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finished ibs
[lectures/latex.git]
/
posic
/
talks
/
seminar_2008.tex
diff --git
a/posic/talks/seminar_2008.tex
b/posic/talks/seminar_2008.tex
index
d370071
..
d5ea0ee
100644
(file)
--- a/
posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/
posic/talks/seminar_2008.tex
@@
-277,38
+277,28
@@
\item Implantation 1:
180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
$D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
\item Implantation 1:
180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
$D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
- $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$
- \begin{center}
- $\Downarrow$\\
+ $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
- in kastenf"ormigen Bereich,
+ in kastenf"ormigen Bereich,
\\
eingeschlossen in a-Si:C
eingeschlossen in a-Si:C
- \end{center}
\item Implantation 2:
180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
$D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
\item Implantation 2:
180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
$D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
- $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$
- \begin{center}
- $\Downarrow$\\
+ $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
- \end{center}
- \item Tempen:
- $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
- \begin{center}
- $\Downarrow$\\
+ \item Tempern:
+ $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
scharfen Grenzfl"achen
Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
scharfen Grenzfl"achen
- \end{center}
\end{itemize}
\end{itemize}
-
-
- \begin{minipage}{5.9cm}
- \includegraphics[width=6cm]{ibs_3c-sic.eps}
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
\end{minipage}
\end{minipage}
- \hspace*{0.
3
cm}
+ \hspace*{0.
2
cm}
\begin{minipage}{6.5cm}
\begin{minipage}{6.5cm}
- \vspace*{
0.5
cm}
+ \vspace*{
2.3
cm}
{\scriptsize
Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
3C-SiC-Schicht.\\
{\scriptsize
Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
3C-SiC-Schicht.\\
@@
-317,6
+307,10
@@
}
\end{minipage}
}
\end{minipage}
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
}
\end{slide}
}
\end{slide}