more dpg talk + changed Makefile
[lectures/latex.git] / posic / talks / dpg_2008.tex
index 5bc70e6..42a2415 100644 (file)
   \item $T=0 \, K$
   \item Insertion of Si / C atom at
         \begin{itemize}
-         \item $(0,0,0)$ (tetrahedral)
-         \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ (hexagonal)
-         \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$ (110 dumbbell)
+         \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ tetrahedral
+         \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ hexagonal
+         \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$
+              $\rightarrow$ 110 dumbbell
         \item random positions (critical distance check)
        \end{itemize}
   \item Relaxation time: $2\, ps$
   Simulation details
  }
 
+ \small
+
  SiC precipitation experiments:
  \begin{itemize}
   \item Initial configuration: $31\times31\times31$ unit cells Si
        \end{itemize}
  \end{itemize}
 
- 3 szenarios
- \begin{itemize}
-  \item $V_ins$: total volume $V$
-  \item $V_ins$: 
- \end{itemize}
+ Szenarios:
+ \begin{enumerate}
+  \item $V_{ins}$: total simulation volume $V$
+  \item $V_{ins}$: $12\times12\times12$ SiC unit cells
+                   ($\sim$ volume of minimal SiC precipitation)
+  \item $V_{ins}$: $9\times9\times9$ SiC unit cells
+                   ($\sim$ volume of necessary amount of Si)
+ \end{enumerate}
 
 \end{slide}