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[lectures/latex.git] / posic / talks / seminar_2008.tex

diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index d946ce3..226bd5a 100644 (file)
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -271,18 +271,47 @@
 
  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 
+ {\small
+
  \begin{itemize}
   \item Implantation 1:
-        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+        $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
         $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
-        $\rightarrow$
+        epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+        in kastenf"ormigen Bereich,\\
+        eingeschlossen in a-Si:C 
   \item Implantation 2:
-        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+        $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
         $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
-        $\rightarrow$
+        Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+        in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten 
   \item Tempern:
-        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
+        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
+        Homogene st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+        scharfen Grenzfl"achen
  \end{itemize}
+ 
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace*{0.2cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{2.3cm}
+ {\scriptsize
+ Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
+ 3C-SiC-Schicht.\\
+ (a) Hellfeldaufnahme\\
+ (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
+ }
+ \end{minipage}
+
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
+}
 
 \end{slide}
 
@@ -326,10 +355,24 @@
   SiC-Ausscheidungsvorgang
  }
 
- \vspace{64pt}
+ Hochaufl"osungs-TEM:\\[-0.5cm]
 
- Hier die aus experimentellen Untersuchungen heraus vermuteten
- Ausscheidungsvorgaenge rein.
+ \begin{minipage}{3.3cm}
+ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_c-si-db.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{9cm}
+  Bereich oberhalb des Implantationsmaximums\\
+  Wolkenstruktur "uberlagert auf ungest"orten Si-Muster\\
+  $\rightarrow$ C-Si Dumbbells
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{3.3cm}
+ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{9cm}
+  Bereich ums Implantationsmaximum\\
+  Moir\'e-Kontrast-Muster\\
+  $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
+ \end{minipage}
 
 \end{slide}
 
@@ -583,17 +626,11 @@
  \begin{minipage}{4cm}
  \begin{itemize}
   \item $E_f=0.47$ eV
-  \item Very often observed
-  \item Most energetically\\
-        favorable configuration
-  \item Experimental\\
-        evidence [6]
+  \item sehr h"aufig beobachtet
+  \item energetisch g"unstigste Konfiguration
+  \item experimentelle und theoretische Best"atigungen
+        f"ur die Existenz dieser Konfiguration
  \end{itemize}
- \vspace{24pt}
- {\tiny
-  [6] G. D. Watkins and K. L. Brower,\\
-      Phys. Rev. Lett. 36 (1976) 1329.
- }
  \end{minipage}
  \begin{minipage}{8cm}
  \includegraphics[width=9cm]{100-c-si-db_s.eps}
@@ -638,8 +675,8 @@
    \end{itemize} 
   }}}}
   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
-   \parbox{3.5cm}{
-   Abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
+   \parbox{5.0cm}{
+   Nach 100 ps abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
   }}}}
   \ncline[]{->}{init}{insert}
   \ncline[]{->}{insert}{cool}
@@ -656,8 +693,6 @@
 
 \end{slide}
 
-\end{document}
-
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
@@ -668,16 +703,14 @@
  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
 
  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
- \tiny
+ \scriptsize
     \begin{itemize}
-      \item C-C peak at 0.15 nm similar to next neighbour distance of graphite
-            or diamond\\
+      \item C-C, 0.15 nm: NN-Abstand in Graphit bzw. Diamant\\
             $\Rightarrow$ Formation of strong C-C bonds
                           (almost only for high C concentrations)
-      \item Si-C peak at 0.19 nm similar to next neighbour distance in 3C-SiC
-      \item C-C peak at 0.31 nm equals C-C distance in 3C-SiC\\
-            (due to concatenated, differently oriented
-             <100> dumbbell interstitials)
+      \item Si-C, 0.19 nm: NN-Abstand in 3C-SiC
+      \item C-C, 0.31 nm: C-C Abstand in 3C-SiC\\
+            (vekettetrkettete, verschieden orientierte 100 C-Si Dumbbells)
       \item Si-Si shows non-zero g(r) values around 0.31 nm like in 3C-SiC\\
             and a decrease at regular distances\\
             (no clear peak,