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[lectures/latex.git] / posic / talks / seminar_2008.tex

diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index 600080c..d5ea0ee 100644 (file)
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -271,27 +271,34 @@
 
  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 
- \small
+ {\small
 
- \begin{minipage}{6cm}
  \begin{itemize}
-  \item Implantation 1:\\
-        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
+  \item Implantation 1:
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
         $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
         $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
-        $\rightarrow$
-  \item Implantation 2:\\
-        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
+        epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+        in kastenf"ormigen Bereich,\\
+        eingeschlossen in a-Si:C 
+  \item Implantation 2:
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
         $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
         $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
-        $\rightarrow$
+        Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+        in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten 
   \item Tempern:
-        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
+        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
+        Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+        scharfen Grenzfl"achen
  \end{itemize}
+ 
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
  \end{minipage}
- \hspace*{0.3cm}
- \begin{minipage}{6cm}
- \includegraphics[width=7cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \hspace*{0.2cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{2.3cm}
  {\scriptsize
  Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
  3C-SiC-Schicht.\\
@@ -300,6 +307,12 @@
  }
  \end{minipage}
 
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
+}
+
 \end{slide}
 
 \begin{slide}