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[lectures/latex.git] / posic / thesis / intro.tex
index 83daff3..9b47705 100644 (file)
@@ -40,5 +40,5 @@ Details of the simulation and associated test calculations are presented in chap
 In chapter \ref{chapter:defects} results of investigations of single defect configurations, structures of combinations of two individual defects as well as some selected diffusion pathways in silicon are shown.
 These allow to draw conclusions with respect to the SiC precipitation mechanism in Si.
 More complex systems aiming to model the transformation of C incorporated in bulk Si into a SiC nucleus are examined in chapter \ref{chapter:md}.
-Finally a summary and some concluding remarks are given in chapter \ref{chapter:summary}.
+Finally a summary and concluding remarks are given in chapter \ref{chapter:summary}.