\item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
\item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
\item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
- \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
+ \item Micro-Electro-Mechanical System (MEMS)
\end{itemize}
}
- \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
- %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
+ \begin{picture}(0,0)(-255,-125)
+ \includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
\end{picture}
-
- \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
- %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps}
+ \begin{picture}(0,0)(-251,-115)
+ \begin{minipage}{4cm}
+ {\tiny DLR ISE: Inverter, $E=98.5\%$}
+ \end{minipage}
\end{picture}
\end{slide}
Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+ \scriptsize
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Dosirate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
+ \end{minipage}
+
\end{slide}
\begin{slide}
Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
}
- Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+ Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+
+ \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
+ \end{center}
+
+ \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
+ \begin{itemize}
+ \item System nicht mehr konservativ
+ \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
+ \end{itemize}
+ $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
\end{slide}
\begin{slide}
{\large\bf
- Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ SiC-Ausscheidungen in Si
}
- Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+ \begin{itemize}
+ \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC
+ \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb
+ \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps
+ \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle
+ ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$)
+ \end{itemize}
+
+ \vspace*{0.1cm}
+
+ Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\
+ Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$}
+
+ \vspace*{0.2cm}
+
+ \begin{minipage}{5cm}
+ Initial Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{1cm}
+ $\rightarrow$\\
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6cm}
+ Relaxierte Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps}
+ \end{minipage}
+
\end{slide}
\begin{slide}
{\large\bf
- Zusammenfassung / Ausblick
+ Zusammenfassung und Ausblick
}
-\vspace{24pt}
+\vspace{8pt}
+
+\begin{itemize}
+ \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen
+ \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten
+ \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang zu verstehen
+\end{itemize}
+
+\vspace{8pt}
\begin{itemize}
- \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
- \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
- \item Indication of SiC precipitation
+ \item Zwischengitterkonfigurationen
+ \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen
+ \item Untersuchungen an selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si
\end{itemize}
\vspace{24pt}
\begin{itemize}
- \item Displacement and stress calculations
- \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
- \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
+ \item Neue Versuche, neue Kombinationen
+ \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle
+ \item TAD
+ \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff)
+ \item Weitere Untersuchungen an selbst konstruierten Ausscheidungen
\end{itemize}
\end{slide}