]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/blob - posic/publications/sic_prec_merge_reply01.txt
removed openstack, i didn't do much!
[lectures/latex.git] / posic / publications / sic_prec_merge_reply01.txt
1
2 Re: BC11912
3     Combined ab initio and classical potential simulation study
4     on the silicon carbide precipitation in silicon
5     by F. Zirkelbach, B. Stritzker, K. Nordlund, et al.
6
7
8 Dear Dr. Dahal,
9
10 once again, thank you for the feedback to our submission.
11
12 > The above manuscript has been reviewed by our referee. While we
13 > cannot make a definite commitment, we will probably accept your
14 > paper for publication, provided you make changes that we judge to be
15 > in accordance with the appended comments (or other satisfactory
16 > responses are given).
17
18 Please find below the summary of changes and hopefully convincing
19 responses to the recommendations of the referee.
20
21 -- Response to recommendations --
22
23 > The figures showing structures (2, 11, 14) would be improved by
24 > showing the bonds ? perhaps undistorted bonds in one color and those
25 > highly distorted by the defect in another.
26
27 We changed figures 2 and 14 to show all bonds in blue color while
28 bonds of the defect atoms or atoms of interest are displayed in red
29 color. We are thankful to the referee since the quality of the images
30 showing these structures, thereby, has been improved, indeed. In
31 figure 11, all bonds are actually already displayed.
32
33 -> Change 1 and 2
34
35 > My main feeling is that it is too long, and the sections
36 > particularle of the different configurations (Section IV, A-D and
37 > some of the discussions in section VI) include far more details than
38 > the reader will be interested in. If the authors would prune out
39 > some of the details and make the discussions more succinct, though,
40 > it would be vastly improved.
41
42 With further omitting content of the manuscript - originally intended to
43 be presented in two separated publications - we feel that
44 scientifically significant results would remain unpublished. Although
45 we would prefere a publication as in our last submission, we revised
46 the addressed parts of the manuscript and omitted several sentences
47 and one figure as detailed below.
48
49 -> Change 3 and 4
50
51 We hope to enable a publication in the Physical Review B by these
52 changes.
53
54 Sincerely,
55
56 Frank Zirkelbach
57
58 -- Summary of changes --
59
60 - = removed
61 + = added
62
63 Change 1 - Additional bonds in Fig. 2
64
65 -\includegraphics[width=\columnwidth]{si110.eps}
66 +\includegraphics[width=\columnwidth]{si110_bonds.eps}
67
68 -\includegraphics[width=\columnwidth]{sihex.eps}
69 +\includegraphics[width=\columnwidth]{sihex_bonds.eps}
70
71 -\includegraphics[width=\columnwidth]{sitet.eps}
72 +\includegraphics[width=\columnwidth]{sitet_bonds.eps}
73
74 -\includegraphics[width=\columnwidth]{si100.eps}
75 +\includegraphics[width=\columnwidth]{si100_bonds.eps}
76
77 -\includegraphics[width=\columnwidth]{csub.eps}
78 +\includegraphics[width=\columnwidth]{csub_bonds.eps}
79
80 -\includegraphics[width=\columnwidth]{c100.eps}
81 +\includegraphics[width=\columnwidth]{c100_bonds.eps}
82
83 -\includegraphics[width=\columnwidth]{c110.eps}
84 +\includegraphics[width=\columnwidth]{c110_bonds.eps}
85
86 -\includegraphics[width=\columnwidth]{cbc.eps}
87 +\includegraphics[width=\columnwidth]{cbc_bonds.eps}
88
89 -\caption{Configurations of Si and C point defects in Si. Si and C
90  atoms are illustrated by yellow and gray spheres respectively. Bonds
91  are drawn whenever considered appropriate to ease identifying defect
92  structures for the reader. Dumbbell configurations are abbreviated by
93  DB.}
94 +\caption{Configurations of Si and C point defects in Si. Si and C
95  atoms are illustrated by yellow and gray spheres respectively. Bonds
96  of the defect atoms are drawn in red color. Dumbbell configurations
97  are abbreviated by DB.}
98
99 Change 2 - Additional bonds + colored bonds in Fig. 14
100
101 -\includegraphics[width=\columnwidth]{md01.eps}
102 +\includegraphics[width=\columnwidth]{md01_bonds.eps}
103
104 -\includegraphics[width=\columnwidth]{md02.eps}\\
105 +\includegraphics[width=\columnwidth]{md02_bonds.eps}\\
106
107 -\caption{Atomic configurations of an {\em ab initio} molecular
108  dynamics run at \unit[900]{$^{\circ}$C} starting from a configuration
109  of C$_{\text{s}}$ located next to a Si$_{\text{i}}$ \hkl[1 1 0] DB
110  (atoms 1 and 2). Equal atoms are marked by equal numbers. Bonds are
111  drawn for substantial atoms only.}
112 +\caption{Atomic configurations of an {\em ab initio} molecular
113  dynamics run at \unit[900]{$^{\circ}$C} starting from a configuration
114  of C$_{\text{s}}$ located next to a Si$_{\text{i}}$ \hkl[1 1 0] DB
115  (atoms 1 and 2). Equal atoms are marked by equal numbers.}
116
117 Change 3 - Omitted text
118
119 +\prune{
120  C$_{\text{i}}$ pairs of the \hkl<1 0 0> type have been investigated
121  in the first part.
122 +}
123
124 +\prune{
125  In the last subsection configurations of a C$_{\text{i}}$ DB with
126  C$_{\text{s}}$ occupying a vacant site have been investigated.
127  Additionally, configurations might arise in IBS, in which the
128  impinging C atom creates a vacant site near a C$_{\text{i}}$ DB, but
129  does not occupy it.
130 -Resulting binding energies of a C$_{\text{i}}$ DB and a nearby
131  vacancy are listed in the second row of Table~\ref{table:dc_c-sv}.
132 +Resulting} Binding energies of a C$_{\text{i}}$ DB and a nearby
133  vacancy are listed in the second row of Table~\ref{table:dc_c-sv}.
134
135 +\prune{
136  There are good reasons for the existence of regions exhibiting such
137  configurations with regard to the IBS process.
138  Highly energetic C atoms are able to kick out a Si atom from its
139  lattice site, resulting in a Si self-interstitial accompanied by a
140  vacant site, which might get occupied by another C atom that lost
141  almost all of its kinetic energy.
142  Provided that the first C atom, which created the V and
143  Si$_{\text{i}}$ pair has enough kinetic energy to escape the affected
144  region, the C$_{\text{s}}$-Si$_{\text{i}}$ pair can be described as a
145  separated defect complex.
146 +}
147
148 +\prune{
149  Simulations are restricted to classical potential simulations using
150  the procedure introduced in section \ref{meth}.
151 +}
152
153 Change 3 - Omitted figure and respective text
154
155 +\prune{
156  \begin{figure}
157  \begin{center}
158  \includegraphics[width=\columnwidth]{2050.eps}
159  ...
160  \label{fig:v2as}
161  \end{figure}
162  A cross-section along the \hkl(1 -1 0) plane of the atomic structure
163  for a  C insertion temperature of \unit[2050]{$^{\circ}$C} is shown in
164  Fig.~\ref{fig:v2as}.
165 +}
166
167