellen
+\end{itemize}
+Nicht beobachtet:
+\begin{itemize}
+ \item Regelm"assigkeit der lamellaren amorphen Ausscheidungen
+ \item Anwachsen der Gr"o"se der Ausscheidungen sowie deren Abst"ande in $z$-Richtung
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+Beobachtungen in Abh"angigkeit der Parameter:
+\begin{itemize}
+ \item Variation der Range
+ \begin{itemize}
+ \item Anteil lamellarer Gebiete nimmt mit Range zu
+ \item foobar
+ \end{itemize}
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\begin{itemize}
+ \item Variation des Einflusses der Druckspannungen
+ \begin{itemize}
+ \item Zunahme lamellarer Gebiete mit Einflu"s der Druckspannung
+ \item gleichzeitige Erh"ohung der amorphen Gebiete im allgemeinen
+ \end{itemize}
+ \item Variation des y-Abschnitts der Druckspannungen
+ \begin{itemize}
+ \item Zunahme amorpher Gebiete
+ \item eher Abnahme der lamellaren Struktur
+ \end{itemize}
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
parameter und bilder einfuegen...
\end{slide}
+\begin{slide}
+\section{Ausblick}
+\end{slide}
+
\end{document}