-\documentclass[pdf,hdw]{prosper}
+\documentclass{beamer}
+\mode<presentation>
+{
+%\usetheme{Berkeley}
+\usetheme{Warsaw}
+\setbeamercovered{transparent}
+}
\usepackage{verbatim}
\usepackage[german]{babel}
\usepackage[latin1]{inputenc}
\usepackage{amsmath}
\usepackage{ae}
\usepackage{aecompl}
-\usepackage{color}
+\usepackage{colortbl}
+\usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade}
\usepackage{graphicx}
-\graphicspath{{./}}
+\graphicspath{{../img}}
\usepackage{hyperref}
\begin{document}
\title{Vorstellung der Diplomarbeit}
\subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
-\author{Frank Zirkelbach}
-\email{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}
-\institution{Lehrstuhl f"ur Experiemntalphysik IV - Institut f"ur Physik\\Universit"at Augsburg}
-\slideCaption{Lehrstuhlseminar Experimentalphysik IV - 10.11.2005}
-\Logo{\includegraphics[height=1cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}}
-
-\maketitle
-
-\overlays{8}{
-\begin{slide}{"Uberblick}
-\begin{itemstep}
- \item Motivation
- \item Grundlagen der Ionenimplantation
- \item Experimentelle Befunde
- \item Das Modell
- \item Die Simulation
- \item Ergebnisse
- \item Anwendung
- \item Zusammenfassung
-\end{itemstep}
-\end{slide}}
-
-\overlays{3}{
-\begin{slide}{Motivation}
-Ionenimplantation
-\begin{itemstep}
- \item exakte Dosierbarkeit
- \item Reproduzierbarkeit
- \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
-\end{itemstep}
-\end{slide}}
+\author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
+\institute{
+Institut f"ur Physik\\
+Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
+Universit"at Augsburg
+}
+\date{10. November 2005}
+%\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo}
+%\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
+%\beamerdefaultoverlayspecification{<+->}
+
+\AtBeginSubsection[]
+{
+ \begin{frame}<beamer>
+ \frametitle{"Uberblick}
+ \tableofcontents[currentsubsection]
+ \end{frame}
+}
+
+\begin{frame}
+ \titlepage
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{"Uberblick}
+ \tableofcontents%[pausesections]
+\end{frame}
+
+\section{Einf"uhrung}
+
+ \subsection{Ionenimplantation}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Einf"uhrung}
+ \framesubtitle{Ionenimplantation}
+ \begin{block}{Funktionsweise}
+ \begin{itemize}
+ \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
+ \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
+ \item Bestrahlung eines Festk"orpers
+ \end{itemize}
+ \end{block}
+ \onslide<2->
+ $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
+ \begin{block}{Anwendung}
+ Dotierung von Halbleiterkristallen
+ \end{block}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Einf"uhrung}
+ \framesubtitle{Ionenimplantation}
+ \begin{block}{Vorteile}
+ \begin{itemize}
+ \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
+ \item Reproduzierbarkeit
+ \item Homogenit"at
+ \item Schnelligkeit
+ \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
+ \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
+ \end{itemize}
+ \end{block}
+\end{frame}
+
+ \subsection{Selbstorganisation}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Einf"uhrung}
+ \framesubtitle{Selbstorganisation}
+ \begin{columns}
+ \column{4.5cm}
+ \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh}}
+ \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg}}
+ \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2}}
+ \column{6.5cm}
+ \begin{enumerate}
+ \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
+ \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
+ \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
+ \end{enumerate}
+ \end{columns}
+\end{frame}
+
+\section{Grundlagen}
+
+ \subsection{Abbremsung der Ionen}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Grundlagen}
+ \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
+ \onslide<2->
+ \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
+ elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
+ $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
+ \end{block}
+ \onslide<3->
+ \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
+ inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
+ $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
+ \end{block}
+ \onslide<4->
+ \begin{block}{Bremskraft}
+ $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
+ \end{block}
+\end{frame}
+
+ \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Grundlagen}
+ \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
+ \begin{block}{Prinzip}
+ \begin{itemize}
+ \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
+ \pause
+ \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
+ \pause
+ \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
+ \pause
+ \item Energieverlust durch St"o"se
+ \pause
+ \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$
+ \pause
+ \item Abbildung von Zufallszahlen auf:
+ \begin{itemize}
+ \item freie Wegl"ange $l$
+ \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$
+ \item Azimutwinkel $\Phi$
+ \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \end{block}
+\end{frame}
+
+\section{Experimentelle Befunde}
+
+ \subsection[amorphe Phasen]{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Experimentelle Befunde}
+ \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps}
+ \end{center}
+ \begin{center}
+ {\scriptsize\bf Hellfeld-TEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
+ \end{center}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Experimentelle Befunde}
+ \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{}
+ \framesubtitle{}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{}
+ \framesubtitle{}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{}
+ \framesubtitle{}
+\end{frame}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{}
+ \framesubtitle{}
+\end{frame}
\end{document}
projects / lectures / latex.git / blobdiff