+\section{Experimentelle Befunde und Modell}
+
+ \subsection{Experimentelle Befunde}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Experimentelle Befunde}
+ \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps}
+ \end{center}
+ \begin{center}
+ {\scriptsize\bf Hellfeld-TEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
+ \end{center}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Experimentelle Befunde}
+ \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
+ \begin{columns}
+ \column{5.5cm}
+ \includegraphics[width=5.5cm]{a-d.eps}
+ {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$}
+ \column{5.5cm}
+ \includegraphics[width=5.5cm]{a-t.eps}
+ {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Temperatur f"ur die Dosis $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
+ \end{columns}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Experimentelle Befunde}
+ \framesubtitle{Kohlenstoffsegregation}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=10cm]{eftem.eps}
+ {\scriptsize Hellfeld-TEM- und Elementverteilungsaufnahme. $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$, $T=200 \, ^{\circ} \mathrm{C}$.}
+ \end{center}
+\end{frame}
+
+ \subsection{Modell}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Modell}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=8cm]{modell_ng.eps}
+ \end{center}
+ \begin{itemize}
+ \pause
+ \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\
+ $rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \pause
+ \item hohe Grenzfl"achenenergie f"ur $3C-SiC$ in $c-Si$
+ $rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
+ \pause
+ \item Dichtereduktion des amorphen $SiC_x$
+ $rightarrow$ laterale Druckspannungen
+ \pause
+ \item amorphe Gebiete als Senke f"ur den Kohlenstoff
+ $\rightarrow$ Abbau der $C$-"Ubers"attigung in $c-Si$
+ \end{itemize}
+\end{frame}
+
+\section{Simulation und Ergebnisse}
+
+ \subsection{Simulation}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Simulation}
+ \framesubtitle{Unterteilung des Targets}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Simulation}
+ \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Simulation}
+ \framesubtitle{Algorithmus - Kohlenstoffeinbau}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Simulation}
+ \framesubtitle{Algorithmus - Diffusion/Sputtern}
+\end{frame}
+
+ \subsection{Ergebnisse}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Ergebnisse}
+ \framesubtitle{Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Ergebnisse}
+ \framesubtitle{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}
+\end{frame}
+
+\section{Zusammenfassung und Ausblick}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Zusammenfassung}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Ausblick}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Danksagung}
+ \begin{itemize}
+ \item Prof. Dr. Bernd Stritzker
+ \item PD Volker Eyert
+ \item PD J"org Lindner
+ \item Dipl. Phys. Maik H"aberlen
+ \item Dipl. Phys. Ralf Utermann
+ \item EP4 + Diplomanden
+ \end{itemize}
+\end{frame}
+
+