\begin{itemize}
\item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium \\ $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
\item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
+ \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
\item d"unnes Target \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
\item Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
\end{itemize}
\item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit
\[
\begin{array}{ll}
- p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohelstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\
+ p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohlenstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\
p_{a \rightarrow c} & =1-p_{c \rightarrow a}
\end{array}
\]
\begin{center}
\includegraphics[height=3.5cm]{sim2_64-64_a003_b0_no-c-diff_x-z_23-cmp-tem.eps}
\includegraphics[height=3.5cm]{tem-if.eps}
- \caption{Vergleich von Simulationsergebniss und TEM-Aufnahme}
+ \caption{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
\end{center}
\end{figure}
\end{slide}