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[lectures/latex.git] / posic / thesis / simulation.tex
index 92caa16..094c482 100644 (file)
@@ -220,7 +220,7 @@ In the first step the surrounding Si matrix is created.
 This is realized by just skipping the generation of Si atoms inside a sphere of radius $x$, which is the first unknown variable.
 The Si lattice constant $a_{\text{Si}}$ of the surrounding c-Si matrix is assumed to not alter dramatically and, thus, is used for the initial lattice creation.
 In a second step 3C-SiC is created inside the empty sphere of radius $x$.
-The lattice constant $y$, the second unknown variable, is chosen in such a way, that the necessary amount of carbon is generated and that the total amount of silicon atoms corresponds to the usual amount contained in the simulation volume.
+The lattice constant $y$, the second unknown variable, is chosen in such a way that the necessary amount of carbon is generated and that the total amount of silicon atoms corresponds to the usual amount contained in the simulation volume.
 This is entirely described by the equation
 \begin{equation}
 \frac{8}{a_{\text{Si}}^3}(