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[lectures/latex.git] / posic / thesis / basics.tex
index 951cef9..e23eb3d 100644 (file)
@@ -5,16 +5,16 @@ In the following the simulation methods used within the scope of this study are
 Enabling the investigation of the evolution of structure on the atomic scale, molecular dynamics (MD) simulations are chosen for modeling the behavior and precipitation of C introduced into an initially crystalline Si environment.
 To be able to model systems with a large amount of atoms computational efficient classical potentials to describe the interaction of the atoms are most often used in MD studies.
 For reasons of flexibility in executing this non-standard task and in order to be able to use a novel interaction potential~\cite{albe_sic_pot} an appropriate MD code called \textsc{posic}\footnote{\textsc{posic} is an abbreviation for {\bf p}recipitation {\bf o}f {\bf SiC}} including a library collecting respective MD subroutines was developed from scratch\footnote{Source code: http://www.physik.uni-augsburg.de/\~{}zirkelfr/posic}.
-The basic ideas of MD in general and the adopted techniques as implemented in \textsc{posic} in particular are outlined in section \ref{section:md}, while the functional form and derivative of the employed classical potential is presented in appendix \ref{app:d_tersoff}.
-An overview of the most important tools within the MD package is given in appendix \ref{app:code}.
+The basic ideas of MD in general and the adopted techniques as implemented in \textsc{posic} in particular are outlined in section~\ref{section:md}, while the functional form and derivative of the employed classical potential is presented in appendix~\ref{app:d_tersoff}.
+An overview of the most important tools within the MD package is given in appendix~\ref{app:code}.
 Although classical potentials are often most successful and at the same time computationally efficient in calculating some physical properties of a particular system, not all of its properties might be described correctly due to the lack of quantum-mechanical effects.
 Thus, in order to obtain more accurate results quantum-mechanical calculations from first principles based on density functional theory (DFT) were performed.
 The Vienna {\em ab initio} simulation package (\textsc{vasp})~\cite{kresse96} is used for this purpose.
-The relevant basics of DFT are described in section \ref{section:dft} while an overview of utilities mainly used to create input or parse output data of \textsc{vasp} is given in appendix \ref{app:code}.
+The relevant basics of DFT are described in section~\ref{section:dft} while an overview of utilities mainly used to create input or parse output data of \textsc{vasp} is given in appendix~\ref{app:code}.
 The gain in accuracy achieved by this method, however, is accompanied by an increase in computational effort constraining the simulated system to be much smaller in size.
 Thus, investigations based on DFT are restricted to single defects or combinations of two defects in a rather small Si supercell, their structural relaxation as well as some selected diffusion processes.
-Next to the structure, defects can be characterized by the defect formation energy, a scalar indicating the costs necessary for the formation of the defect, which is explained in section \ref{section:basics:defects}.
-The method used to investigate migration pathways to identify the prevalent diffusion mechanism is introduced in section \ref{section:basics:migration} and modifications to the \textsc{vasp} code implementing this method are presented in appendix \ref{app:patch_vasp}.
+Next to the structure, defects can be characterized by the defect formation energy, a scalar indicating the costs necessary for the formation of the defect, which is explained in section~\ref{section:basics:defects}.
+The method used to investigate migration pathways to identify the prevalent diffusion mechanism is introduced in section~\ref{section:basics:migration} and modifications to the \textsc{vasp} code implementing this method are presented in appendix~\ref{app:patch_vasp}.
 
 \section{Molecular dynamics simulations}
 \label{section:md}
@@ -65,11 +65,11 @@ The following sections cover the tools of the trade necessary for the MD simulat
 Three ingredients are required for a MD simulation:
 \begin{enumerate}
 \item A model for the interaction between system constituents is needed.
-      Interaction potentials and their accuracy for describing certain systems of elements will be outlined in section \ref{subsection:interact_pot}.
+      Interaction potentials and their accuracy for describing certain systems of elements will be outlined in section~\ref{subsection:interact_pot}.
 \item An integrator is needed, which propagates the particle positions and velocities from time $t$ to $t+\delta t$, realized by a finite difference scheme which moves trajectories discretely in time.
-      This is explained in section \ref{subsection:integrate_algo}.
+      This is explained in section~\ref{subsection:integrate_algo}.
 \item A statistical ensemble has to be chosen, which allows certain thermodynamic quantities to be controlled or to stay constant.
-      This is discussed in section \ref{subsection:statistical_ensembles}.
+      This is discussed in section~\ref{subsection:statistical_ensembles}.
 \end{enumerate}
 These ingredients will be outlined in the following.
 The discussion is restricted to methods employed within this study.
@@ -151,7 +151,7 @@ This is illustrated in Fig.~\ref{img:tersoff_angle}.
 The angular dependence does not give a fixed minimum angle between bonds since the expression is embedded inside the bond order term.
 The relation to the above discussed bond order potential becomes obvious if $\chi=1, \beta=1, n=1, \omega=1$ and $c=0$.
 Parameters with a single subscript correspond to the parameters of the elemental system~\cite{tersoff_si3,tersoff_c} while the mixed parameters are obtained by interpolation from the elemental parameters by the arithmetic or geometric mean.
-The elemental parameters were obtained by fit with respect to the cohesive energies of real and hypothetical bulk structures and the bulk modulus and bond length of the diamond structure.
+The elemental parameters were obtained by fit with respect to the cohesive energies of real and hypothetical bulk structures and the bulk modulus and bond length of the diamond structure.
 New parameters for the mixed system are $\chi$, which is used to finetune the strength of heteropolar bonds, and $\omega$, which is set to one for the C-Si interaction but is available as a feature to permit the application of the potential to more drastically different types of atoms in the future.
 
 The force acting on atom $i$ is given by the derivative of the potential energy.
@@ -163,7 +163,7 @@ The force is then given by
 \begin{equation}
 F^i = - \nabla_{{\bf r}_i} E \textrm{ .}
 \end{equation}
-Details of the Tersoff potential derivative are presented in appendix \ref{app:d_tersoff}.
+Details of the Tersoff potential derivative are presented in appendix~\ref{app:d_tersoff}.
 
 \subsubsection{Improved analytical bond order potential}
 
@@ -176,8 +176,8 @@ Similar behavior is found for the C-C interaction.
 
 For this reason, Erhart and Albe provide a reparametrization of the Tersoff potential based on three independently fitted parameter sets for the Si-Si, C-C and Si-C interaction~\cite{albe_sic_pot}.
 The functional form is similar to the one proposed by Tersoff.
-Differences in the energy functional and the force evaluation routine are pointed out in appendix \ref{app:d_tersoff}.
-Concerning Si the elastic properties of the diamond phase as well as the structure and energetics of the dimer are reproduced very well.
+Differences in the energy functional and the force evaluation routine are pointed out in appendix~\ref{app:d_tersoff}.
+Concerning Si, the elastic properties of the diamond phase as well as the structure and energetics of the dimer are reproduced very well.
 The new parameter set for the C-C interaction yields improved dimer properties while at the same time delivers a description of the bulk phase similar to the Tersoff potential.
 The potential succeeds in the description of the low as well as high coordinated structures.
 The description of elastic properties of SiC is improved with respect to the potentials available in literature.
@@ -339,7 +339,7 @@ where $F[n(\vec{r})]$ is a universal functional of the charge density $n(\vec{r}
 The challenging problem of determining the exact ground-state is now formally reduced to the determination of the $3$-dimensional function $n(\vec{r})$, which minimizes the energy functional.
 However, the complexity associated with the many-electron problem is now relocated in the task of finding the well-defined but, in contrast to the potential energy, not explicitly known functional $F[n(\vec{r})]$.
 
-It is worth to note, that this minimal principle may be regarded as exactification of the TF theory, which is rederived by the approximations
+It is worth to note that this minimal principle may be regarded as exactification of the TF theory, which is rederived by the approximations
 \begin{equation}
 T=\int n(\vec{r})\frac{3}{10}k_{\text{F}}^2(n(\vec{r}))d\vec{r}
 \text{ ,}
@@ -501,7 +501,7 @@ Fortunately, the impossibility to model the core in addition to the valence elec
 \subsection{Pseudopotentials}
 
 As discussed in the last part of the previous section, an extremely large basis set of plane waves would be required to perform an all-electron calculation and a vast amount of computational time would be required to calculate the electronic wave functions.
-It is worth to stress out one more time, that this is mainly due to the orthogonalization wiggles of the wave functions of valence electrons near the nuclei.
+It is worth to stress out one more time that this is mainly due to the orthogonalization wiggles of the wave functions of valence electrons near the nuclei.
 Thus, existing core states practically prevent the use of a PW basis set.
 However, the core electrons, which are tightly bound to the nuclei, do not contribute significantly to chemical bonding or other physical properties of the solid.
 This fact is exploited in the pseudopotential (PP) approach~\cite{cohen70} by removing the core electrons and replacing the atom and the associated strong ionic potential by a pseudoatom and a weaker PP that acts on a set of pseudo wave functions rather than the true valance wave functions.
@@ -566,7 +566,7 @@ Writing down the derivative of the total energy $E$ with respect to the position
 indeed reveals a contribution to the change in total energy due to the change of the wave functions $\Phi_j$.
 However, provided that the $\Phi_j$ are eigenstates of $H$, it is easy to show that the last two terms cancel each other and in the special case of $H=T+V$ the force is given by
 \begin{equation}
-\vec{F}_i=-\sum_j \langle \Phi_j | \Phi_j\frac{\partial V}{\partial \vec{R}_i} \rangle
+\vec{F}_i=-\sum_j \langle \Phi_j | \frac{\partial V}{\partial \vec{R}_i} \Phi_j \rangle
 \text{ .}
 \end{equation}
 This is called the Hellmann-Feynman theorem~\cite{feynman39}, which enables the calculation of forces, called the Hellmann-Feynman forces, acting on the nuclei for a given configuration, without the need for evaluating computationally costly energy maps.
@@ -672,7 +672,7 @@ In the modified version respective energies could be higher than the real ones d
 
 Structures of maximum configurational energy do not necessarily constitute saddle point configurations, i.e.\ the method does not guarantee to find the true minimum energy path.
 Whether a saddle point configuration and, thus, the minimum energy path is obtained by the CRT method, needs to be verified by calculating the respective vibrational modes.
-Modifications used to add the CRT feature to the \textsc{vasp} code and a short instruction on how to use it can be found in appendix \ref{app:patch_vasp}.
+Modifications used to add the CRT feature to the \textsc{vasp} code and a short instruction on how to use it can be found in appendix~\ref{app:patch_vasp}.
 
 % todo - advantages of pw basis concenring hf forces